2月22日消息，三星在官網(wǎng)宣布，高通未來的5G移動(dòng)設(shè)備芯片將基于他們的7nm LPP工藝制造，該技術(shù)節(jié)點(diǎn)會(huì)引入EUV（極紫外光刻）。

　　2017年5月，三星首秀了7nm LPP EUV工藝，同年7月，三星放言，在2018年會(huì)比對(duì)手臺(tái)積電更早地量產(chǎn)7nm。

　　三星透露，比較當(dāng)前的10nm FinFET工藝，7nm將實(shí)現(xiàn)面積縮小40%、10%的性能提升、35%的功耗下降。

　　有趣的是，高通在本月還推出了基于7nm工藝的X24基帶，但是一款4G LTE產(chǎn)品，不知道是不是三星參與打造，畢竟在這次的新聞稿中沒有被證實(shí)。

　　而爆料大神Roland曾表示，高通的首款7nm AP是驍龍855，似乎找不出什么理由突然讓臺(tái)積電橫插入代工。

　　另外，三星在2017年10月宣布正開發(fā)介于10nm和7nm的8nm中間制程，同樣是和三星合作，看來兩者的關(guān)系未來是更鐵了。

三星位于韓國華城的半導(dǎo)體工廠，圖片來自三星官網(wǎng)