關(guān)于小區(qū)個(gè)性偏移（CIO）的一點(diǎn)資料
最近在TD網(wǎng)優(yōu)的時(shí)候碰到CIO這個(gè)參數(shù)，不甚了解，發(fā)現(xiàn)論壇里也沒(méi)關(guān)于這個(gè)參數(shù)的帖子，經(jīng)多方求教，找到了以下的資料，分享給大家參考，廢話少說(shuō)，馬上進(jìn)入正題:
參數(shù)名稱
CellIndOffset
取值范圍
-20~20（中興參數(shù)的取值范圍為-10~10）
物理單位
dB
調(diào)整步長(zhǎng)
0.5
缺省值
0
傳送途徑
RNC->UE
作用范圍
CELL
參數(shù)出處
3GPP
設(shè)置途徑

OMCR設(shè)置界面：NodeB小區(qū)配置>>服務(wù)小區(qū)其他參數(shù)信息>>小區(qū)個(gè)體偏移
參數(shù)功能描述:
對(duì)每個(gè)被監(jiān)視的小區(qū)，都用帶內(nèi)信令分配一個(gè)偏移。偏移可正可負(fù)。在UE評(píng)估是否一個(gè)事件已經(jīng)發(fā)生之前，應(yīng)將偏移加入到測(cè)量中，從而影響測(cè)量報(bào)告觸發(fā)的條件。通過(guò)應(yīng)用一個(gè)正的偏移，UE發(fā)送測(cè)量報(bào)告就如同P-CCPCH（TDD）比實(shí)際上要好xdB。相應(yīng)地,也可對(duì)P-CCPCH（TDD）使用一個(gè)負(fù)的偏移。此時(shí)P-CCPCH（TDD）的報(bào)告被限制。UE從MEASUREMENT CONTROL消息的測(cè)量對(duì)象的IE "Cell info"中得到P-CPICH（FDD）/P-CCPCH（TDD）的小區(qū)單獨(dú)偏移。對(duì)TD-SCDMA系統(tǒng)中，一個(gè)偏移加到P-CCPCH 2上，點(diǎn)線被用來(lái)評(píng)估是否P-CCPCH 2 變得好于PCCPCH1（由UTRAN命令），如下圖: (圖插不進(jìn)來(lái))。
需要注意的是必須先偏移然后再觸發(fā)事件，即為了補(bǔ)償應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)和用于實(shí)際切換估計(jì)的偏移，UE應(yīng)在加上偏移之后評(píng)估是否需要發(fā)送一個(gè)測(cè)量報(bào)告。此外還需注意到，各個(gè)小區(qū)偏移并非用于所有的測(cè)量報(bào)告事件，并且在事件中并非以同一種方式進(jìn)行應(yīng)用。

參數(shù)調(diào)整影響：
利用本參數(shù)，運(yùn)營(yíng)商可以獲取一個(gè)手段，調(diào)整UE選擇的小區(qū)。例如當(dāng)一個(gè)小區(qū)由于街道拐角等原因，將存在一個(gè)質(zhì)量的突變，這樣就可以將小區(qū)的本參數(shù)設(shè)置為正值，增大UE選擇本小區(qū)的幾率。設(shè)置建議：一般不建議使用小區(qū)個(gè)性偏移；即使設(shè)置，偏移量不宜超過(guò)4dB。