無(wú)線網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商在順應(yīng) 5G 發(fā)展的新形勢(shì)下目標(biāo)一致 - 他們需要盡可能快速且經(jīng)濟(jì)高效地移動(dòng)數(shù)據(jù)。隨著射頻和光通信技術(shù)的并行發(fā)展開(kāi)始相互交融，我們將更清楚地了解一個(gè)技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新如何影響其他領(lǐng)域的發(fā)展。

射頻基站實(shí)現(xiàn)的更快數(shù)據(jù)處理和吞吐速度同樣反映在從 100G 到 400G 光收發(fā)器模塊的過(guò)渡中，特別是在端口密度必須繼續(xù)增加以滿足數(shù)據(jù)中心對(duì)不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)量的需求。

實(shí)現(xiàn)更高集成度和減少組件數(shù)量是大勢(shì)所趨，這是向 400G 模塊發(fā)展的關(guān)鍵因素，其中單 λ（又稱單波長(zhǎng)）PAM-4 調(diào)制方案的出現(xiàn)正在轉(zhuǎn)變模塊架構(gòu)。對(duì)于 100G 收發(fā)器，單 λ PAM-4 技術(shù)可將激光器數(shù)量減少為一個(gè)，并消除了對(duì)光復(fù)用的需求。對(duì)于400G 實(shí)施方案，僅需四個(gè)光學(xué)組件，對(duì)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商而言，這是一個(gè)通過(guò)極其緊湊且節(jié)能的模塊降低其成本的重大機(jī)遇。超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的這項(xiàng)創(chuàng)新將在不久后推廣到無(wú)線網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)。

在半導(dǎo)體層面上，硅光子技術(shù)的不斷進(jìn)步將改變新一代多功能 MMIC 的組成，從而利用已確立的 CMOS 工藝通過(guò)商業(yè)規(guī)模的制造技術(shù)在晶圓基底上一次生產(chǎn)數(shù)千個(gè)光學(xué)元件。憑借將基于氮化鎵的射頻器件與光學(xué)器件集成在單一硅片上的新功能（以極具吸引力的成本結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)），可減少射頻元件和光學(xué)元件之間接口，從而通過(guò)網(wǎng)絡(luò)輕松實(shí)現(xiàn)更清晰、更快速的信號(hào)。

與此同時(shí)，硅基氮化鎵技術(shù)、多功能 MMIC 和射頻 SoC 的不斷發(fā)展將推動(dòng)射頻和微波行業(yè)朝著實(shí)現(xiàn)更卓越、更經(jīng)濟(jì)高效的集成無(wú)線系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施的道路邁進(jìn)，最終完成 5G 連接的目標(biāo)。