【資料名稱】：BSC入門調(diào)整

【資料作者】：1

【資料日期】：2010-2-3

【資料語言】：中文

【資料格式】：DOC

【資料目錄和簡(jiǎn)介】：

日常監(jiān)控，值班需要調(diào)整的基本參數(shù)
小區(qū)功率調(diào)整(用于TCH擁塞調(diào)整)

RLCPP:CELL=XXX;
RLCPC:CELL=XXX,BSPWRB=XXX,BSPWRT=XXX;(BSPWRB與BSPWRT功率調(diào)整范圍39－47）
華為功率調(diào)整------對(duì)應(yīng)調(diào)整功率等級(jí)，范圍為0—7（0為47，1為45以此類推）
*縮小功率，減少小區(qū)覆蓋，減少占用機(jī)率
*增加功率，增大小區(qū)覆蓋，增大占用機(jī)率

小區(qū)選擇參數(shù)調(diào)整(用于TCH擁塞調(diào)整)

RLSBP:CELL=XXX;
RLSBC:CELL=XXX,CRO=XXX;(CRO范圍調(diào)整在0-10)
華為CRO調(diào)整------對(duì)應(yīng)調(diào)整小區(qū)重選偏移，調(diào)整范圍同愛立信
*縮小CRO，減少小區(qū)空閑覆蓋，減少待機(jī)時(shí)占用機(jī)率
*增加CRO，增大小區(qū)空閑覆蓋，增大待機(jī)時(shí)占用機(jī)率

小區(qū)重選參數(shù)調(diào)整(用于TCH擁塞調(diào)整,位置更新引起的SDCCH擁塞調(diào)整,)

RLSSP:CELL=XXX;
RLSSC:CELL=XXX,ACCMIN=XXX;(ACCMIN范圍調(diào)整90-104)
華為ACCMIN調(diào)整------對(duì)應(yīng)調(diào)整最小接入電平參數(shù)，調(diào)整范圍0-63（0對(duì)應(yīng)110，1對(duì)應(yīng)109以此類推）
RLSSC:CELL=XXX,CRH=XXX;(CRH范圍4－12）
華為CRH調(diào)整------對(duì)應(yīng)調(diào)整小區(qū)重選滯后參數(shù)，調(diào)整范圍同愛立信
*縮小CRH，小區(qū)重選幾率增大，增加位置更新機(jī)率，減少數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)占用幾率
*增加CRH，小區(qū)重選幾率減少，減少位置更新機(jī)率，增加數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)占用幾率


小區(qū)層參數(shù)調(diào)整(用于TCH擁塞調(diào)整)

RLLHP:CELL=XXX;
RLLHC:CELL=XXX,LAYER=XXX;(調(diào)整層參數(shù)，范圍1-3）
華為層參數(shù)調(diào)整------對(duì)應(yīng)調(diào)整小區(qū)所在層參數(shù)，調(diào)整范圍為
1～4分別對(duì)應(yīng)為：PICO層，MICRO層，MACRO層，UMBRELLA層。
PICO層為900M和1800M的微蜂窩層，主要滿足熱點(diǎn)和盲點(diǎn)地區(qū)的需求。
MICRO為主力的1800M層，解決頻率資源不足的問題，是將來雙頻用戶的主力小區(qū)層。
MACRO層為主力的900M層，吸收主要話務(wù)量。
UMBRELLA層為大覆蓋的900M層，實(shí)現(xiàn)高層覆蓋和快速移動(dòng)臺(tái)的接續(xù)。
*LAYER值越小優(yōu)先級(jí)越搞

RLLHC:CELL=XXX,LAYERTHR=XXX;(調(diào)整層間切換門限47-110）
華為層參數(shù)調(diào)整------對(duì)應(yīng)調(diào)整小區(qū)層間切換門限參數(shù)，調(diào)整范圍為0-63（對(duì)應(yīng)110-47）
*LAYERTHR值越小 ，切出速度越快，值越大，切出速度越慢
小區(qū)狀態(tài)調(diào)整（用于SDCCH接通低調(diào)整，SDCCH吊死處理）
RLSTP:CELL=XXX;
RLSTC:CELL=XXX,STATE=HALTED；(激活小區(qū))
RLSTC:CELL=XXX,STATE=ACTIVE；（屏蔽小區(qū)）
華為小區(qū)狀態(tài)調(diào)整------對(duì)應(yīng)配置小區(qū)激活狀態(tài)參數(shù)，調(diào)整為激活與未激活

測(cè)試需要調(diào)整的基本參數(shù)

小區(qū)頻點(diǎn)更改
RLCFP:CELL＝XXX;
RLCFE:CELL=XXX,DCHNO=XXX,CHGR=0/1/2;(刪除小區(qū)TCH頻點(diǎn)）
RLCFI:CELL=XXX,DCHNO=XXX,CHGR=0/1/2;(定義小區(qū)TCH頻點(diǎn)）

如要修改BCCH，盡量使用CNA操作
小區(qū)切換門限調(diào)整

RLNRP:CELL=XXX,CELLR=XXX;
RLNRC:CELL=XXX,CELLR=XXX,KHYST=XXX;（KHYST切換遲滯，調(diào)整步長2）

*調(diào)整值越小，切換越快，值越大，切換越慢

RLNRC:CELL=XXX,CELLR=XXX,KOFFSETP=XXX/KOFFSETN=XXX;(KOFFSETP正偏致/KOFFSETN反偏致）
*KOFFSETP調(diào)整值越大，CELL正向偏置越大，越慢切向CELLR
*KOFFSETN調(diào)整值越大，CELLR正向偏置越大，越慢切向CELL
小區(qū)功率調(diào)整
RLCPP:CELL=XXX;
RLCPC:CELL=XXX,BSPWRB=XXX,BSPWRT=XXX;(BSPWRB與BSPWRT功率調(diào)整范圍39－47）
LOCTING 功率參數(shù)
RLLOP:CELL=XXX;
RLLOC:CELL=XXX,BSPWR=XXX,BSTXPWR=XXX;(調(diào)整LOCTING時(shí)功率值，一般與RLCPC更改的值一致）
華為功率調(diào)整------對(duì)應(yīng)調(diào)整功率等級(jí)，范圍為0—7（0為47，1為45以此類推）華為調(diào)整功率不需調(diào)整LOCTING參數(shù)）
*縮小功率，減少小區(qū)覆蓋，減少占用機(jī)率
*增加功率，增大小區(qū)覆蓋，增大占用機(jī)率