內(nèi)存條

　　內(nèi)存條是連接CPU 和其他設(shè)備的通道!起到緩沖和數(shù)據(jù)交換作用�。。�！
　　一、內(nèi)存的作用與分類
　　內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows98系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內(nèi)存中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數(shù)據(jù)和程序放在內(nèi)存上。
　　內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態(tài)隨機存儲器，它的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失，我們平時說的內(nèi)存就是指這一種；后者又叫只讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows98或Windows95系統(tǒng)，ROM的一個主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。
　　二、內(nèi)存發(fā)展簡史
　　起初，電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC，我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用，一旦某一塊內(nèi)存IC壞了，必須焊下來才能更換，這實在是太費勁了。后來，電腦設(shè)計人員發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存，每一條上集成了多塊內(nèi)存IC，相應(yīng)地，在主板上設(shè)計了內(nèi)存插槽，這樣，內(nèi)存條就可隨意拆卸了，從此，內(nèi)存的維修和擴充都變得非常方便。
　　根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少，我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲器模塊SIMM，168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM。目前30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了；前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種；目前市場的主流品種是168線內(nèi)存條，168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持168線的內(nèi)存條。
　　三、內(nèi)存的性能指標(biāo)
　　評價內(nèi)存條的性能指標(biāo)一共有四個：
　　(1) 存儲容量：即一根內(nèi)存條可以容納的二進制信息量，如目前常用的168線內(nèi)存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。
　　(2) 存取速度（存儲周期）：即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為存儲周期，半導(dǎo)體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。
　　(3) 存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。
　　(4) 性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容，性能價格比是一個綜合性指標(biāo)，對于不同的存儲器有不同的要求。
　　四、什么是EDO和SDRAM
　　前面我們已經(jīng)按引腳數(shù)的多少把內(nèi)存條分為30、72和168線等幾種，其實，它們在結(jié)構(gòu)和性能上還有著本質(zhì)的區(qū)別。
　　譬如，72線內(nèi)存條是一種EDO內(nèi)存，而現(xiàn)今主流的168線內(nèi)存條幾乎清一色又都是SDRAM內(nèi)存；目前，EDO內(nèi)存的存取速度基本保持在60納秒左右，能夠適應(yīng)75兆赫茲的外頻，但跑83兆赫茲則有點勉為其難了；而SDRAM內(nèi)存的存取速度一般能達到10納秒左右，能夠適應(yīng)100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內(nèi)存已逐步被SDRAM所取代，至今，幾乎已無人再用EDO來裝機了，只有升級擴充舊電腦內(nèi)存時還用得著它。
　　其實，EDO內(nèi)存被SDRAM所取代有其必然性，因為，目前市場上主流CPU的主頻已高達450兆赫茲，未來CPU的主頻還會越來越高。但由于傳統(tǒng)內(nèi)存條的讀寫速度遠遠跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個內(nèi)存瓶頸的問題，我們就必須采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，即SDRAM。因為，從理論上說，SDRAM與CPU頻率同步，共享一個時鐘周期。SDRAM內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當(dāng)CPU從一個存儲陣列訪問數(shù)據(jù)的同時，另一個已準(zhǔn)備好讀寫數(shù)據(jù)，通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。目前，最新的SDRAM的存儲速度已高達5納秒，所以，SDRAM已成為近期內(nèi)存發(fā)展的主流。
　　當(dāng)然，EDO內(nèi)存也并沒有完全舉手投降，相反，憑借其出色的視頻特性和低廉的價格，在顯示內(nèi)存等領(lǐng)域仍是連連得手，眾多低檔顯卡更是無一例外地采用EDO內(nèi)存。另外，許多硬盤、光驅(qū)和打印機也是采用EDO緩存，可見，EDO內(nèi)存還真是寶刀不老啊！
　　內(nèi)存選購
　　選購內(nèi)存條時除了要考慮前面介紹的引腳數(shù)、容量和存取速度之外，還要考慮以下幾個因素：
　　(1) 奇偶性
　　為了保證內(nèi)存存取數(shù)據(jù)的的準(zhǔn)確性，有些內(nèi)存條上有奇偶校驗位，如3片或9片裝的內(nèi)存條。如果您對電腦運行的準(zhǔn)確性要求很高，最好選擇有奇偶校驗功能的內(nèi)存條。
　　(2) 價格
　　雖然現(xiàn)在的內(nèi)存條和以前相比，價格已經(jīng)大幅下降，但不同的品牌和性能，價格還是有一些差別，您可根據(jù)自己的需要和預(yù)算情況選擇適合自己的價位。另外，購買內(nèi)存時您還須注意品牌和質(zhì)量，目前，生產(chǎn)內(nèi)存的廠家較多，質(zhì)量較為可靠的品牌有：南韓LG、日本的東芝、日本精工、日本電氣公司、日本松下。
　　內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。
　　通常所說的內(nèi)存即指電腦系統(tǒng)中的RAM。
