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天線的上旁瓣抑制和下部第一零點(diǎn)填充是怎么計(jì)算的
如題
提問者: hahaer2046  提問時間: 2014-06-07    
 
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問題答案 ( 2 )

樓主要明白基本概念,這個并不是算出來的,而是廠家給出的某個天線的性能參數(shù),是必須達(dá)到要求的,測驗(yàn)的話只能在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行驗(yàn)證。

旁瓣抑制與零點(diǎn)填充(Elevation Upper Side lobes & Null FillvckjlurewioK:JFD()$#_*(本文來自移動通信網(wǎng)gg1fic3.cn,版權(quán)所有
  • 旁瓣抑制:是指減少第一上旁瓣能量。
  • 上旁瓣不僅浪費(fèi)了天線輻射的能量,而且會對相鄰小區(qū)特別是相鄰小區(qū)的高層建筑形成干擾,所以上旁瓣應(yīng)該盡量抑制,尤其是能量較大的第一上旁瓣。
  • 一般天線上旁瓣抑制在14~16dBc,做得較好的天線上旁瓣抑制可以達(dá)到17dBc。
  • 零點(diǎn)填充:是指在天線的垂直面內(nèi),下旁瓣第一零點(diǎn)采用波束賦形設(shè)計(jì)加以填充,以改善對基站近區(qū)的覆蓋,減少近區(qū)覆蓋死區(qū)和盲點(diǎn)。
$(哦*&#%kcK:JFD()$#_本文來自移動通信網(wǎng)gg1fic3.cn,版權(quán)所有

回答者: OscarDon     回答時間:2014-06-07 22:45    

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零點(diǎn)填充就是下部第一零深的功率和主瓣功率的比值,如果該參數(shù)大于-26dB(假如),表明該天線做了零點(diǎn)填充。。。。上旁瓣抑制的原理類似,就是上旁瓣的功率和主瓣的比值。。?fkjhfjK:JFD()$本文來自移動通信網(wǎng)gg1fic3.cn,版權(quán)所有

回答者: 瀕臨O滅絕     回答時間:2014-06-11 16:19    

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