基帶跳頻:小區(qū)內(nèi)每個(gè)TRX的頻率固定，但是用戶基帶信號在不同的TRX上隨時(shí)間變化；一般使用Filter Combiner；每個(gè)小區(qū)分配的頻點(diǎn)數(shù)量與該小區(qū)的TRX數(shù)量相等。射頻跳頻:小區(qū)內(nèi)除了含BCCH的TRX外的TRX頻率隨時(shí)間按一定規(guī)律變化，但是用戶基帶信號送到某一固定的TRX上；一般使用Hybrid Combiner；每個(gè)小區(qū)分配的頻點(diǎn)數(shù)量一般多于該小區(qū)的TRX數(shù)量。

射頻跳頻整個(gè)帶BCCH的載頻都不參加跳頻。而基帶跳頻則是除了帶BCCH的這個(gè)時(shí)隙不參加跳頻，其它的所有的時(shí)隙都參加跳頻。

射頻跳頻就是同一個(gè)小區(qū)內(nèi)，在通話建立后，除主頻點(diǎn)不參與跳頻外，其他這個(gè)小區(qū)內(nèi)所有載頻頻點(diǎn)參與跳頻；

基帶調(diào)頻同上，除主BCCH載頻的0時(shí)隙不參與跳頻外，其他該小區(qū)內(nèi)所有載頻時(shí)隙參與跳頻

區(qū)別就是一個(gè)在頻點(diǎn)上，一個(gè)是在基帶上

現(xiàn)在諾西的2G  BTS 只有小配置基站使用DVGA合路器才同時(shí)支持射頻跳頻與基帶調(diào)頻，其他稍大配置點(diǎn)的都用RTGA合路器只能基帶跳頻

兩者的區(qū)別是：
1） 基帶跳頻采用的腔體合成器衰耗小，而射頻跳頻采用的混合合成器的衰耗大，對基站覆蓋范圍有一定影響;
2） 腔體合成器對頻段的要求不如混合合成器靈活，混合合成器的發(fā)信機(jī)可以使用一組頻率，而腔體合成器的發(fā)信機(jī)僅能使用固定的頻率發(fā)射;
3）射頻跳頻比基帶跳頻具有更高的性能改善和抗同頻干擾能力，但其缺點(diǎn)是只有當(dāng)每小區(qū)擁有4個(gè)頻率以上時(shí)效果比較明顯；混合合成器要求網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)中各基站必須保持同步，對基站設(shè)備性能要求較高。
BTS側(cè)：
對于基帶跳頻，小區(qū)內(nèi)每個(gè)TRX的頻率固定，但是用戶基帶信號在不同時(shí)間按一定的規(guī)律來變化頻率發(fā)射。
對于射頻跳頻，小區(qū)內(nèi)除了BCCH以外的TRX頻率隨時(shí)間變化，但是用戶基帶信號送到固定的TRX上。

MS側(cè)：

手機(jī)只有射頻跳頻，因?yàn)樗�只有一個(gè)接收機(jī)。

合成器跳頻就是射頻跳頻。