【資料名稱(chēng)】：mos指標(biāo)研究及分析

【資料作者】：AA

【資料日期】：2012-1-1

【資料語(yǔ)言】：中文

【資料格式】：ppt

【資料目錄和簡(jiǎn)介】：

本次MOS優(yōu)化優(yōu)化從DT測(cè)試入手、結(jié)合網(wǎng)管KPI、網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)分析等，從多角度深度分析路測(cè)中影響MOS值得分的各種因素：
1、半速率使用占比是基礎(chǔ)
2、切換優(yōu)化是根本
3、提升話音質(zhì)量是重要手段
針對(duì)各種影響因素通過(guò)優(yōu)化半速率占比、優(yōu)化相關(guān)切換參數(shù)、處理質(zhì)差路段等措施提升DT測(cè)試指標(biāo)，從參數(shù)優(yōu)化結(jié)果來(lái)看，MOS值和MOS值3.0以上占比提升效果非常明顯，MOS均值從優(yōu)化前3.28提升到3.75，提高了0.47，MOS值3.0以上占比從優(yōu)化前的84.63%提升到了91.29%，提高了6.66%,給用戶(hù)帶來(lái)了更好的語(yǔ)音通話感受。
由于專(zhuān)項(xiàng)工作時(shí)間限制，提升MOS的優(yōu)化手段還有很多值得深入研究，如AMR功能使用、TFO功能開(kāi)展以及下行功控的推廣，這需要大量的時(shí)間與精力進(jìn)行實(shí)地測(cè)試與分析，這需要我們?cè)谌粘５膬?yōu)化工作中進(jìn)一步研究。