VoLTE語(yǔ)音MOS優(yōu)化分析方法

1、MOS差的問(wèn)題點(diǎn)定位

測(cè)試log單次通話連續(xù)兩個(gè)采樣點(diǎn)MOS值小于3的問(wèn)題點(diǎn)定義為MOS差的問(wèn)題點(diǎn)。

注意事項(xiàng)：需剔除通話結(jié)束的最后一個(gè)采樣點(diǎn)與下次通話第一個(gè)采樣點(diǎn)的MOS值都小于3的問(wèn)題點(diǎn)。

2、MOS優(yōu)化分析方法

由MOS采樣點(diǎn)機(jī)制可以看出，MOS采樣點(diǎn)收集的是采樣時(shí)間點(diǎn)前8秒的語(yǔ)音質(zhì)量，所以在分析的時(shí)候，需著重分析MOS采樣時(shí)間前8秒U(xiǎn)E本端的下行（包括：無(wú)線環(huán)境、語(yǔ)音編碼、抖動(dòng)、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等），以及對(duì)端的上行（包括：頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等）。

三、VoLTE語(yǔ)音MOS值的影響因素及優(yōu)化思路

1、MOS值的影響因素

MOS值的直接影響因素為：端到端時(shí)延、抖動(dòng)、丟包；

VoLTE端到端時(shí)延可以分解為：UE語(yǔ)音編/解碼時(shí)延、空口傳輸時(shí)延、核心網(wǎng)的處理時(shí)延、傳輸網(wǎng)的傳輸時(shí)延。丟包和抖動(dòng)的影響因素包括：空口信號(hào)質(zhì)量、eNB負(fù)載、傳輸網(wǎng)的丟包和抖動(dòng)。

故將以上因素分解后，MOS的影響因素包括：語(yǔ)音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負(fù)荷、基站故障、傳輸、核心網(wǎng)、測(cè)試終端、人為操作失誤等。

2、MOS值的優(yōu)化思路

結(jié)合以上影響因素和前期VoLTE拉網(wǎng)測(cè)試時(shí)遇到的MOS問(wèn)題，共總結(jié)出四類問(wèn)題點(diǎn)類型：無(wú)線問(wèn)題、基站異常、測(cè)試規(guī)范和設(shè)備、核心網(wǎng)/傳輸。

在分析MOS問(wèn)題時(shí)，我們首先要考慮基站是否正常工作，其次考慮測(cè)試是否規(guī)范、測(cè)試設(shè)備是否正常，再次判斷是否為無(wú)線問(wèn)題造成的，最后才考慮是否核心網(wǎng)及傳輸網(wǎng)引起的。

因此我們?cè)诜治鯩OS問(wèn)題時(shí)，應(yīng)該按以下步驟進(jìn)行MOS優(yōu)化：

VOLTEmos分析.docx