1．試驗(yàn)背景

根據(jù)VoLTE網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量提升百日會(huì)戰(zhàn)的要求，為提升VoLTE語(yǔ)音DT測(cè)試指標(biāo)，提升用戶感知，對(duì)可能提升測(cè)試指標(biāo)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行分析研究，找出適合于網(wǎng)絡(luò)需求的參數(shù)值，提升DT測(cè)試中各項(xiàng)指標(biāo)。

目前的集團(tuán)的考核要求為：

此次參數(shù)試驗(yàn)主要是針對(duì)VoLTE語(yǔ)音DT測(cè)試指標(biāo)中的MOS相關(guān)的參數(shù)cellSrPeriod和drxProfile2drxLongCycle。

2. 參數(shù)試驗(yàn)內(nèi)容及要求

2.1參數(shù)介紹和試驗(yàn)方案

本次主要針對(duì)VoLTE業(yè)務(wù)專載QCI1的Drx相關(guān)參數(shù)、SR調(diào)度周期等參數(shù)進(jìn)行組合試驗(yàn)驗(yàn)證。

修改參數(shù)如下：

驗(yàn)證參數(shù)配置如下：

2.2測(cè)試路線及測(cè)試規(guī)范

根據(jù)地市優(yōu)化人員意見，選取平頂山如下區(qū)域進(jìn)行參數(shù)修改試驗(yàn)。

驗(yàn)證區(qū)域道路共涉及小區(qū)51個(gè)，D頻段13個(gè)，F(xiàn)頻段38個(gè)。

測(cè)試規(guī)范及要求：VoLTE測(cè)試，每次通話時(shí)長(zhǎng)180秒，呼叫間隔30秒，分析不同參數(shù)下的指標(biāo)情況。

3. 參數(shù)試驗(yàn)結(jié)果

3.1 cellSrPeriod參數(shù)試驗(yàn)

現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2LongCycle主要為40ms，本次選取drxProfile2LongCycle為40ms的配置1、4、7和現(xiàn)網(wǎng)配置的測(cè)試情況進(jìn)行對(duì)比分析，三次參數(shù)配置如下：

Ø Volte業(yè)務(wù)測(cè)試指標(biāo)

測(cè)試配置1的抖動(dòng)比現(xiàn)網(wǎng)配置增長(zhǎng)的原因是：配置1有一次掉話，掉話原因是：衛(wèi)東區(qū)敬老院-L1越區(qū)覆蓋導(dǎo)致和安培中心-L1模3干擾，質(zhì)差掉話。

說(shuō)明：橫軸括號(hào)中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗(yàn)值

測(cè)試對(duì)比結(jié)論：

1. MOS3.0占比提升效果明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測(cè)試MOS3.0占比為68%，cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測(cè)試MOS3.0占比為77.50%，cellSrPeriod配置4為20ms時(shí)測(cè)試MOS3.0占比為84.85%，cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測(cè)試MOS3.0占比為100%；相對(duì)現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了9.50%，16.85%，32.00%；

1. RTP丟包率提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測(cè)試RTP丟包率為3.09，cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測(cè)試RTP丟包率為2.06，cellSrPeriod配置4為20ms時(shí)測(cè)試RTP丟包率為0.25，cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測(cè)試RTP丟包率為0.13；相對(duì)現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了1.03，2.85，2.96；

2. 呼叫建立時(shí)延提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測(cè)試呼叫建立時(shí)延為3.92，cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測(cè)試呼叫建立時(shí)延為3.01，cellSrPeriod配置4為20ms時(shí)測(cè)試呼叫建立時(shí)延為2.85，cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測(cè)試呼叫建立時(shí)延為2.61；相對(duì)現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了0.91，1.07，1.31；

