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16nm輸在哪?小米6/榮耀9極限性能對(duì)比
mao_mao
論壇副管
鎵嬫満鍙風(fēng)爜宸查獙璇? style=


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發(fā)表于 2017-08-10 20:24:29  只看樓主 

寫(xiě)在前面

Android智能手機(jī)發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)過(guò)去了接近十年的時(shí)間,雖然時(shí)至今日,手機(jī)的硬件規(guī)格還一直在迅猛發(fā)展,但“手機(jī)SoC性能過(guò)!钡摹皦蛴命h”說(shuō)法近幾年已經(jīng)開(kāi)始大行其道,大有替代“配置黨”的趨勢(shì)。

對(duì)于用戶(hù)來(lái)說(shuō),日常應(yīng)用、通信、游戲、拍照影音,幾乎是手機(jī)功能整合的全部。而上面提到的所有功能都需要SoC的機(jī)能來(lái)提供支持 ,說(shuō)SoC是手機(jī)身上最重要的硬件一點(diǎn)都不為過(guò)。


“驍龍”

其實(shí)“夠用黨”的那句話(huà)用大白話(huà)來(lái)翻譯,完全可以翻成“又不是不能用”,聽(tīng)起來(lái)就像某些手機(jī)廠商用eMMC“優(yōu)化成UFS”一樣,只能說(shuō)是侮辱科學(xué)技術(shù)的發(fā)展。

然而,如果“科學(xué)技術(shù)的發(fā)展”只能讓手機(jī)的跑分翻倍而無(wú)法改善用戶(hù)體驗(yàn),那就相當(dāng)尷尬了。至于我們今天要做的,就是看一看“科學(xué)技術(shù)的發(fā)展”究竟能讓手機(jī)獲得多大的實(shí)際體驗(yàn)提升,測(cè)一測(cè)“新一代”和“上一代”的旗艦級(jí)SoC在體驗(yàn)上究竟有多大的區(qū)別。


誰(shuí)是幸運(yùn)兒,誰(shuí)是倒霉蛋

既然有測(cè)試,肯定免不了對(duì)比。這回登場(chǎng)的兩款手機(jī)都是今年的熱門(mén)旗艦機(jī)型,而他倆從外觀設(shè)計(jì)上來(lái)看簡(jiǎn)直就是孿生兄弟。想必大家已經(jīng)猜到了——

SoC方面,小米6搭載高通驍龍835,榮耀9則搭載麒麟960。這兩款SoC在規(guī)格上的差距如下:


軍迷們?cè)谡f(shuō)到戰(zhàn)斗機(jī)時(shí),往往都會(huì)說(shuō)出“XX戰(zhàn)機(jī)比XX戰(zhàn)機(jī)差著一代”這樣的話(huà)。手機(jī)SoC也一樣,從上面的規(guī)格就不難看出,麒麟960屬于上代產(chǎn)品,整體規(guī)格與高通驍龍821相近,但在面對(duì)高通驍龍835時(shí),依然“差著一代”。

而對(duì)于一款SoC來(lái)說(shuō),最極限的綜合性能測(cè)試,莫過(guò)于一款“殺卡”游戲——《王者榮耀》?那太小兒科了,我們今天來(lái)看看移動(dòng)端最難玩轉(zhuǎn)的超大型游戲——《NBA 2K17》。


知道測(cè)什么了,問(wèn)題是怎么測(cè)

如果這是游戲主播的直播小花絮,那么我們完全可以不走這些過(guò)場(chǎng),直接開(kāi)始跑游戲了。但畢竟大家面對(duì)的是嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑u(píng)測(cè),“測(cè)試流程”當(dāng)然是少不了的。

這次的測(cè)試主要分為三個(gè)部分,具體方案如下:


幀數(shù)測(cè)試:以最高畫(huà)質(zhì)運(yùn)行《NBA 2K17》15分鐘,記錄實(shí)時(shí)幀率變化情況及全程平均幀率。該測(cè)試旨在反映手機(jī)CPU/GPU基準(zhǔn)性能以及游戲中CPU/GPU降頻對(duì)游戲幀數(shù)造成的影響。


溫度測(cè)試:在參測(cè)手機(jī)開(kāi)始游戲前、開(kāi)始游戲5分鐘后,以及15分鐘游戲測(cè)試完成后,分別測(cè)試機(jī)身表面溫度最高點(diǎn)。室溫為恒溫25℃。該測(cè)試旨在反映參測(cè)機(jī)型極限拷機(jī)溫控能力。


跑分測(cè)試:在參測(cè)手機(jī)開(kāi)始游戲前和15分鐘游戲測(cè)試完成后,分別運(yùn)行一次CPU性能基準(zhǔn)測(cè)試工具GeekBench 4,觀察兩次跑分的成績(jī)差。該測(cè)試旨在反映極限拷機(jī)升溫前后手機(jī)CPU性能的直接變化情況。


廢話(huà)不說(shuō),開(kāi)始測(cè)吧

由于前文提到的三項(xiàng)測(cè)試全部基于游戲測(cè)試完成,因此游戲測(cè)試可以說(shuō)是本次評(píng)測(cè)的核心部分。在游戲中,兩款手機(jī)都能做到基本的流暢運(yùn)行,但不出所料的是,16nm制程工藝的麒麟960“火氣”旺盛,榮耀9機(jī)身表面的發(fā)熱從游戲開(kāi)始兩分鐘后就能用手摸出來(lái);到了第10分鐘后甚至?xí)?jīng)常發(fā)生幀數(shù)掉下25幀的明顯卡頓現(xiàn)象。


榮耀9幀率記錄片段

就操作體驗(yàn)來(lái)看,小米6的表現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)定,不僅全程未出現(xiàn)明顯卡頓,發(fā)熱情況也要比榮耀9好很多,兩款手機(jī)的體驗(yàn)可以說(shuō)高下立判。接下來(lái)是重頭戲,大家請(qǐng)擦亮眼睛與我們一同分析數(shù)據(jù)!緮(shù)據(jù)圖片可單擊看大圖】


小米6全程游戲表現(xiàn)


在幀數(shù)測(cè)試中,搭載高通驍龍835的小米6全程平均幀率高達(dá)58fps,游戲開(kāi)始前10分鐘幀數(shù)保持在50fps以上,而10分鐘后則偶有掉落至30~40fps的情況;即便如此,10~15分鐘期間多數(shù)情況的幀數(shù)依然在50fps上下。


榮耀9全程游戲表現(xiàn)


而榮耀9的情況就沒(méi)有那么樂(lè)觀,全程平均幀率僅有29fps,在終端未進(jìn)行鎖幀處理的情況下,只能說(shuō)榮耀9只能發(fā)揮到這個(gè)水準(zhǔn)。細(xì)看幀率變化曲線的前3分鐘部分,榮耀9的掉幀從2分40秒左右開(kāi)始,而且是從60fps直接掉到25,之后一蹶不振。聯(lián)系到上文中我們提到的榮耀9“開(kāi)始游戲兩分鐘后就能摸出發(fā)熱”,很顯然16nm制程工藝要想穩(wěn)住Mali-G71 MP8這樣的“火龍”是難上加難,換句話(huà)說(shuō),榮耀9的GPU從2分40秒左右就開(kāi)始受溫控措施影響而大幅度降頻,進(jìn)而造成嚴(yán)重掉幀。


左:小米6 右:榮耀9


再來(lái)看溫度測(cè)試,開(kāi)始游戲前兩款手機(jī)的機(jī)身表面溫度最高點(diǎn)完全沒(méi)有區(qū)別,均為31.2℃。接下來(lái),我們進(jìn)行游戲測(cè)試,運(yùn)行第二次溫度測(cè)試。


