2014年11月09日 09:12手機中國 我有話說(2,936人參與) 收藏本文
　　針對此前Business Korea報道的iPhone 6和iPhone Plus 128GB高容量版本出現(xiàn)宕機和循環(huán)重啟的問題，有消息人士稱，蘋果將會改用MLC(多階儲存單元)取代當前采用的TLC NAND Flash存儲單元。

　　該消息人士表示，這些出現(xiàn)問題的閃存歸結于蘋果在2011年收購的閃存公司Anobit。據稱，蘋果將讓64GB iPhone 6和128GB iPhone 6 Plus改用MLC NAND Flash存儲單元，同時將推出iOS 8.1.1來解決出現(xiàn)的循環(huán)重啟的問題。蘋果在之前的iPhone系列產品都使用的是MLC存儲單元。
　　據悉，蘋果為節(jié)省成本，在部分iPhone 6 Plus以及iPad產品采用了TLC NAND Flash存儲單元，相比SLC(單階儲存單元)與MLC(多階儲存單元)來說，儲存容量多但讀寫速度慢。
　　蘋果于本周早些時候向開發(fā)者推送了iOS 8.1.1 beta更新，盡管蘋果并未表明該款更新是否包括修復iPhone 6和iPhone Plus出現(xiàn)的宕機和循環(huán)重啟的問題。另外，如果你使用的iPhone 6和iPhone 6 Plus出現(xiàn)了多次宕機和循環(huán)重啟的問題，推薦去蘋果店進行更換。