LTE

中

RRC

、

E-RAB

建立失敗原因

以下是華為

RRC

建立失敗原因及處理思路

:  

①對(duì)小區(qū)

RRC

建立失敗次數(shù)：

□ 

資源分配失敗而導(dǎo)致

RRC

連接建立失敗的次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526727083

；重點(diǎn)關(guān)注

top

資源是否足夠，包括

top

用戶數(shù)，傳輸、

PRB

等；

□ UE

無(wú)應(yīng)答而導(dǎo)致

RRC

連接建立失敗的次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526727084

；關(guān)注質(zhì)差、干擾、

無(wú)線環(huán)境等；

□ 

小區(qū)發(fā)送

RRC Connection Reject

消息次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526728269

；關(guān)注傳輸問(wèn)題、是

否擁塞、干擾；

□ 

因?yàn)?/p>

SRS

資源分配失敗而導(dǎo)致

RRC

連接建立失敗的次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526728485

；重

點(diǎn)關(guān)注

SRS

帶寬、配置指示、配置方式、

SRS ACK/NACK

設(shè)置是否合理等；

□

因?yàn)?/p>

PUCCH

資源分配失敗而導(dǎo)致

RRC

連接建立失敗的次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526728486

；

關(guān)注

PUCCH

信道相關(guān)參數(shù)設(shè)置是否合理，

CQI RB

數(shù)配置是否合理等；

□

流控導(dǎo)致的

RRC Connection Request 

消息丟棄次數(shù)，

指標(biāo)

ID

：

1526728489

；

關(guān)注擁塞，

業(yè)務(wù)流控相關(guān)參數(shù)是否設(shè)置正確等；

□

流控導(dǎo)致的發(fā)送

RRC Connection Reject

消息次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526728490

；關(guān)注擁塞，

業(yè)務(wù)流控相關(guān)參數(shù)是否設(shè)置正確等；

②對(duì)小區(qū)

E-RAB

建立失敗次數(shù)：

□

因未收到

UE

響應(yīng)而導(dǎo)致

E-RAB

建立失敗的次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526726717

；處理建議：需

排查覆蓋，干擾，質(zhì)差，

ENODEB

參數(shù)設(shè)置錯(cuò)誤，終端及用戶行為異常等原因。

□

核心網(wǎng)問(wèn)題導(dǎo)致

E-RAB

建立失敗次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526728276

；處理建議：需跟蹤信令，

排查核心網(wǎng)問(wèn)題（

EPC

參數(shù)設(shè)置

,TAC

碼設(shè)置的一致性，對(duì)用戶開(kāi)卡限制，硬件故障方面排

查）

；

□

傳輸層問(wèn)題導(dǎo)致

E-RAB

建立失敗次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526728277

；處理建議：需查詢傳輸是

否有故障，高誤碼，閃斷，傳輸側(cè)參數(shù)設(shè)置問(wèn)題。

□

無(wú)線層問(wèn)題導(dǎo)致

E-RAB

建立失敗次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526728278

；處理建議：處理建議：需

排查覆蓋，干擾，質(zhì)差，

ENODEB

參數(shù)設(shè)置錯(cuò)誤，終端及用戶行為異常等原因。

□

無(wú)線資源不足導(dǎo)致

E-RAB

建立失敗次數(shù)，指標(biāo)

ID

：

1526728279

；處理建議：排查

TOP

小區(qū)資源是否足夠，是否故障引起，若存在資源不足問(wèn)題，可考慮參數(shù)調(diào)整，流量均衡（小

區(qū)選擇，重選和切換類參數(shù)）

；

2

、結(jié)合現(xiàn)場(chǎng)調(diào)整天饋，流量均衡；

無(wú)線系統(tǒng)中的上行功控是非常重要的，通過(guò)上行功控，可以使得小區(qū)中的移動(dòng)臺(tái)既保證上行發(fā)送數(shù)據(jù)的質(zhì)量，又盡可能地減少對(duì)系統(tǒng)和其他用戶的干擾，延長(zhǎng)移動(dòng)臺(tái)電池的使用時(shí)間。

LTE中，同小區(qū)內(nèi)不同用戶之間的上行數(shù)據(jù)，設(shè)計(jì)成相互正交的。因此同WCDMA相比，小區(qū)內(nèi)上行干擾的管理就相對(duì)容易得多，LTE中的上行功率控制是慢速而非WCDMA中的快速功率控制。LTE通過(guò)功率控制，主要用來(lái)使得上行傳輸適應(yīng)不同的無(wú)線傳輸環(huán)境，包括路損，陰影，快數(shù)衰落，小區(qū)內(nèi)及小區(qū)間其他用戶的干擾等。LTE中，上行功率控制使得對(duì)于相同的MCS（Modulation And Coding Scheme），不同UE到達(dá)eNodeB的功率譜密度（Power Spectral Density， PSD 亦即單位帶寬上的功率）大致相等。eNodeB為不同的UE分配不同的發(fā)送帶寬和調(diào)制編碼機(jī)制MCS，使得不同條件下的UE獲得相應(yīng)不同的上行發(fā)射速率。

LTE功率控制的對(duì)象包括PUCCH，PUSCH，SRS等。雖然這些上行信號(hào)的數(shù)據(jù)速率和重要性各自不同，其具體功控方法和參數(shù)也不盡相同。但其原理都是基本相同的，可以歸納為（對(duì)于上行接入的功控如RA preamble， RA Msg3會(huì)有所區(qū)別，會(huì)在相應(yīng)接入部分加以描述）：

UE發(fā)射的功率譜密度（即每RB上的功率） ＝ 開(kāi)環(huán)工控點(diǎn) ＋ 動(dòng)態(tài)的功率偏移。

其中開(kāi)環(huán)工控點(diǎn)＝ 標(biāo)稱功率 P0 ＋ 開(kāi)環(huán)的路損補(bǔ)償α×（PL）。

標(biāo)稱功率P0又分為小區(qū)標(biāo)稱功率和UE特定的標(biāo)稱功率兩部分。eNodeB為小區(qū)內(nèi)的所有UE半靜態(tài)地設(shè)定一標(biāo)稱功率P0_PUSCH和P0_PUCCH，該值通過(guò)SIB2系統(tǒng)消息（UplinkPowerControlCommon: p0-NominalPUSCH, p0-NominalPUCCH）廣播；P0_PUSCH的取值范圍是－126dBm 到 ＋24 dBm （均指每RB而言）。P0_PUCCH的取值范圍是－126 dBm到－96 dBm。

...........篇幅有限，更多精彩請(qǐng)關(guān)注下方

LTE上行功控介紹.pdf