2014年12月24日08:40中關(guān)村在線(xiàn)
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據(jù)外媒報(bào)道,三星電子日前宣布,已經(jīng)成功量產(chǎn)了全球第一個(gè)8Gb(1GB)容量的新一代LPDDR4移動(dòng)內(nèi)存顆粒,新一代LDDR4采用了三星最新的20nm制程工藝,節(jié)能方面比LPDDR3高出40%。
三星量產(chǎn)新代LPDDR4移動(dòng)內(nèi)存(圖片來(lái)自驅(qū)動(dòng)之家)
三星表示,LPDDR4內(nèi)存顆粒在去年就已經(jīng)量產(chǎn),不過(guò)當(dāng)時(shí)采用的是2xnm工藝,現(xiàn)在生產(chǎn)的8Gb(1GB)新代LPDDR4內(nèi)存顆粒采用的是20nm工 藝。這種新型顆粒的頻率達(dá)3200MHz,相比于2xnm 4Gb(512MB) LPDDR3內(nèi)存顆粒不僅容量翻了一番,性能也提高了一倍。
另外,由于LPDDR4內(nèi)存顆粒的電壓降至1.1V,側(cè)更為節(jié)能。同樣是2GB容量的芯片,LPDDR4封裝而來(lái)的就要比LPDDR3封裝而來(lái)的節(jié)能最多 40%。同時(shí)三星在提交的LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中,還納入了低電壓擺幅中斷邏輯(LVSTL) I/O界面技術(shù)。
三星稱(chēng),新一代LPDDR4移動(dòng)內(nèi)存顆粒還可以支持4K超高清視頻的錄制和播放,以及2000+萬(wàn)像素照片的連拍。目前三星已經(jīng)開(kāi)始出貨分別基于8Gb、4Gb顆粒的2GB、3GB LPDDR4內(nèi)存芯片,4GB LPDDR4則會(huì)在2015年初交付。
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