LTE高負(fù)荷小區(qū)應(yīng)急處理步驟
一、高負(fù)荷小區(qū)預(yù)警門(mén)限... 2
二、黃色預(yù)警處理方案... 2
第1步：修改最小接入電平... 2
第2步：修改鄰區(qū)CIO即Ocn參數(shù)... 3
第3步：修改鄰區(qū)Qoffsetcell參數(shù)... 3
第4步：修改參考信號(hào)發(fā)射功率... 4
第5步：4G分流話務(wù)至2G網(wǎng)絡(luò)... 5
第6-1步：修改室分服務(wù)小區(qū)A5門(mén)限（學(xué)會(huì)理解事件）... 6
第6-2步：D+F配置中降低D頻段負(fù)荷（學(xué)會(huì)理解事件）... 6
第6-3步：D+F配置中降低F頻段負(fù)荷（學(xué)會(huì)理解事件）... 7
第6-4步：修改宏站服務(wù)小區(qū)A3事件的Ocs參數(shù)（學(xué)會(huì)理解事件）... 8
三、紅色預(yù)警處理方案... 8
1、修改最小接入電平... 8
2、修改參考信號(hào)發(fā)射功率至10dBm... 9
3、4G分流話務(wù)至2G.. 9
4、2G分流話務(wù)至3G（針對(duì)23G雙模手機(jī)）... 10
5、2G分流話務(wù)至3G（針對(duì)234G三模手機(jī)）... 11
6、修改3G涉及2G參數(shù)（提高3G業(yè)務(wù)吸收能力）... 12
7、修改3G涉及4G參數(shù)（提高LTE網(wǎng)絡(luò)難度系數(shù)）... 13
8、修改initPUCCHSRSConfigprofile參數(shù)（慎用，未經(jīng)驗(yàn)證）... 14
一、高負(fù)荷小區(qū)預(yù)警門(mén)限
通過(guò)NPO的“VS_UE_RRC_connected_state_Tmax”計(jì)數(shù)器或PMS統(tǒng)計(jì)來(lái)監(jiān)控小區(qū)的時(shí)段最大在線用戶數(shù)，以此來(lái)評(píng)估小區(qū)的負(fù)荷情況，按下表設(shè)定預(yù)警門(mén)限，并對(duì)應(yīng)下文所采取的處理手段：
基站版本 | 最大在線用戶數(shù) | 黃色預(yù)警 | 紅色預(yù)警 |
LR14.3 | 400 | 280 | 360 |
l 第1/2/3步可一次性執(zhí)行完畢，觀察小區(qū)負(fù)荷變化情況；
l 若負(fù)荷持續(xù)偏高，則繼續(xù)執(zhí)行第4/5步，執(zhí)行完畢后，觀察小區(qū)負(fù)荷變化情況；
l 若負(fù)荷持續(xù)偏高，則繼續(xù)執(zhí)行第6步，該步驟中視情況分解為四個(gè)分支。
修改空閑態(tài)小區(qū)最小接入電平Qrxlevmin參數(shù)至-120dBm，意在排除小區(qū)邊緣用戶：
依靠mapinfo基站地圖，查看周?chē)弲^(qū)的負(fù)荷情況，挑選負(fù)荷相對(duì)較輕的幾個(gè)鄰區(qū)，修改這些鄰區(qū)CIO小區(qū)偏移量也即Ocn參數(shù)，該參數(shù)對(duì)鄰區(qū)切換判斷事件A3/A4/A5-2均適用，修改至dB3（即正值3dB，不能再超過(guò)該值），人為增強(qiáng)鄰區(qū)滿足條件，加快向鄰區(qū)切換，從而減輕服務(wù)小區(qū)負(fù)擔(dān)：
對(duì)標(biāo)第2步，依靠mapinfo基站地圖，查看周?chē)弲^(qū)的負(fù)荷情況，挑選負(fù)荷相對(duì)較輕的幾個(gè)鄰區(qū)，且這幾個(gè)鄰區(qū)符合以下條件：同頻鄰區(qū)或同優(yōu)先級(jí)異頻鄰區(qū)，修改Qoffsetcell小區(qū)偏置值至dB-3（即負(fù)值-3dB，不能再超過(guò)該值），人為增強(qiáng)R準(zhǔn)則中鄰區(qū)R值，鼓勵(lì)重選至鄰區(qū)，減輕服務(wù)小區(qū)負(fù)擔(dān)：
該步驟必須區(qū)分宏站還是室分，是單端口還是雙端口，因?yàn)閷?duì)應(yīng)著SIMO節(jié)點(diǎn)還是TxDiv/MIMO節(jié)點(diǎn)，若節(jié)點(diǎn)搞錯(cuò)了，是達(dá)不到效果的。
室分單端口小區(qū)（單流），下降參考信號(hào)發(fā)射功率至10dBm：
宏站或室分兩端口小區(qū)，修改參考信號(hào)發(fā)射功率：先從18dBm/19dBm降低至15dBm，以后視情況決定是否由15dBm降低至12dBm：
修改重定向B2-1門(mén)限至-120dBm，一般情況下基于測(cè)量的異系統(tǒng)重定向（語(yǔ)音業(yè)務(wù)為eSRVCC）所對(duì)應(yīng)的報(bào)告配置標(biāo)識(shí)為ReportConfigid29，然而真正的報(bào)告配置標(biāo)識(shí)是通過(guò)測(cè)量目的為異系統(tǒng)切換的測(cè)量標(biāo)識(shí)measurementid所鏈接的報(bào)告配置標(biāo)識(shí)，為了快速方便，下圖假定報(bào)告配置標(biāo)識(shí)為ReportConfigid29：
依靠mapinfo基站地圖，若某高負(fù)荷小區(qū)為E室分小區(qū)，周?chē)鸀镈頻段或F頻段宏站，設(shè)置室分至宏站切換為A5事件，A5-1門(mén)限為-102dBm，A5-2門(mén)限為-100dBm：