　　RAM有些像教室里的黑板，上課時老師不斷地往黑板上面寫東西，下課以后全部擦除。RAM要求每時每刻都不斷地供電，否則數(shù)據(jù)會丟失。如果在關(guān)閉電源以后RAM中的數(shù)據(jù)也不丟失就好了，這樣就可以在每一次開機時都保證電腦處于上一次關(guān)機的狀態(tài)，而不必每次都重新啟動電腦，重新打開應(yīng)用程序了。但是RAM要求不斷的電源供應(yīng)，那有沒有辦法解決這個問題呢?隨著技術(shù)的進步，人們想到了一個辦法，即給RAM供應(yīng)少量的電源保持RAM的數(shù)據(jù)不丟失，這就是電腦的待機功能，特別在Win2000里這個功能得到了很好的應(yīng)用，休眠時電源處于連接狀態(tài)，但是耗費少量的電能。
　　按內(nèi)存條的接口形式，常見內(nèi)存條有兩種：單列直插內(nèi)存條（SIMM），和雙列直插內(nèi)存條（DIMM）。SIMM內(nèi)存條分為30線，72線兩種。DIMM內(nèi)存條與SIMM內(nèi)存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。
　　按內(nèi)存的工作方式，內(nèi)存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動態(tài)RAM）等形式。
　　FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：這是較早的電腦系統(tǒng)普通使用的內(nèi)存，它每個三個時鐘脈沖周期傳送一次數(shù)據(jù)。
　　EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM
　　擴展數(shù)據(jù)輸出隨機存取存儲器：EDO內(nèi)存取消了主板與內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈沖周期輸出一次數(shù)據(jù)，大大地縮短了存取時間，使存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內(nèi)存已經(jīng)被SDRAM所取代。
　　S（SYSNECRONOUS）DRAM
　　同步動態(tài)隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內(nèi)存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數(shù)據(jù)，速度比EDO內(nèi)存提高50%。
　　DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM
　　SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
　　RDRAM（RAMBUS DRAM）存儲器總線式動態(tài)隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發(fā)的具有系統(tǒng)帶寬，芯片到芯片接口設(shè)計的新型DRAM，他能在很高的頻率范圍內(nèi)通過一個簡單的總線傳輸數(shù)據(jù)。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數(shù)據(jù)。INTEL將在其820芯片組產(chǎn)品中加入對RDRAM的支持。
　　內(nèi)存的參數(shù)主要有兩個：存儲容量和存取時間。存儲容量越大，電腦能記憶的信息越多。存取時間則以納秒（NS）為單位來計算。一納秒等于10^9秒。數(shù)字越小，表明內(nèi)存的存取速度越快。
　　五、內(nèi)存條的誕生
　　內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發(fā)展造成了現(xiàn)實的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應(yīng)運而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝更換的問題徹底解決了。
　　在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對于當(dāng)時PC所運行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn)，程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內(nèi)存必須以獨立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。
　　在80286主板剛推出的時候，內(nèi)存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進入民用市場一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。
　　隨后，在1988 ～1990 年當(dāng)中，PC 技術(shù)迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。
　　EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器）內(nèi)存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條，EDO-RAM同F(xiàn)P DRAM極其相似，它取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時的486及早期的Pentium電腦上。
　　在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO 內(nèi)存也屬于72pin SIMM 內(nèi)存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時單條EDO 內(nèi)存的容量已經(jīng)達到4 ～16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。
　　SDRAM時代
　　自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時內(nèi)存開始進入比較經(jīng)典的SDRAM時代。
　　第一代SDRAM 內(nèi)存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應(yīng)CPU 的64bit 數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內(nèi)存。
　　不可否認的是，SDRAM 內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。
　　盡管SDRAM PC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。
　　在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏，Rambus DRAM內(nèi)存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。
　　盡管如此，Rambus RDRAM 內(nèi)存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820 芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內(nèi)存面前。
