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發(fā)表于 2015-06-17 23:45:07  只看樓主 
【資料名稱】:切換流程

【資料作者】:學(xué)習(xí)

【資料日期】:5月2日

【資料語言】:中文

【資料格式】:DOC/DOCX

【資料目錄和簡介】:

測量過程主要包括以下三個(gè)步驟:
測量配置:由eNB通過RRCConnectionReconfigurtion消息攜帶的measConfig信元將測量配置消息通知給UE,即下發(fā)測量控制。
測量執(zhí)行:UE會(huì)對(duì)當(dāng)前服務(wù)小區(qū)進(jìn)行測量,并根據(jù)RRCConnectionReconfigurtion消息中的s-Measure信元來判斷是否需要執(zhí)行對(duì)相鄰小區(qū)的測量。

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2015-6-17 23:45:07  下載次數(shù): 22
LTE測量與切換.doc (1.89 MB)
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    發(fā)表于 2016-10-18 17:01:51  只看樓主 
    VoLTE語音MOS優(yōu)化分析方法
    1、MOS差的問題點(diǎn)定位
    測試log單次通話連續(xù)兩個(gè)采樣點(diǎn)MOS值小于3的問題點(diǎn)定義為MOS差的問題點(diǎn)。
    注意事項(xiàng):需剔除通話結(jié)束的最后一個(gè)采樣點(diǎn)與下次通話第一個(gè)采樣點(diǎn)的MOS值都小于3的問題點(diǎn)。
    2、MOS優(yōu)化分析方法
    由MOS采樣點(diǎn)機(jī)制可以看出,MOS采樣點(diǎn)收集的是采樣時(shí)間點(diǎn)前8秒的語音質(zhì)量,所以在分析的時(shí)候,需著重分析MOS采樣時(shí)間前8秒U(xiǎn)E本端的下行(包括:無線環(huán)境、語音編碼、抖動(dòng)、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測量頻次等),以及對(duì)端的上行(包括:頻繁切換、RRC重建、異頻測量頻次等)。
    三、VoLTE語音MOS值的影響因素及優(yōu)化思路
    1、MOS值的影響因素
    MOS值的直接影響因素為:端到端時(shí)延、抖動(dòng)、丟包;
    VoLTE端到端時(shí)延可以分解為:UE語音編/解碼時(shí)延、空口傳輸時(shí)延、核心網(wǎng)的處理時(shí)延、傳輸網(wǎng)的傳輸時(shí)延。丟包和抖動(dòng)的影響因素包括:空口信號(hào)質(zhì)量、eNB負(fù)載、傳輸網(wǎng)的丟包和抖動(dòng)。
    故將以上因素分解后,MOS的影響因素包括:語音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負(fù)荷、基站故障、傳輸、核心網(wǎng)、測試終端、人為操作失誤等。
    2、MOS值的優(yōu)化思路
    結(jié)合以上影響因素和前期VoLTE拉網(wǎng)測試時(shí)遇到的MOS問題,共總結(jié)出四類問題點(diǎn)類型:無線問題、基站異常、測試規(guī)范和設(shè)備、核心網(wǎng)/傳輸。
    在分析MOS問題時(shí),我們首先要考慮基站是否正常工作,其次考慮測試是否規(guī)范、測試設(shè)備是否正常,再次判斷是否為無線問題造成的,最后才考慮是否核心網(wǎng)及傳輸網(wǎng)引起的。
    因此我們在分析MOS問題時(shí),應(yīng)該按以下步驟進(jìn)行MOS優(yōu)化:

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