依靠mapinfo基站地圖，若某高負(fù)荷小區(qū)為D宏站小區(qū)，而周?chē)鶩頻段宏站負(fù)荷較輕，則采用保持F門(mén)限不變而提高D相關(guān)門(mén)限方法，使D更容易切換至F頻段：
依靠mapinfo基站地圖，若某高負(fù)荷小區(qū)為F宏站小區(qū)，而周?chē)鶧頻段宏站負(fù)荷較輕，則采用保持F門(mén)限不變而降低D相關(guān)門(mén)限方法，使F更容易切換至D頻段：
依靠mapinfo基站地圖，若某高負(fù)荷小區(qū)為D頻段宏站小區(qū)或F頻段宏站小區(qū)（不適合室分小區(qū)），且該頻段在片區(qū)內(nèi)連續(xù)覆蓋，可采用修改服務(wù)小區(qū)CIO也即Ocs參數(shù)方式，該參數(shù)對(duì)服務(wù)小區(qū)切換判斷事件A3適用，修改至dB-3（即負(fù)值-3dB，不能再超過(guò)該值，否則對(duì)kpi指標(biāo)負(fù)面影響極大無(wú)比），人為減弱服務(wù)小區(qū)，以便鄰區(qū)更容易滿足條件，加快向鄰區(qū)的A3事件切換，從而減輕服務(wù)小區(qū)負(fù)擔(dān)：
1、修改最小接入電平
修改最小接入電平門(mén)限Qrxlevmin參數(shù)至-118dBm，甚至可設(shè)置為-116dBm（慎用）：
2、修改參考信號(hào)發(fā)射功率至10dBm
3、4G分流話務(wù)至2G（針對(duì)234G三模手機(jī)）
修改重定向門(mén)限B2-1為-118dBm，甚至可設(shè)置為-116dBm，報(bào)告配置標(biāo)識(shí)為ReportConfig29：
4、2G分流話務(wù)至3G（針對(duì)23G雙模手機(jī)）
將2G高負(fù)荷小區(qū)的TDD_Qoffset參數(shù)修改至-16dB（根據(jù)新機(jī)制，意味著23G雙模手機(jī)駐留在GSM網(wǎng)絡(luò)且只要TD-SCDMA信號(hào)大于-93dBm時(shí)，無(wú)論空閑態(tài)還是連接態(tài)均可以重選至TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)）：
5、2G分流話務(wù)至3G（針對(duì)234G三模手機(jī)）
將卡特GSM網(wǎng)管中“External 3G Cells”頁(yè)面的所有3G外部小區(qū)頻點(diǎn)的THRESH_UTRAN_high和THRESH_UTRAN_low參數(shù)都修改至26dB（意味著234G三模手機(jī)駐留在GSM網(wǎng)絡(luò)且只要TD-SCDMA信號(hào)大于-93dBm時(shí)，無(wú)論空閑態(tài)還是連接態(tài)均可以重選至TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)），這一步已經(jīng)統(tǒng)一執(zhí)行過(guò)了，只是作為有機(jī)的組成成分，出現(xiàn)在本文檔中：
6、修改3G涉及2G參數(shù)（提高3G業(yè)務(wù)吸收能力）
空閑態(tài)時(shí)，查找4G高負(fù)荷小區(qū)和2G高負(fù)荷小區(qū)所涉及的周?chē)?G鄰區(qū)，挑選出3G話務(wù)量相對(duì)較低的3G鄰區(qū)，將這些3G小區(qū)選擇與重選門(mén)限Qrxlevmin修改成-103dBm：
連接態(tài)時(shí)，查找4G高負(fù)荷小區(qū)和2G高負(fù)荷小區(qū)所涉及的周?chē)?G鄰區(qū)，將這些3G小區(qū)切換CCO至2G的3A事件ownsystem門(mén)限修改成-95dBm（語(yǔ)音）和-99dBm（數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)）：
7、修改3G涉及4G參數(shù)（提高LTE網(wǎng)絡(luò)難度系數(shù)）
空閑態(tài)時(shí)，查找4G高負(fù)荷小區(qū)周?chē)?G鄰區(qū)，將這些3G小區(qū)重選至LTE門(mén)限Qrxlevmin修改成-104dBm：
連接態(tài)時(shí)，查找4G高負(fù)荷小區(qū)周?chē)?G鄰區(qū)，將這些3G小區(qū)重定向至LTE的3A事件othersystem門(mén)限修改成-104dBm：
8、修改initPUCCHSRSConfigprofile參數(shù)（慎用，未經(jīng)驗(yàn)證）
當(dāng)某小區(qū)用戶數(shù)達(dá)到380及以上時(shí)，修改以下參數(shù)，把該小區(qū)對(duì)全網(wǎng)指標(biāo)的影響降到最低。
路徑 | 參數(shù)名 | 推薦值 | 備注 |
ENBEquipment/Enb/LteCell/ Cell1ULConf/ | initPUCCHSRSConfigprofile | basic | 上行PUCCH/SRS 配置窗口super到basic， |
注意：參數(shù)修改不要過(guò)夜，應(yīng)急保障之后請(qǐng)參數(shù)回退。
4G高負(fù)荷小區(qū)應(yīng)急處理步驟.docx
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