　　DDR時代
　　DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本， DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，這使得DDR的數(shù)據(jù)傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。
　　DDR 內(nèi)存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內(nèi)存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鐘×2倍數(shù)據(jù)傳輸＝266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內(nèi)存所衍生出的，它將DDR 內(nèi)存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內(nèi)存，其后來的DDR333內(nèi)存也屬于一種過度，而DDR400內(nèi)存成為目前的主流平臺選配，雙通道DDR400內(nèi)存已經(jīng)成為800FSB處理器搭配的基本標(biāo)準(zhǔn)，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象。
　　DDR2時代
　　隨著CPU 性能不斷提高，我們對內(nèi)存性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標(biāo)準(zhǔn)，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內(nèi)存的支持，所以DDR2內(nèi)存將開始演義內(nèi)存領(lǐng)域的今天。
　　DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎(chǔ)上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運行于1.8V 電壓上，從而進一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標(biāo)和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標(biāo)準(zhǔn)來看，針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
　　內(nèi)存技術(shù)在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內(nèi)存在五年內(nèi)不會普及。QBM與RDRAM內(nèi)存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。
　　PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重
　　要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是目前大多數(shù)較新的芯片組支持的一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，VCM內(nèi)存主要根據(jù)由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術(shù)制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進行配置和控制。在實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r，VCM還維持著對傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內(nèi)存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經(jīng)過CPU處理的數(shù)據(jù)，都可先交于VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經(jīng)CPU處理以后的數(shù)據(jù)，所以VCM要比SDRAM處理數(shù)據(jù)的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
　　3．RDRAM
　　Intel在推出：PC-100后，由于技術(shù)的發(fā)展，PC-100內(nèi)存的800MB／s帶寬已經(jīng)不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大(1064MB／s)，同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如圖4-3所示。
　　Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內(nèi)存規(guī)格，采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，從而可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期內(nèi)，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數(shù)據(jù)，這樣它的實際速度就為400MHz×2＝800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s，相當(dāng)于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內(nèi)存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊)，減少銅線的長度和數(shù)量就可以降低數(shù)據(jù)傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內(nèi)存的工作頻率。不過在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內(nèi)存甚至需要自帶散熱風(fēng)扇。
　　DDR3時代
　　DDR3相比起DDR2有更高的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預(yù)讀升級為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。
　　DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計：
　　1．8bit預(yù)取設(shè)計，而DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
　　2．采用點對點的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負擔(dān)。
　　3．采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。
　　六、內(nèi)存條種類之間的區(qū)別
