11月1日消息，據(jù)半導體行業(yè)人士透露，三星電子存儲業(yè)務(wù)部門計劃將于明年下半年生產(chǎn)15nm和16nm DRAM（DRAM即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存），被稱之為1ynm工藝。

　　傳三星將于明年量產(chǎn)15nm DRAM內(nèi)存

　　據(jù)悉，三星今年初量產(chǎn)了18nm DRAM，目前正在極力擴大產(chǎn)能，計劃到明年下半年在DRAM總產(chǎn)能中占到30-40%。全球市場研究機構(gòu)集邦科技旗下的DRAMExchange估計，三星18nm DRAM目前已經(jīng)占到DRAM總產(chǎn)能的12%，而20nm DRAM的比例高達82%。

　　早在去年三星DS事業(yè)部執(zhí)行副總裁就曾暗示，三星將在2020年大量生產(chǎn)10nm芯片技術(shù)，而隨著目前的研發(fā)進度，最快2019年就能實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　由于擁有先進的工藝技術(shù)，三星電子在全球DRAM市場占據(jù)絕對優(yōu)勢的地位。市場研究機構(gòu)IHS的數(shù)據(jù)顯示，三星在今年第二季度就已擁有DRAM市場46.6%的份額。目前的情況是，其競爭對手SK海力士和美光的主要產(chǎn)品還是20nm級DRAM芯片，它們明年第二季度之后才能生產(chǎn)18nm DRAM。行業(yè)人士認為，其他對手和三星之間有著一年半的差距。