VoLTE語(yǔ)音MOS采樣機(jī)制如下：

（1）主叫起呼，進(jìn)行錄音（8s左右）；

（2）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s）；

（3）主叫放音，被叫收音，主叫記錄第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s）；

（4）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s，與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s）；

（5）主叫放音，被叫收音，主叫記錄第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s，與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s）；

（6）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第3個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s），如此類推……

二、VoLTE語(yǔ)音MOS優(yōu)化分析方法

1、MOS差的問(wèn)題點(diǎn)定位

測(cè)試log單次通話連續(xù)兩個(gè)采樣點(diǎn)MOS值小于3的問(wèn)題點(diǎn)定義為MOS差的問(wèn)題點(diǎn)。

注意事項(xiàng)：需剔除通話結(jié)束的最后一個(gè)采樣點(diǎn)與下次通話第一個(gè)采樣點(diǎn)的MOS值都小于3的問(wèn)題點(diǎn)。

2、MOS優(yōu)化分析方法

    由MOS采樣點(diǎn)機(jī)制可以看出，MOS采樣點(diǎn)收集的是采樣時(shí)間點(diǎn)前8秒的語(yǔ)音質(zhì)量，所以在分析的時(shí)候，需著重分析MOS采樣時(shí)間前8秒UE本端的下行（包括：無(wú)線環(huán)境、語(yǔ)音編碼、抖動(dòng)、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等），以及對(duì)端的上行（包括：頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等）。

三、VoLTE語(yǔ)音MOS值的影響因素及優(yōu)化思路

1、MOS值的影響因素

MOS值的直接影響因素為：端到端時(shí)延、抖動(dòng)、丟包；

VoLTE端到端時(shí)延可以分解為：UE語(yǔ)音編/解碼時(shí)延、空口傳輸時(shí)延、核心網(wǎng)的處理時(shí)延、傳輸網(wǎng)的傳輸時(shí)延。

丟包和抖動(dòng)的影響因素包括：空口信號(hào)質(zhì)量、eNB負(fù)載、傳輸網(wǎng)的丟包和抖動(dòng)。

故將以上因素分解后，MOS的影響因素包括：語(yǔ)音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負(fù)荷、基站故障、傳輸、核心網(wǎng)、測(cè)試終端、人為操作失誤等。

2、MOS值的優(yōu)化思路

結(jié)合以上影響因素和前期VoLTE拉網(wǎng)測(cè)試時(shí)遇到的MOS問(wèn)題，共總結(jié)出四類問(wèn)題點(diǎn)類型：無(wú)線問(wèn)題、基站異常、測(cè)試規(guī)范和設(shè)備、核心網(wǎng)/傳輸。

在分析MOS問(wèn)題時(shí)，我們首先要考慮基站是否正常工作，其次考慮測(cè)試是否規(guī)范、測(cè)試設(shè)備是否正常，再次判斷是否為無(wú)線問(wèn)題造成的，最后才考慮是否核心網(wǎng)及傳輸網(wǎng)引起的。

因此我們?cè)诜治?/span>MOS問(wèn)題時(shí)，應(yīng)該按以下步驟進(jìn)行MOS優(yōu)化：

（1）基站問(wèn)題：

         是指問(wèn)題路段中心經(jīng)緯度150米以內(nèi)的基站及主瓣65度范圍的小區(qū)，若存在基站負(fù)荷過(guò)大、影響業(yè)務(wù)的告警、斷站等問(wèn)題，必將影響MOS值。處理方法：在測(cè)試前確�；�站正常工作。

案例1：基站故障導(dǎo)致MOS值低

問(wèn)題描述：車輛由南向北行駛至清風(fēng)路與兩河大道交叉路口，UE占用金牛清淳一街-SCDHLS3HM3JN-D2的信號(hào)，無(wú)線環(huán)境RSRP為-116.81dbm,SINR為-2.5，MOS值1.14，經(jīng)測(cè)試數(shù)據(jù)分析，發(fā)現(xiàn)UE未能收到距離清風(fēng)路與兩河大道交叉路口50米的華力汽車公司車隊(duì)-SCDHLD3HM2GX站點(diǎn)信號(hào)，經(jīng)查詢告警得知，發(fā)現(xiàn)該站點(diǎn)網(wǎng)元斷鏈，因而導(dǎo)致該路段出現(xiàn)弱覆蓋現(xiàn)象，最終導(dǎo)致MOS值差。

處理建議：建議處理華力汽車公司車隊(duì)-SCDHLD3HM2GX站點(diǎn)故障。

案例2：基站負(fù)荷過(guò)大，導(dǎo)致MOS值低

問(wèn)題描述：無(wú)線環(huán)境較好（RSRP為-95dBm左右，SINR為10左右），無(wú)頻繁切換；但MOS打點(diǎn)前8s主被叫占用電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5，抖動(dòng)和丟包均比較異常（RTP Jitter為992ms，RTP Loss Rate為3.99%），后臺(tái)查詢電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5問(wèn)題發(fā)生時(shí)間點(diǎn)15分鐘粒度的上行PRB峰值利用率為65.145%，上行PRB平均利用率為45.949%，初步判斷為基站負(fù)荷過(guò)大導(dǎo)致調(diào)度不及時(shí)，從而影響了MOS值。

處理建議：解決電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5負(fù)荷過(guò)大的問(wèn)題。