　　DDR2與DDR的區(qū)別
　　與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設(shè)備上高效率使用兩個DRAM核心來實現(xiàn)的。作為對比，在每個設(shè)備上DDR內(nèi)存只能夠使用一個DRAM核心。技術(shù)上講，DDR2內(nèi)存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù)。
　　與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合，DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。
　　然而，盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們?nèi)匀灰�使用新主板才能搭配DDR2內(nèi)存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內(nèi)存為184針；其次，DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。
　　DDR2的定義：
　　DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕�本方式，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。
　　此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎(chǔ)�；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。
　　DDR2與DDR的區(qū)別：
　　在了解DDR2內(nèi)存諸多新技術(shù)前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術(shù)對比的數(shù)據(jù)。
　　1、延遲問題：
　　從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕�本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
　　這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。
　　2、封裝和發(fā)熱量：
　　DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。
　　DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當(dāng)頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。
　　DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。
　　DDR2采用的新技術(shù)：
　　除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS。
　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動調(diào)整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調(diào)整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質(zhì)。
　　ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDR2可以根據(jù)自己的特點內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質(zhì)，這是DDR不能比擬的。
　　Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設(shè)置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產(chǎn)生碰撞沖突。
　　總的來說，DDR2采用了諸多的新技術(shù)，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術(shù)的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
　　DDR3與DDR2幾個主要的不同之處 ：
　　1.突發(fā)長度（Burst Length，BL）
　　由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。
　　2.尋址時序（Timing）
　　就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。
　　3.DDR3新增的重置（Reset）功能
　　重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準(zhǔn)備了一個引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當(dāng)Reset命令有效時，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態(tài)，以節(jié)約電力。
　　在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節(jié)省電力的目的。
　　4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能
　　ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準(zhǔn)引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導(dǎo)通電阻和ODT電阻進行重新校準(zhǔn)。
　　5.參考電壓分成兩個
　　在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。
　　6.點對點連接（Point-to-Point，P2P）
　　這是為了提高系統(tǒng)性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能有一個插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級內(nèi)存緩沖器）。
　　面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設(shè)備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺式機而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領(lǐng)域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預(yù)計在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預(yù)計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。
