摘要：5G技術(shù)發(fā)展日新月異，對(duì)測(cè)試測(cè)量方面的挑戰(zhàn)巨大。目前5G網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)具備可實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)和可實(shí)施的標(biāo)準(zhǔn)，接下來(lái)通信行業(yè)關(guān)于5G網(wǎng)絡(luò)的部署工作將會(huì)全面發(fā)力，與此同時(shí)，業(yè)內(nèi)也將會(huì)面臨諸多技術(shù)及測(cè)試測(cè)量方面的挑戰(zhàn)。

5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)，再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為顯著提高射頻性能敞開(kāi)了大門(mén)，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸，并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。此外，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，硅基氮化鎵可以提供更高的效率，從而降低整體功耗。在硅片生產(chǎn)平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)氮化鎵可以在批量生產(chǎn)水平上達(dá)到與LDMOS相當(dāng)?shù)慕?jīng)濟(jì)實(shí)惠的成本結(jié)構(gòu)，并且在某些射頻市場(chǎng)上低于碳化硅基氮化鎵的成本結(jié)構(gòu)。與此同時(shí)，氮化鎵的用例已經(jīng)擴(kuò)展到面向宏基站等大功率射頻應(yīng)用的分立式晶體管。氮化鎵作為獨(dú)立MMIC（單片微波集成電路）器件時(shí)發(fā)揮著關(guān)鍵作用，同時(shí)也是5G和M-MIMO系統(tǒng)模塊的關(guān)鍵元件，特別是硅基氮化鎵，有望可以為5G帶來(lái)更高效的方案。

硅基氮化鎵的突出特點(diǎn)是能夠最終集成芯片級(jí)的增強(qiáng)功能，可以實(shí)現(xiàn)額外的性能優(yōu)勢(shì)和空間優(yōu)化。其硅基底支持氮化鎵器件和基于CMOS的器件未來(lái)在單一芯片上均勻集成，由于固有工藝限制，氮化硅基氮化鎵不具備該能力。這為多功能數(shù)字輔助射頻MMIC集成片上數(shù)字控制和校準(zhǔn)以及片上配電網(wǎng)絡(luò)等奠定了基礎(chǔ)。

以MACOM氮化硅基氮化鎵基件相關(guān)的5G射頻解決方案為例，現(xiàn)在5G組件已涵蓋從分立元件到全集成前端模塊的各種解決方案。其中包括獲得專(zhuān)利的硅基氮化鎵技術(shù)、專(zhuān)有開(kāi)關(guān)技術(shù)以及相干波束成形技術(shù)。而這些基件組合將支持6 GHz以下的無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施（宏基站或大規(guī)模MIMO架構(gòu)），其全面的技術(shù)和產(chǎn)品陣列可以為發(fā)射和接收鏈路提供理想的解決方案。隨著5G轉(zhuǎn)向毫米波，其所擁有的高頻技術(shù)的工具，將支持應(yīng)對(duì)遇到的挑戰(zhàn)性設(shè)計(jì)問(wèn)題。對(duì)于開(kāi)發(fā)支持5G波束成形能力的高級(jí)天線陣列的客戶而言，射頻創(chuàng)新的這種傳統(tǒng)是十分寶貴的資產(chǎn)。

Massive MIMO無(wú)線解決方案適用于5G

基于5G的發(fā)展和需求，Massive MIMO（mMIMO）無(wú)線解決方案一直被認(rèn)為是5G的關(guān)鍵技術(shù)之一，是唯一可以十倍或以上提升系統(tǒng)容量的無(wú)線技術(shù)。針對(duì)mMIMO無(wú)線解決方案，從之前的原型機(jī)到今后的實(shí)驗(yàn)網(wǎng)乃至大規(guī)模商用部署，低成本、高集成、高效率成為mMIMO無(wú)線解決方案的幾個(gè)重要趨勢(shì)。