【資料名稱】：關(guān)于NSEI與BVCI的理解

【資料作者】：ZYL

【資料日期】：2011

【資料語(yǔ)言】：中文

【資料格式】：DOC

【資料目錄和簡(jiǎn)介】：

GB口最底層是BC，即物理層，提供物理通道，一般一條BC即為一個(gè)PCM時(shí)隙，64Kb/S，我們?cè)谟?jì)算GB口容量，負(fù)荷的時(shí)候，就得計(jì)算BC的條數(shù)*64=GB口物理層的容量；
BC層上面是NS層，即數(shù)據(jù)鏈路層，在PCU和SGSN之間對(duì)等的NS層之間是通過NSVC標(biāo)識(shí)虛連接，至于具體某一條的虛連接，則是以DLCI來(lái)標(biāo)識(shí)，所以稱為虛連接，是因?yàn)镹S層之間的NSVC是通過幀中繼的形式映射到BC上的PCM物理時(shí)隙上的，即NS層之間的某一具體DLCI并不是通過固定的某一條BC搭建的連接（類似于交換BOSN一樣），比如某一條虛連接，在PCU側(cè)的DLCI標(biāo)識(shí)為100，可能到了SGSN后DLCI就變成了101了。NSE則是代表NS層整個(gè)實(shí)體，即把NS層的所有NSVC看做是一個(gè)整體，即以NSEI來(lái)標(biāo)識(shí)某一個(gè)NSE，因此為了便于管理，在PCU側(cè)的所有NSVC都?xì)w屬于一個(gè)NSE，即一個(gè)PCU就只能配置一個(gè)NSE，即使某個(gè)PCU下面小區(qū)流量很大，只需要增加NSE單板進(jìn)行擴(kuò)容即可。