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中芯國(guó)際推出28納米HKMG制程 與聯(lián)芯打造智能手機(jī)SoC芯片
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發(fā)表于 2016-02-18 08:50:38  只看樓主 




C114 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(簡(jiǎn)稱“中芯國(guó)際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所股票代碼:981),與大唐電信科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)旗下聯(lián)芯科技有限公司(簡(jiǎn)稱“聯(lián)芯科技”),近日共同宣布,中芯國(guó)際28納米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)制程已成功流片,基于此平臺(tái),聯(lián)芯科技推出適用于智能手機(jī)等領(lǐng)域的28納米SoC芯片,包括高性能應(yīng)用處理器和移動(dòng)基帶功能,目前已通過(guò)驗(yàn)證,準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)階段。


大唐電信科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)董事長(zhǎng)、總裁真才基與中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)博士使用中國(guó)品牌智能手機(jī),該手機(jī)搭載了聯(lián)芯科技28納米 4G SoC 芯片,該芯片基于中芯國(guó)際28納米HKMG技術(shù)平臺(tái)打造。


中芯國(guó)際是中國(guó)大陸首家能夠同時(shí)提供28納米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的晶圓代工企業(yè)。與傳統(tǒng)的PolySiON制程相比,中芯國(guó)際28納米HKMG技術(shù)將有效改善驅(qū)動(dòng)能力,進(jìn)而提升晶體管的性能,同時(shí)大幅降低柵極漏電量;谥行緡(guó)際28納米HKMG制程平臺(tái),聯(lián)芯科技推出的智能手機(jī)SoC芯片擁有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗,CPU主頻達(dá)1.6GHz。延續(xù)聯(lián)芯科技在4G移動(dòng)通信市場(chǎng)的佳績(jī),該芯片的面世將推動(dòng)搭載“中國(guó)芯”的智能手機(jī)進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)份額。


中芯國(guó)際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云表示,“很高興能與聯(lián)芯科技在28納米HKMG平臺(tái)進(jìn)行合作,共同打造先進(jìn)的智能手機(jī)SoC芯片。繼采用中芯國(guó)際28納米PolySiON制程的芯片加載主流智能手機(jī)后,我們的28納米HKMG工藝也獲得了終端客戶的認(rèn)可,商用在即。我們還將持續(xù)進(jìn)行28納米技術(shù)平臺(tái)的開(kāi)發(fā)及改善,預(yù)計(jì)將在2016年底推出基于HKMG制程的緊湊加強(qiáng)型版本,為客戶提供更多優(yōu)化的制程選擇!


聯(lián)芯科技總經(jīng)理錢國(guó)良表示,“聯(lián)芯科技始終致力于3G/4G移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)終端核心技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用,并堅(jiān)持與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴一起緊密協(xié)作,打造品質(zhì)一流的芯片產(chǎn)品。此次與中芯國(guó)際在28納米HKMG領(lǐng)域的合作,可謂產(chǎn)業(yè)協(xié)同,強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,將有力地推動(dòng)國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)的發(fā)展。同時(shí),此舉將直接幫助聯(lián)芯科技的芯片產(chǎn)品進(jìn)一步提升性價(jià)比,服務(wù)于智能手機(jī)、智能汽車,以及機(jī)器人等領(lǐng)域,服務(wù)‘中國(guó)制造2025’。未來(lái),我們還將與中芯國(guó)際繼續(xù)強(qiáng)化合作,在更先進(jìn)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上共同開(kāi)發(fā)高性能的芯片產(chǎn)品!



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