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網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化工程師招聘專欄 4G/LTE通信工程師最新職位列表 通信實(shí)習(xí)生/應(yīng)屆生招聘職位

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前臺測試MOS值提升
huyao198576
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發(fā)表于 2012-06-25 09:19:24  只看樓主 
前臺測試MOS值提升有什么優(yōu)化思路?
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    w84317472
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    發(fā)表于 2012-06-25 10:19:51 
    語音編碼的方式、信號質(zhì)量、傳輸環(huán)節(jié)誤碼情況、切換頻繁度、不連續(xù)發(fā)送(DTX)、功率控制等,都會(huì)直接影響到MOS值。提升MOS值就從這些方面逐一優(yōu)化入手。
    MOS指標(biāo)提升主要從以下幾方面進(jìn)行優(yōu)化:
    語音編碼方式調(diào)整(半速率優(yōu)化)
    功率控制參數(shù)調(diào)整優(yōu)化
    不連續(xù)發(fā)送(DTX)參數(shù)優(yōu)化
    切換頻繁度控制優(yōu)化
    信號越區(qū)與過覆蓋優(yōu)化
    上下行鏈路不平衡
    語音編碼方式--如果無線環(huán)境相同,各語音編碼方案MOS的平均分值關(guān)系為:增強(qiáng)型全速率(EFR)>全速率(FR)> 半速率(HR),半速率的使用是影響MOS值的重要因素,半速率的合理控制及使用,對于MOS指標(biāo)的提升存在積極的影響。本次優(yōu)化主要針對冗余的SDCCH及TCHD信道,通過對這些冗余信道修改為TCHF來減少半速率的使用。
    信號越區(qū)與過覆蓋優(yōu)化--天線過覆蓋對于小區(qū)的上下行質(zhì)量、MOS值等指標(biāo)影響較大。為了改善道路覆蓋,提升上下行質(zhì)量及MOS值≥3的比例,需對網(wǎng)格內(nèi)的過覆蓋小區(qū)進(jìn)行天線調(diào)整;
    切換頻繁度控制優(yōu)化--通過對網(wǎng)絡(luò)中的切換成功率低小區(qū)進(jìn)行集中優(yōu)化,提升了網(wǎng)絡(luò)的切換成功率指標(biāo),減少了切換請求次數(shù),一定程度上提升了網(wǎng)絡(luò)的MOS值指標(biāo)。關(guān)閉了小區(qū)內(nèi)切換功能,DT測試中的切換次數(shù)明顯減少,提高M(jìn)OS值指標(biāo)
    不連續(xù)發(fā)送(DTX)參數(shù)優(yōu)化--啟DTX功能的好處是可以減少干擾和節(jié)省基站及手機(jī)MS的電量。但是用靜默來取代語音,也是一種失真,對于客戶感知有一定負(fù)面影響。所以現(xiàn)網(wǎng)中DTX一般設(shè)為1,為移動(dòng)臺必須使用DTX。
    功率控制參數(shù)調(diào)整優(yōu)化--功率控制參數(shù)的合理設(shè)置能夠有效降低因頻率復(fù)用過高帶來的網(wǎng)內(nèi)干擾,從而減少了一些因頻率干擾與電平原因造成的不必要切換。
    上下行鏈路不平衡--核查全網(wǎng)小區(qū)的鏈路平衡情況,避免由于硬件或參數(shù)問題造成鏈路不平衡,其中以直放站設(shè)備為重點(diǎn) 。
    質(zhì)差路段整治。
    總結(jié)下:
    制約MOS值提升主要有以下幾個(gè)方面:
    半速率的過多使用將影響MOS值,但并非決定性因素;
    差的無線環(huán)境將制約著MOS指標(biāo)的提升;
    切換過多將嚴(yán)重影響網(wǎng)絡(luò)MOS值,切換頻繁度的優(yōu)化可提升MOS值;
    不連續(xù)發(fā)射DTX功能可以降低網(wǎng)絡(luò)干擾,但同時(shí)對MOS值造成一定的影響。DTX功能可提高M(jìn)OS值。但會(huì)造成掉話數(shù)目的大幅攀升,使用時(shí)必須慎重選擇合適小區(qū),均衡考慮,如設(shè)為0,移動(dòng)臺可以使用DTX,不必要關(guān)閉該功能;
    過區(qū)覆蓋與越區(qū)覆蓋,一定程度上也制約MOS的提升;
    上下行鏈路不平衡對MOS指標(biāo)影響很大,尤其是直放站的干擾、泄露情況。

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