3. RTP抖動(dòng)提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測(cè)試RTP抖動(dòng)為19.64，cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測(cè)試RTP抖動(dòng)為21.64(受掉話影響出現(xiàn)波動(dòng)劣化)，cellSrPeriod配置4為20ms時(shí)測(cè)試RTP抖動(dòng)為13.75，cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測(cè)試RTP抖動(dòng)為8.73；

4. 其他指標(biāo)正常無(wú)明顯異常變化：因無(wú)eSRVCC切換，eSRVCC切換成功率指標(biāo)不做列述。其他注冊(cè)成功率、覆蓋率、平均RSRP、接通率等指標(biāo)變化不大，都在正常范圍內(nèi)波動(dòng)；

5. cellSrPeriod調(diào)整建議：從驗(yàn)證對(duì)比統(tǒng)計(jì)看，cellSrPeriod調(diào)度周期越小MOS/RTP丟包/抖動(dòng)等指標(biāo)越好，但隨著網(wǎng)絡(luò)用戶的不斷增多對(duì)用戶調(diào)度會(huì)有一定影響，因此cellSrPeriod參數(shù)建議調(diào)整設(shè)置為20ms。

3.2 drxProfile2drxLongCycle參數(shù)試驗(yàn)

本次選取cellSrPeriod參數(shù)試驗(yàn)設(shè)置為20ms時(shí)的Drx參數(shù)按配置4、5和6進(jìn)行對(duì)比分析，三次參數(shù)配置如下：

Ø Volte業(yè)務(wù)測(cè)試指標(biāo)

本次測(cè)試配置5出現(xiàn)正常的波動(dòng)，導(dǎo)致丟包率和RTP抖動(dòng)比配置4有所劣化。

說(shuō)明：橫軸括號(hào)中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗(yàn)值

測(cè)試對(duì)比結(jié)論：

1. MOS3.0占比/MOS均值提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2drxLongCycle配置4為40ms測(cè)試MOS3.0占比為84.85%/MOS均值為3.57，drxProfile2drxLongCycle配置5為20ms測(cè)試MOS3.0占比為96.03%/MOS均值為3.85，drxProfile2drxLongCycle配置6為關(guān)閉drx測(cè)試MOS3.0占比為99.28%/MOS均值為3.99；

2. RTP丟包率/RTP抖動(dòng)略有波動(dòng)效果不明顯：現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2drxLongCycle配置4為40ms測(cè)試RTP丟包率為0.25%/RTP抖動(dòng)為13.75，drxProfile2drxLongCycle配置5為20ms測(cè)試RTP丟包率為0.34%/RTP抖動(dòng)為15.22，drxProfile2drxLongCycle配置6為關(guān)閉drx測(cè)試RTP丟包率為0.09%/RTP抖動(dòng)為10.02；

3. 其他指標(biāo)正常無(wú)明顯異常變化：其他注冊(cè)成功率、覆蓋率、平均RSRP、接通率等指標(biāo)變化不大，都在正常范圍內(nèi)波動(dòng)；

1. drxProfile2drxLongCycle調(diào)整建議：從對(duì)比統(tǒng)計(jì)看，drxProfile2drxLongCycle越小MOS等指標(biāo)越好，但關(guān)閉drx會(huì)導(dǎo)致UE終端的耗電量增加，因此drxProfile2drxLongCycle參數(shù)建議調(diào)整設(shè)置為20ms。

3.3參數(shù)組合指標(biāo)情況

對(duì)本次修改的參數(shù)組合進(jìn)行總體的指標(biāo)對(duì)比，指標(biāo)如下：

下面按照cellSrPeriod參數(shù)的設(shè)置劃分為4個(gè)區(qū)間，區(qū)間內(nèi)cellSrPeriod參數(shù)一致，drxProfile2/drxLongCycle參數(shù)分別為40,20和關(guān)閉，橫軸括號(hào)中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的值，對(duì)比分析如下：

………………（篇幅有限，更多請(qǐng)關(guān)注小編微信telecomhr007）

VOLTE-MOS質(zhì)量提升.pdf