隨著Galaxy S8/S8+的發(fā)布，次世代移動(dòng)平臺(tái)驍龍835、Exynos8895正式面世，并將10納米工藝節(jié)點(diǎn)推向大規(guī)模商用。別急好事多磨——遲到的Intel表示有些不服氣了。

　　日前，Intel在舊金山舉辦了“技術(shù)與制造日”活動(dòng)，主管制造、運(yùn)營(yíng)和銷(xiāo)售的執(zhí)行副總裁Stacy Smith重申“摩爾定律不死”。根據(jù)Intel的工藝路線(xiàn)圖，14納米之后就是10納米節(jié)點(diǎn)，包括10nm、10nm+、10nm++三個(gè)小迭代。接著轉(zhuǎn)向7納米節(jié)點(diǎn)，并且5納米制程可以期待了。

　　老司機(jī)Inte苦口婆心地批評(píng)臺(tái)積電、三星的工藝數(shù)字經(jīng)過(guò)“美化”，掩蓋了柵極間距、晶體管密度等關(guān)鍵指標(biāo)，自家14納米工藝足以匹敵友商最新的10納米工藝。

　　14納米FinFET工藝下，三星柵極、鰭的間距為84/78納米、78納米，大于Intel的70納米、64納米；10FinFET納米工藝下，三星柵極間距為64納米，大于Intel的54納米。

　　而Intel姍姍來(lái)遲的10納米工藝，其晶體管密度將是14納米的2.7倍，制造成本比友商少30%。

　　　　“Intel，你家的10納米制程又遲到了哦�！薄　�

　　“我們是業(yè)界最好的，管用三年！”