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15：保留位：小區(qū)擴(kuò)展類型；
14：層間調(diào)整位：層間切換門限、層間切換磁滯；
13/12：共MSC/BSC調(diào)整位：鄰小區(qū)與源小區(qū)所屬的BSC/MSC，進(jìn)行共BSC/MSC調(diào)整允許；
11：負(fù)荷調(diào)整位：負(fù)荷切換允許，負(fù)荷切換啟動(dòng)門限，負(fù)荷切換接收門限；
10/9：層排序位：小區(qū)所在層；
5~8：級(jí)排序位：小區(qū)優(yōu)先級(jí)；
4：同層小區(qū)間切換磁滯比較位：小區(qū)間切換磁滯；
1~3：電平比較位：無參數(shù)直接影響；
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l 小區(qū)基本排序和網(wǎng)絡(luò)特征調(diào)整是切換判決的主要部分，根據(jù)已經(jīng)完成懲罰處理后的各個(gè)鄰區(qū)及服務(wù)小區(qū)情況通過一定的算法進(jìn)行排序，確定各個(gè)小區(qū)之間的相對(duì)關(guān)系，為最后的切換做好基本的準(zhǔn)備：
[ M準(zhǔn)則
[ K準(zhǔn)則
16bits排序
一、M判決：
根據(jù)侯選小區(qū)最小下行功率、最小接入電平偏移判斷小區(qū)是否滿足條件
M準(zhǔn)則：只有高于最低接收電平的鄰近小區(qū)才能進(jìn)入侯選小區(qū)列表，即對(duì)鄰近小區(qū)根據(jù)接收電平進(jìn)行裁剪。
對(duì)服務(wù)小區(qū)而言：RXLEV(o)>MSRXMIN(o)
+ MAX(0,Pa(o))
對(duì)鄰近小區(qū)而言：RXLEV(n)>
MSRXMIN(n)+ MAX(0,Pa(n))+ OFFSET
RXLEV(o) ，RXLEV(n)——服務(wù)小區(qū)和鄰近小區(qū)的MS接收電平，
MSRXMIN(o)和MSRXMIN(n)——服務(wù)小區(qū)和鄰近小區(qū)要求MS的最低接入電平。
Pa(o)=MS_TXPWR_MAX(o) － P；
Pa(n)=MS_TXPWR_MAX(n) － P；
P =MAX_POWER_OF_MS ；
MS_TXPWR_MAX(n)——BSS限制的手機(jī)最大發(fā)射功率。
MAX_POWER_OF_MS是手機(jī)本身所能達(dá)到的最大發(fā)射功率。
OFFSET——最小接入電平偏移
MAX(0,Pa(o))——現(xiàn)有算法只是考慮下行鏈路的最低接收功率門限，并未考慮上行鏈路的情況，對(duì)上行鏈路：
如果手機(jī)的最大功率超過BSS所要求的最大發(fā)射電平，那么Pa等于零,也就是手機(jī)的上行鏈路可以滿足要求；
反之，就需要為滿足鄰近小區(qū)上行鏈路接收電平的要求對(duì)下行鏈路的最低接收電平增加一個(gè)補(bǔ)償值。
二 、K準(zhǔn)則：
把經(jīng)過M準(zhǔn)則裁減之后的小區(qū)，含服務(wù)小區(qū)和鄰近小區(qū)，按接收電平進(jìn)行排序。
三、16 Bit準(zhǔn)則
服務(wù)小區(qū)與鄰小區(qū)都有各自的排序結(jié)果，值越小，優(yōu)先級(jí)越高，排隊(duì)越靠前。
第1-3位：按照小區(qū)電平的排序。
排序的6個(gè)候選小區(qū)加上1個(gè)服務(wù)小區(qū)按電平(接收電平與相應(yīng)的懲罰相結(jié)合)排序的結(jié)果
第4位：同層小區(qū)間切換磁滯比較位
服務(wù)小區(qū)的第4bit始終是0，
鄰近小區(qū)的接收電平 ＝> 服務(wù)小區(qū)的接收電平+小區(qū)間切換磁滯時(shí)，置0；鄰近小區(qū)的接收電平 < 服務(wù)小區(qū)的接收電平+小區(qū)間切換磁滯時(shí)，置1。
注意：小區(qū)間磁滯與PBGT門限的關(guān)系，在PBGT切換里，大者起作用。
磁滯的作用：
使用磁滯的目的是為了防止乒乓切換，由于在兩個(gè)小區(qū)交界處信號(hào)可能很不穩(wěn)定, 這將會(huì)造成手機(jī)頻繁地來回切換, 給系統(tǒng)造成負(fù)擔(dān)。使用了磁滯就可近似于使得服務(wù)小區(qū)的小區(qū)覆蓋半徑擴(kuò)大, 鄰近小區(qū)覆蓋半徑縮小，這樣切換就不容易進(jìn)行, 進(jìn)而防止乒乓切換。
第5-10位：切換層級(jí)位。
分層分級(jí)別（當(dāng)鄰區(qū)或服務(wù)區(qū)的電平低于層間切換門限和磁滯的關(guān)系時(shí)，屏蔽掉，全置為0)�？梢苑殖�64個(gè)優(yōu)先級(jí)。
u 分層分級(jí)調(diào)整：
華為切換算法把整個(gè)網(wǎng)絡(luò)分成4層，每層分成16級(jí)。層級(jí)越低，切換的優(yōu)先級(jí)越高，“Micro Cell”層的優(yōu)先級(jí)最高，“Umbrella”層的優(yōu)先級(jí)最低。
相關(guān)參數(shù)：切換-小區(qū)描述數(shù)據(jù)表
小區(qū)所在層
小區(qū)優(yōu)先級(jí)
第11位：負(fù)荷調(diào)整位
服務(wù)小區(qū)：負(fù)荷 >= 負(fù)荷切換啟動(dòng)門限時(shí)，置1，否則置0；
鄰近小區(qū)：負(fù)荷 >= 負(fù)荷切換接收門限時(shí)，置1，否則置0。
負(fù)荷切換啟動(dòng)門限和接收門限見負(fù)荷切換數(shù)據(jù)表。
第12、13位：共BSC/MSC調(diào)整位
服務(wù)小區(qū)：恒為0
鄰近小區(qū)：與服務(wù)小區(qū)屬同一BSC/MSC時(shí)，12/13置0，否則置1
當(dāng)鄰區(qū)或服務(wù)區(qū)的電平低于層間切換門限和磁滯的關(guān)系時(shí)，屏蔽掉，為0。
當(dāng)“共BSC/MSC調(diào)整允許”置為“否”時(shí)，屏蔽掉，為0
第14位：層間切換門限調(diào)整位
服務(wù)小區(qū) : 接收電平 >= 層間切換門限－層間切換磁滯，置0。
否則置1，且第13、12、10～5位全部置0
鄰近小區(qū)：接收電平 >= 層間切換門限＋層間切換磁滯，置0。
否則置1，且第13、12、10～5位全部置0
注：不論鄰小區(qū)或服務(wù)小區(qū)是否在同層同級(jí)，該位都要以本小區(qū)的層間門限和磁滯作比較
第15位：小區(qū)類型調(diào)整位
不論是服務(wù)小區(qū)或鄰近小區(qū)：
為擴(kuò)展小區(qū)時(shí)，置1；
為正常小區(qū)時(shí)，置0。
第16位：保留位
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