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F頻段干擾問題

各位大神,麻煩請教一下,在日常優(yōu)化過程中遇到一個基站只有三小區(qū)存在高干擾,且全頻段干擾,現(xiàn)場掃頻未發(fā)現(xiàn)干擾源。只有在靠近天線的地方有干擾,復(fù)位基站以后干擾也沒有消除。請問這是那種類型的干擾?謝謝!

11.png

 

 

 

該基站為TD-LTE基站,下圖為15分鐘粒度的RB干擾波形圖,系列1為3小區(qū),系列2/3為另外兩個小區(qū)。另外目前手頭有的設(shè)備只有個普通的掃頻儀,沒有其他設(shè)備,謝謝!blob.png

提問者: lgl19861216  提問時間: 2016-07-08    
 
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問題答案 ( 3 )

有可能是天線自激造成的干擾。。

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回答者: litom2004     回答時間:2016-07-08 13:14    

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樓上的話可以考慮。排除天線本身的問題。

把自激在這里說下。

自激一般發(fā)生在無線同頻直放站站點。無線同頻直放站施主天線從施主基站接收頻率為f1的下行信號,經(jīng)增益為G的直放站放大后,由轉(zhuǎn)發(fā)天線發(fā)射出去。一部分信號再經(jīng)過轉(zhuǎn)發(fā)天線的后瓣耦合到施主天線的后瓣,再由直放站放大。這樣無線同頻直放站就形成一個潛在的正反饋環(huán)路,直放站自激后會將功放模塊、低噪放模塊推飽和,模塊的指標(biāo)會迅速惡化,影響直放站和基站覆蓋區(qū)域內(nèi)的通話。以上是直放站外部自激,還有一種就是在直放站內(nèi)部產(chǎn)生自激,由于直放站內(nèi)部模塊之間的屏蔽不好導(dǎo)致的自激,原理同外部自激。上行自激較下行自激更容易發(fā)生,因為對直放站來講,接收到上行信號的強度較下行信號波動要大很多。 一般來講下行自激較容易測試到,即在頻譜儀上可以看到比較光滑的尖峰(所選信源基站BCCH頻點上)。上行也可以測試到這種尖峰,但不是時時可以測試到,這是比較典型的自激現(xiàn)象,還有弱自激現(xiàn)象,測試結(jié)果沒有前面的那樣明顯,弱自激在頻譜上顯示的是突起的毛刺(在載頻邊緣)。
克服自激現(xiàn)象的方法有兩種,一是增大施主與重發(fā)天線的隔離度,二是降低直放站增益。當(dāng)要求直放站覆蓋范圍較小時,可采用降低增益的辦法,當(dāng)要求直放站的范圍較大時,應(yīng)增大隔離度,工程中主要采用以下幾種方法: 
1、增大收發(fā)天線的水平及垂直距離; 
2、增加遮擋物,如加裝屏蔽網(wǎng)等;
3、增加施主天線的方向性,如使用拋物面天線; 
4、選用方向更強的重發(fā)天線,如定向角度天線;
5、調(diào)整施主與重發(fā)天線的角度和方向,使兩者盡量背向。zcv545%#(么$K:JFD()$#_*(本文來自移動通信網(wǎng)gg1fic3.cn,版權(quán)所有

回答者: miqi050113     回答時間:2016-07-08 14:05    

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1)描述有點不清晰吧?圖也太小看不清楚。

2)另外F頻段的,是TD-LTE 系統(tǒng)還是TD-SCDMA 系統(tǒng)的干擾。一個站本一般就三個小區(qū)啊,是說3個小區(qū)只有第三向小區(qū)有干擾的意思嗎?如果是TDD的干擾,用干擾檢測儀,只有可以上天線口位置用4個模式測量,可以接近99%定性,區(qū)分是網(wǎng)外干擾,網(wǎng)內(nèi)干擾,阻塞干擾還是設(shè)備自身問題。

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回答者: lambord     回答時間:2016-07-15 12:45    

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