　　內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時內(nèi)存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。
　　目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。
　　七、內(nèi)存條品牌的選購
　　現(xiàn)在常見的內(nèi)存條品牌有以下幾種，這里主要給大家參考
　　現(xiàn)代（HY）
　　個人認為，原廠現(xiàn)代和三星內(nèi)存是目前兼容性和穩(wěn)定性最好的內(nèi)存條，其比許多廣告吹得生猛的內(nèi)存條要來得實在得多，此外，現(xiàn)代"Hynix（更專業(yè)的稱呼是海力士半導(dǎo)體Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等顆粒也是目前很多高頻內(nèi)存所普遍采用的內(nèi)存芯片。目前，市場上超值的現(xiàn)代高頻條有現(xiàn)代原廠DDR500內(nèi)存，采用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內(nèi)存芯片，其性價比很不錯。
　　金士頓（Kingston）
　　作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商的Kingston，其金士頓內(nèi)存產(chǎn)品在進入中國市場以來，就憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量和一流的售后服務(wù)，贏得了眾多中國消費者的心。
　　不過Kingston雖然作為世界第一大內(nèi)存生產(chǎn)廠商，然而Kingston品牌的內(nèi)存產(chǎn)品，其使用的內(nèi)存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產(chǎn)品，更多的則是現(xiàn)代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內(nèi)存顆粒。
　　Kingston的高頻內(nèi)存有采用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內(nèi)存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內(nèi)存等，其分屬ValueRam系列（經(jīng)濟型）和HyperX系列。
　　Kingston的ValueRam系列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯，Kingston 500MHz的HyperX超頻內(nèi)存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，采用鋁制散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。
　　利屏
　　利屏是進來新近崛起的一個內(nèi)存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設(shè)在美國西部風(fēng)景如畫的世界高科技重鎮(zhèn)舊金山。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售利屏LPT極限高端內(nèi)存條產(chǎn)品。公司擁有一支技術(shù)過硬的產(chǎn)品研發(fā)團隊和足跡遍及中、外的專業(yè)銷售隊伍。產(chǎn)品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以“超頻之神”的美譽。
　　“利屏”眼鏡蛇DDR400系列內(nèi)存也是專門為追求性能的玩家所設(shè)計，它采用的也是D43的顆粒，但是時序更高，為了加強散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當(dāng)強勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內(nèi)存，它采用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運行在DDR466的時候內(nèi)存時序為3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。
　　而利屏的高端極限內(nèi)存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構(gòu)，每條內(nèi)存的表面均有銅質(zhì)散熱片進行散熱及確保運行的穩(wěn)定性，其CAS值均為3，只能說剛好能用而已。
　　勤茂（TwinMOS）
　　勤茂（TwinMOS）CAS為2的DDR433內(nèi)存，采用CSP技術(shù)封裝—這款，勤茂DDR433內(nèi)存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指數(shù)不錯。此外，內(nèi)存外面包裹著金黃色內(nèi)存罩，能起到散熱和屏蔽的作用，內(nèi)存顆粒與散熱片之間則填充了導(dǎo)熱的墊片。價格在350元左右，其可超性也不含糊，性價比不錯。
　　勝創(chuàng)（Kingmax）
　　成立于1989年的勝創(chuàng)科技有限公司是一家名列中國臺灣省前200強的生產(chǎn)企業(yè)（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內(nèi)存模組的引領(lǐng)生產(chǎn)廠商。
　　通過嚴格的質(zhì)量控制和完善的研發(fā)實力，勝創(chuàng)科技獲得了ISO-9001證書，同時和IT行業(yè)中最優(yōu)秀的企業(yè)建立了合作伙伴關(guān)系。公司以不斷創(chuàng)新的設(shè)計工藝和追求完美的信念生產(chǎn)出了高性能的尖端科技產(chǎn)品，不斷向移動計算領(lǐng)域提供價廉物美的最出色的內(nèi)存模組。
　　在SDRAM時期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內(nèi)存產(chǎn)品的高速時代，也奠定了Kingmax在內(nèi)存領(lǐng)域領(lǐng)先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現(xiàn)在的500，Kingmax始終保持著領(lǐng)先的位置，繼續(xù)引領(lǐng)著內(nèi)存發(fā)展的方向。說到KingMax內(nèi)存，就不能不說到它獨特的 “TinyBGA”封裝技術(shù)專利——作為全球領(lǐng)先的DRAM生產(chǎn)廠商，勝創(chuàng)科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存模組，這項屢獲殊榮的封裝技術(shù)能以同樣的體積大小封裝3倍于普通技術(shù)所達到的內(nèi)存容量。同時，勝創(chuàng)科技還研制了為高端服務(wù)器和工作站應(yīng)用設(shè)計的1GB StackBGA模組、為DDR應(yīng)用設(shè)計的FBGA模組以及為Rambus RIMM應(yīng)用設(shè)計的速度高達1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。
