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發(fā)表于 2015-06-17 23:45:07  只看樓主 
【資料名稱】:切換流程

【資料作者】:學習

【資料日期】:5月2日

【資料語言】:中文

【資料格式】:DOC/DOCX

【資料目錄和簡介】:

測量過程主要包括以下三個步驟:
測量配置:由eNB通過RRCConnectionReconfigurtion消息攜帶的measConfig信元將測量配置消息通知給UE,即下發(fā)測量控制。
測量執(zhí)行:UE會對當前服務小區(qū)進行測量,并根據RRCConnectionReconfigurtion消息中的s-Measure信元來判斷是否需要執(zhí)行對相鄰小區(qū)的測量。

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2015-6-17 23:45:07  下載次數: 22
LTE測量與切換.doc (1.89 MB)
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    發(fā)表于 2016-10-18 17:01:51  只看樓主 
    VoLTE語音MOS優(yōu)化分析方法
    1、MOS差的問題點定位
    測試log單次通話連續(xù)兩個采樣點MOS值小于3的問題點定義為MOS差的問題點。
    注意事項:需剔除通話結束的最后一個采樣點與下次通話第一個采樣點的MOS值都小于3的問題點。
    2、MOS優(yōu)化分析方法
    由MOS采樣點機制可以看出,MOS采樣點收集的是采樣時間點前8秒的語音質量,所以在分析的時候,需著重分析MOS采樣時間前8秒UE本端的下行(包括:無線環(huán)境、語音編碼、抖動、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測量頻次等),以及對端的上行(包括:頻繁切換、RRC重建、異頻測量頻次等)。
    三、VoLTE語音MOS值的影響因素及優(yōu)化思路
    1、MOS值的影響因素
    MOS值的直接影響因素為:端到端時延、抖動、丟包;
    VoLTE端到端時延可以分解為:UE語音編/解碼時延、空口傳輸時延、核心網的處理時延、傳輸網的傳輸時延。丟包和抖動的影響因素包括:空口信號質量、eNB負載、傳輸網的丟包和抖動。
    故將以上因素分解后,MOS的影響因素包括:語音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負荷、基站故障、傳輸、核心網、測試終端、人為操作失誤等。
    2、MOS值的優(yōu)化思路
    結合以上影響因素和前期VoLTE拉網測試時遇到的MOS問題,共總結出四類問題點類型:無線問題、基站異常、測試規(guī)范和設備、核心網/傳輸。
    在分析MOS問題時,我們首先要考慮基站是否正常工作,其次考慮測試是否規(guī)范、測試設備是否正常,再次判斷是否為無線問題造成的,最后才考慮是否核心網及傳輸網引起的。
    因此我們在分析MOS問題時,應該按以下步驟進行MOS優(yōu)化:

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