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(普通問題)
CIO是什么意思
就是在測試會犯LOG時(shí)候發(fā)現(xiàn)服務(wù)扇區(qū)比鄰區(qū)RSRP弱10DB(可能漏鄰區(qū)或CIO配置不合理)其中“CIO”是什么意思？哪位解釋一下，多謝�。�！
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CIO
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問題答案
( 2 )
CIO是小區(qū)偏置的調(diào)整參數(shù)。配制拐角效應(yīng)產(chǎn)生兩個(gè)小區(qū)之間的CIO，使目標(biāo)小區(qū)更容易加入。由于CIO只影響兩個(gè)小區(qū)之間的切換行為，影響面相對較小，但CIO會對切換產(chǎn)生影響，這種配置可能導(dǎo)致切換比例的增加。 對于針尖效應(yīng)或者拐角效應(yīng)，配置5dB左右的CIO是比較好的解決辦法，但也會帶來增加切換比例等的副作用。
回答者：
zhangshiqin
回答時(shí)間：2014-06-21 18:22
63
98
關(guān)于小區(qū)個(gè)性偏移（CIO）
最近在TD網(wǎng)優(yōu)的時(shí)候碰到CIO這個(gè)參數(shù)，不甚了解，發(fā)現(xiàn)論壇里也沒關(guān)于這個(gè)參數(shù)的帖子，經(jīng)多方求教，找到了以下的資料，分享給大家參考，廢話少說，馬上進(jìn)入正題：
參數(shù)功能描述
對每個(gè)被監(jiān)視的小區(qū)，都用帶內(nèi)信令分配一個(gè)偏移。偏移可正可負(fù)。在UE評估是否一個(gè)事件已經(jīng)發(fā)生之前，應(yīng)將偏移加入到測量中，從而影響測量報(bào)告觸發(fā)的條件。通過應(yīng)用一個(gè)正的偏移，UE發(fā)送測量報(bào)告就如同P-CCPCH（TDD）比實(shí)際上要好xdB。相應(yīng)地,也可對P- CCPCH（TDD）使用一個(gè)負(fù)的偏移。此時(shí)P-CCPCH（TDD）的報(bào)告被限制。UE從MEASUREMENT CONTROL消息的測量對象的IE "Cell info"中得到P-CPICH（FDD）/P-CCPCH（TDD）的小區(qū)單獨(dú)偏移。對TD-SCDMA系統(tǒng)中，一個(gè)偏移加到P-CCPCH 2上，點(diǎn)線被用來評估是否P-CCPCH 2 變得好于PCCPCH1（由UTRAN命令），如下圖：
需要注意的是必須先偏移然后再觸發(fā)事件，即為了補(bǔ)償應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)和用于實(shí)際切換估計(jì)的偏移，UE應(yīng)在加上偏移之后評估是否需要發(fā)送一個(gè)測量報(bào)告。此外還需注意到，各個(gè)小區(qū)偏移并非用于所有的測量報(bào)告事件，并且在事件中并非以同一種方式進(jìn)行應(yīng)用。
參數(shù)調(diào)整影響
利用本參數(shù)，運(yùn)營商可以獲取一個(gè)手段，調(diào)整UE選擇的小區(qū)。例如當(dāng)一個(gè)小區(qū)由于街道拐角等原因，將存在一個(gè)質(zhì)量的突變，這樣就可以將小區(qū)的本參數(shù)設(shè)置為正值，增大UE選擇本小區(qū)的幾率。設(shè)置建議：一般不建議使用小區(qū)個(gè)性偏移；即使設(shè)置，偏移量不宜超過4dB。
目標(biāo)小區(qū)RSCP-原小區(qū)RSCP+CIO(步長0.5dB)>遲滯,再經(jīng)過TIMETOTRIG，UE才上報(bào)測量報(bào)告。所以CIO調(diào)整正值，向目標(biāo)小區(qū)切塊，調(diào)負(fù)值，向目標(biāo)小區(qū)切慢。
