去年底，我們報(bào)道了關(guān)于驍龍855的相關(guān)資料，有業(yè)內(nèi)人士發(fā)文稱(chēng)，蘋(píng)果的A12和高通驍龍855移動(dòng)平臺(tái)都會(huì)用上7nm工藝，并且準(zhǔn)備tape out（指提交最終GDSII文件給Foundry工廠做加工）。

圖片來(lái)自@手機(jī)晶片達(dá)人

　　隨著前天高通正式發(fā)布了驍龍X24 LTE基帶，驍龍855的更多詳細(xì)參數(shù)被曝光，不僅有著全球首個(gè)Cat.20（下行2Gbps）的速率，還基于7nm工藝打造。

驍龍855更多參數(shù)曝光（圖片來(lái)自@Roland Quandt）

　　根據(jù)國(guó)外知名爆料達(dá)人@Roland Quandt透露：高通的一位合作伙伴稱(chēng)，目前正在對(duì)驍龍855芯片進(jìn)行測(cè)試，采用的就是7nm工藝技術(shù)。并且還指出，驍龍855將是高通的第一款7nm AP產(chǎn)品，同時(shí)大概率會(huì)集成驍龍X24基帶。除了性能的提升之外，在AI、相機(jī)ISP、存儲(chǔ)（UFS3.0）等方面也會(huì)全面的提升。