左:小米6 右:榮耀9


運(yùn)行游戲5分鐘后進(jìn)行溫度測(cè)試,搭載高通驍龍835的小米6機(jī)身表面溫度最高點(diǎn)達(dá)到38℃,而搭載麒麟960的榮耀9則高出1.1℃。此時(shí)小米6的游戲幀率依然在60fps左右,而榮耀9的GPU已經(jīng)開(kāi)始大幅度降頻。即便如此,降頻后的榮耀9依然“高燒不退”,我們?cè)賮?lái)看最后一次溫度測(cè)試。


左:小米6 右:榮耀9


在游戲運(yùn)行時(shí)間達(dá)到15分鐘之后,我們運(yùn)行了最后一次溫度測(cè)試。此時(shí)榮耀9的CPU和GPU都已經(jīng)因降頻而至少損失了一半性能,但其機(jī)身溫度最高點(diǎn)居然達(dá)到了41.7℃;另一邊搭載高通驍龍835的小米6雖然也有一定程度的溫度上升,但機(jī)身表面始終未能超過(guò)40℃,最高溫也僅僅落在39.3℃的位置上。


小米6跑分測(cè)試


終于,最后的跑分測(cè)試部分來(lái)了。在游戲測(cè)試前后,搭載高通驍龍835的小米6分別獲得這樣的跑分成績(jī),可以看到高溫降頻對(duì)于跑分的影響還是存在的,游戲測(cè)試后無(wú)論是單核心還是多核心的成績(jī)都有一定程度的降低。


榮耀9跑分測(cè)試


榮耀9這邊你會(huì)發(fā)現(xiàn),在游戲測(cè)試后的跑分中,CPU的多核心成績(jī)下降非常厲害,但單核心成績(jī)居然基本沒(méi)有變化。多運(yùn)行了幾次跑分后我們發(fā)現(xiàn),榮耀9在調(diào)教上針對(duì)跑分軟件強(qiáng)制大核心滿(mǎn)載運(yùn)行,完整運(yùn)行一次跑分后,機(jī)身溫度甚至要比游戲測(cè)試期間更高。這也就很好解釋了榮耀9在單核心成績(jī)上能夠以滿(mǎn)載大核跑出高分,卻在游戲測(cè)試期間分分鐘被“虐成渣”的原因了。


性能過(guò)剩?還早得很

一系列的測(cè)試走下來(lái),結(jié)局毫無(wú)懸念。雖然高通驍龍835的10nm制程工藝還僅僅是一代LPE FinFET,也就是“初級(jí)階段”,卻已經(jīng)完勝麒麟960那邊臺(tái)積電成熟的第三代16nm FinFET Compact制程工藝。


驍龍835采用三星10nm LPE制程工藝


即便今年之前的各路分析預(yù)測(cè)都稱(chēng)10nm LPE“只能和16nm FinFET+性能持平”,甚至有傳言稱(chēng)“10nm制程將會(huì)和20nm一樣悲劇”,但高通驍龍835已然展現(xiàn)出10nm制程的巨大潛力——的確,10nm LPE的極限性能提升并不大,但它能夠保證長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定高效的性能發(fā)揮,相比14nm和16nm的“三分鐘真男人”要良心太多。

至于今年下半年高通將會(huì)發(fā)布的采用10nm LPP FinFET(第二代10nm)制程工藝的新旗艦SoC,我們只能說(shuō),雖然一切都是未知數(shù),但第二代10nm制程所帶來(lái)的更高性能和更優(yōu)功耗絕對(duì)值得期待。

可別忘了,10nm的“油水”被榨干之后還有7nm,而就目前14nm和16nm制程依然屬于市場(chǎng)主力的情形來(lái)看,10nm的生命周期將會(huì)比大家想象中更長(zhǎng)。手機(jī)就這樣性能過(guò)剩了?還早得很!


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