電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院《面向 5G 的 CMOS 毫米波多通道芯片設(shè)計》

其研究團隊認為：
1、從工藝角度：CMOS 工藝可媲美 III-V 族工藝，CMOS 毫米波器件同樣適用于 5G 高頻應(yīng)用且具有低成本的優(yōu)勢；
2、從 5G 高頻段應(yīng)用角度：CMOS 毫米波芯片主要面臨硅襯底器件模型建模，電路噪聲增加，功放增益降低，多通道相控陣集成和傳統(tǒng)封裝損耗過大等幾個方面的挑戰(zhàn)。針對上述挑戰(zhàn)，電子科技大學(xué)及國內(nèi)外研究機構(gòu)已有相應(yīng)的解決方案；3、從產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀角度：認為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)投資及人才缺口仍然比較大，期望國家針對集成電路產(chǎn)業(yè)能有更大投資額，同時期望更多有志青年投身集成電路產(chǎn)業(yè)。

中電科第五十五研究所《毫米波器件在 5G 中的應(yīng)用》

介紹了GaAs工藝和GaN工藝的功率放大器方案以及混合工藝的前端模塊方案。目前毫米波射頻前端主要有 Si 全集成和 Si+GaAs 兩種技術(shù)途徑，錢峰副總工對這兩種解決方案從性能（EVM、線性度、噪聲系數(shù)等）、功耗、成本幾個方面進行了詳細的綜合對比，認為 GaAs+GeSi 方案在性價比上更具優(yōu)勢。最后錢峰副總工介紹了中電科 55 所在 5G 毫米波領(lǐng)域所作的工作，作為國內(nèi)外比較有影響力的研究機構(gòu)，中電科 55 所在毫米波頻段擁有一系列產(chǎn)品可以為未來 5G 應(yīng)用提供豐富選擇。

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5G高頻段關(guān)鍵器件.pdf