1 LTE下行物理層原理與概述

1.1 幀結(jié)構(gòu)

Ø FDD

Ø FDD LTE上下行均采用簡(jiǎn)單的等長(zhǎng)時(shí)隙幀結(jié)構(gòu)，上行為DFT-S-OFDM符號(hào)，下行為OFDM符號(hào)；

Ø LTE沿用UMTS一直采用的10ms無(wú)線幀長(zhǎng)度；

Ø 時(shí)隙劃分：LTE在數(shù)據(jù)延遲方面提出高要求（單向延遲小于5ms），因此系統(tǒng)必須采用很小的發(fā)送時(shí)間間隔（TTI），最小的TTI通常等于子幀的長(zhǎng)度。

1. 早期：考慮TTI = 0.5ms

弊端：過(guò)小的TTI雖然可以支持非常靈活的調(diào)度和很小的傳輸延遲，卻會(huì)帶來(lái)過(guò)大的調(diào)度信令開(kāi)銷，反而造成系統(tǒng)頻譜效率下降；

2. 現(xiàn)在：TTI = 1 ms = 2 slots

Ø TDD

LTE TDD幀結(jié)構(gòu)是基于TD-SCDMA結(jié)構(gòu)修改而成的，保留了原幀結(jié)構(gòu)中的特殊時(shí)隙：下行導(dǎo)頻時(shí)隙（DwPTS）、保護(hù)間隔（GP）和上行導(dǎo)頻時(shí)隙（UpPTS），同時(shí)采用了統(tǒng)一的1ms子幀長(zhǎng)度。

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