100G光模塊封裝可分為CFP、CFP2、CFP4，并且100G 系列光模塊按照傳輸距離又可分為100GBase-SR10、100GBase-LR4/ER4,所有光模塊傳輸距離是由光輸出信號的OSNR容限、色散容限決定的，通俗的講，即由激光器及其驅(qū)動器性能決定。

目前，主流市場上實現(xiàn)100G-LR4傳輸?shù)墓庹{(diào)制方式有兩種，一種為DML(Directly Modulated Laser)調(diào)制方式，即直接調(diào)制激光器，一種為EML(Electlro-absorption Modulated)調(diào)制方式，即電吸收調(diào)制激光器。

下文將會簡要介紹一下使用EML調(diào)制方式來實現(xiàn)100G 系列光模塊CFP/CFP2-LR4的一些關(guān)鍵技術(shù)點：

1、    TEC電路。EML激光器需要工作在一個確定的波長下，溫度的跳變會引發(fā)一個溫漂效應，導致波長不穩(wěn)定，發(fā)生漂移，所以激光器穩(wěn)定工作的前提條件是有一個相對穩(wěn)定的工作溫度（穩(wěn)波長），這要求我們必須提供一個高精度的TEC電路，即半導體制冷器，TEC實際上是用兩種材料不同的半導體組成PN結(jié)，當PN結(jié)中有直流電流通過時，由于兩種材料中的電子和空穴在跨越PN結(jié)移動過程中產(chǎn)生吸熱或放熱效應，實現(xiàn)一個制冷或加熱激光器的效果，改變電流方向和大小即可以控制TEC加熱或制冷，系統(tǒng)框圖如下：

通過一個高精度的運算放大器對我們設(shè)定的目標溫度與熱敏電阻反饋回來的溫度進行比較，兩者的誤差電壓通過高增益的放大器進行放大，同時補償網(wǎng)絡(luò)對因為激光器的冷熱端引起的相位延遲進行一個補償，驅(qū)動H橋輸出，控制TEC電流大小與方向，當溫度低于我們的目標溫度時，H橋會減少TEC電流大小或者改變TEC電流方向來進行制冷，反之加熱，最終控制環(huán)路會達到一個動態(tài)平衡，溫度也就穩(wěn)定下來了。其中，補償電路是TEC溫控電路中最關(guān)鍵的部分，即PID比例積分微分調(diào)節(jié)補償網(wǎng)絡(luò)，它決定了TEC控制器的響應速度和調(diào)節(jié)精度。

2、EAM調(diào)節(jié)。EML激光器本質(zhì)上是EAM（電吸收調(diào)制器）與LD（DFB激光器）的集成器件，關(guān)鍵核心是EML芯片，它是基于Stark效應(QCSE)設(shè)計的電吸收調(diào)制激光器的芯體。DML激光器通過直接控制激光器電流來調(diào)制光強度，其始終工作在不穩(wěn)定狀態(tài)，容易受到外界影響；相對而言，EML激光器主要通過控制EAM來實現(xiàn)對光信號的一個控制，光源會更穩(wěn)定，傳輸特性和傳輸效果相對而言會更好，尤其在高頻調(diào)制和長距離方面。

其內(nèi)部框圖如下：

應用時，LD腳對激光器注入恒定電流使激光器發(fā)光， 通過EAM改變激光器通光的比例，來得到不同強度的光。

以太網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了從低速到高速的多個發(fā)展階段，速率從1M、10M、100M、1G發(fā)展到10G、100G，更多的需求促使其向更高速率演進，相信以后會不斷的有新技術(shù)出現(xiàn)來滿足人們對光模塊日益增長的需求。