CIO即小區(qū)個(gè)性偏移，觸發(fā)1G事件的公式：目標(biāo)小區(qū)場強(qiáng)+目標(biāo)小區(qū)CIO-HYS>本小區(qū)場強(qiáng)+本小區(qū)CIO，此時(shí)觸發(fā)1G事件。因此設(shè)定CIO應(yīng)該看兩個(gè)小區(qū)，即本小區(qū)和目標(biāo)小區(qū)，不是簡單只看一個(gè)小區(qū)就說加快還是減慢了切換滿足的條件
最近在TD網(wǎng)優(yōu)的時(shí)候碰到CIO這個(gè)參數(shù)，不甚了解，發(fā)現(xiàn)論壇里也沒關(guān)于這個(gè)參數(shù)的帖子，經(jīng)多方求教，找到了以下的資料，分享給大家參考，廢話少說，馬上進(jìn)入正題：
| 參數(shù)名稱 | 取值范圍 | 物理單位 | 調(diào)整步長 |
| CellIndOffset |
-10~10 |
dB |
0.5 |
| 缺省值 | 傳送途徑 | 作用范圍 | 參數(shù)出處 |
| 0 | RNC->UE | CELL |
3GPP25331 |
| 設(shè)置途徑 | |||
| OMCR設(shè)置界面：NodeB小區(qū)配置>>服務(wù)小區(qū)其他參數(shù)信息>>小區(qū)個(gè)體偏移 | |||
參數(shù)功能描述
對每個(gè)被監(jiān)視的小區(qū)，都用帶內(nèi)信令分配一個(gè)偏移。偏移可正可負(fù)。在UE評估是否一個(gè)事件已經(jīng)發(fā)生之前，應(yīng)將偏移加入到測量中，從而影響測量報(bào)告觸發(fā)的條件。通過應(yīng)用一個(gè)正的偏移，UE發(fā)送測量報(bào)告就如同P-CCPCH（TDD）比實(shí)際上要好xdB。相應(yīng)地,也可對P- CCPCH（TDD）使用一個(gè)負(fù)的偏移。此時(shí)P-CCPCH（TDD）的報(bào)告被限制。UE從MEASUREMENT CONTROL消息的測量對象的IE "Cell info"中得到P-CPICH（FDD）/P-CCPCH（TDD）的小區(qū)單獨(dú)偏移。對TD-SCDMA系統(tǒng)中，一個(gè)偏移加到P-CCPCH 2上，點(diǎn)線被用來評估是否P-CCPCH 2 變得好于PCCPCH1（由UTRAN命令），如下圖：
需要注意的是必須先偏移然后再觸發(fā)事件，即為了補(bǔ)償應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)和用于實(shí)際切換估計(jì)的偏移，UE應(yīng)在加上偏移之后評估是否需要發(fā)送一個(gè)測量報(bào)告。此外還需注意到，各個(gè)小區(qū)偏移并非用于所有的測量報(bào)告事件，并且在事件中并非以同一種方式進(jìn)行應(yīng)用。
參數(shù)調(diào)整影響
利用本參數(shù)，運(yùn)營商可以獲取一個(gè)手段，調(diào)整UE選擇的小區(qū)。例如當(dāng)一個(gè)小區(qū)由于街道拐角等原因，將存在一個(gè)質(zhì)量的突變，這樣就可以將小區(qū)的本參數(shù)設(shè)置為正值，增大UE選擇本小區(qū)的幾率。設(shè)置建議：一般不建議使用小區(qū)個(gè)性偏移；即使設(shè)置，偏移量不宜超過4dB。
目標(biāo)小區(qū)RSCP-原小區(qū)RSCP+CIO(步長0.5dB)>遲滯,再經(jīng)過TIMETOTRIG，UE才上報(bào)測量報(bào)告。所以CIO調(diào)整正值，向目標(biāo)小區(qū)切塊，調(diào)負(fù)值，向目標(biāo)小區(qū)切慢。
CIO即小區(qū)個(gè)性偏移，觸發(fā)1G事件的公式：目標(biāo)小區(qū)場強(qiáng)+目標(biāo)小區(qū)CIO-HYS>本小區(qū)場強(qiáng)+本小區(qū)CIO，此時(shí)觸發(fā)1G事件。因此設(shè)定CIO應(yīng)該看兩個(gè)小區(qū)，即本小區(qū)和目標(biāo)小區(qū)，不是簡單只看一個(gè)小區(qū)就說加快還是減慢了切換滿足的條件
回答者：
OscarDon
回答時(shí)間：2014-06-22 11:00
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