　　Kingmax勝創(chuàng)推出的低價版的DDR433內(nèi)存產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的TSOP封裝內(nèi)存芯片，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRam PC3500系列的售價和PC3200處于同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內(nèi)存產(chǎn)品，其性能和其它廠家的同類產(chǎn)品大同小異。
　　海盜旗（Corsair）
　　Corsair（海盜旗）是一家較有特點的內(nèi)存品牌，其內(nèi)存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內(nèi)存顆粒上，一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產(chǎn)品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）內(nèi)存，其在DDR400下，可以穩(wěn)定運行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和尋址時間縮短為原來的一半，這款內(nèi)存并不比一些DDR500產(chǎn)品差，而且Corsair為這種內(nèi)存提供終身保修。
　　而Corsair DDR500內(nèi)存采用Hynix芯片，這款XMS4000能穩(wěn)定運行在DDR500，并且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，性能還算不錯。
　　宇瞻（Apacer）
　　在內(nèi)存市場，Apacer一直以來都有著較好的聲譽，其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時，在DDR內(nèi)存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團，實力非常雄厚。初期專注于內(nèi)存模組行銷，并已經(jīng)成為全球前四大內(nèi)存模組供應(yīng)商之一。據(jù)權(quán)威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產(chǎn)品銷量與目在前國內(nèi)排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內(nèi)目前沒有坐到龍頭位置，是因為宇瞻對于品牌宣傳一直比較低調(diào)，精力更多投入到產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)而不是品牌推廣當(dāng)中。
　　最近，宇瞻相應(yīng)推出的"宇瞻金牌內(nèi)存"系列。宇瞻金牌內(nèi)存產(chǎn)品線特別為追求高穩(wěn)定性、高兼容性的內(nèi)存用戶而設(shè)計。宇瞻金牌內(nèi)存堅持使用100％原廠測試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基于現(xiàn)有最新的DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計而成，經(jīng)過ISO 9002認證之工廠完整流程生產(chǎn)制造。采用20微米金手指高品質(zhì)6層PCB板，每條內(nèi)存都覆蓋有美觀精質(zhì)的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高端的Advantest測試系統(tǒng)檢測后，采用高速SMT機臺打造，經(jīng)過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試，并經(jīng)過全球知名系統(tǒng)及主板大廠完全兼容性測試，品質(zhì)與兼容性都得到最大限度的保證。
　　宇瞻的DDR500內(nèi)存（PC4000內(nèi)存）采用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質(zhì)相當(dāng)不錯，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表面被鍍成了金色。內(nèi)存顆粒方面，這款內(nèi)存采用了三星的內(nèi)存顆粒，具體型號為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規(guī)格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標(biāo)準(zhǔn)工作電壓2.6V+-0.1V，標(biāo)準(zhǔn)運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，性能將就。
　　金邦（Geil）
　　金邦科技股份有限公司是世界上專業(yè)的內(nèi)存模塊制造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字注冊的內(nèi)存品牌，并以中文命名的產(chǎn)品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進入國內(nèi)市場，在極短的時間內(nèi)達到行業(yè)銷量遙遙領(lǐng)先。第一支"量身訂做，終身保固"記憶體模組的內(nèi)存品牌，首推"量身訂做"系列產(chǎn)品，使計算機進入最優(yōu)化狀態(tài)。在聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標(biāo)準(zhǔn)的情況下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美國上市。
　　金邦高性能、高品質(zhì)和高可靠性的內(nèi)存產(chǎn)品，引起業(yè)界和傳媒的廣泛關(guān)注。在過去幾年中，金邦內(nèi)存多次榮獲國內(nèi)權(quán)威雜志評為讀者首選品牌和編輯選擇獎，穩(wěn)奪國內(nèi)存儲器市場占有率三強。
　　金邦的Geil Platinum系列的DDR500內(nèi)存（PC4000），采用TSOPII封裝，使用了純銅內(nèi)存散熱片，可較妥善的解決內(nèi)存的散熱問題。采用六層低電磁干擾PCB板設(shè)計；單條容量256MB，在內(nèi)存芯片上做了整體打磨并上打上了Geil的印記，"號稱"使用了4ns的內(nèi)存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的內(nèi)存顆粒。額定工作頻率可達500MHz，在內(nèi)存參數(shù)方面這是默認為CL3，可達CL2.5。除此而外，其還有金條PC4200（DDR533）等款產(chǎn)品。
　　威剛（ADATA）
　　威剛的高頻內(nèi)存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款價格適宜的DDR500產(chǎn)品，CAS值為3，其沒有使用散熱片，在芯片上的標(biāo)簽顯示了Adata ID號。
　　八.圖解內(nèi)存的分類和命名方法
　　內(nèi)存命名方法
　　內(nèi)存命名方法

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