內存

目錄
·內存概述
·內存概念
·內存發(fā)展
·內存區(qū)別
·內存頻率
·內存檢測
·內存選購
·內存品牌




內存(Memory)在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存）。

內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows98系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內存中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的數據存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數據和程序放在內存上。



內存概述
內存就是存儲程序以及數據的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字符時，它就被存入內存中，當你選擇存盤時，內存中的數據才會被存入硬（磁）盤。在進一步理解它之前，還應認識一下它的物理概念。

內存一般采用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態(tài)隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新?lián)Q代產品，他允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

只讀存儲器（ROM）
ROM表示只讀存儲器（Read Only Memory），在制造ROM的時候，信息（數據或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機器掉電，這些數據也不會丟失。ROM一般用于存放計算機的基本程序和數據，如BIOS ROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。

隨機存儲器（RAM）
隨機存儲器（Random Access Memory）表示既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存于其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場上常見的內存條有256M／條、512M／條、1G／條等。

高速緩沖存儲器（Cache）
Cache也是我們經常遇到的概念，它位于CPU與內存之間，是一個讀寫速度比內存更快的存儲器。當CPU向內存中寫入或讀出數據時，這個數據也被存儲進高速緩沖存儲器中。當CPU再次需要這些數據時，CPU就從高速緩沖存儲器讀取數據，而不是訪問較慢的內存，當然，如需要的數據在Cache中沒有，CPU會再去讀取內存中的數據。

物理存儲器和地址空間
物理存儲器和存儲地址空間是兩個不同的概念。但是由于這兩者有十分密切的關系，而且兩者都用B、KB、MB、GB來度量其容量大小，因此容易產生認識上的混淆。初學者弄清這兩個不同的概念，有助于進一步認識內存儲器和用好內存儲器。

物理存儲器是指實際存在的具體存儲器芯片。如主板上裝插的內存條和裝載有系統(tǒng)的BIOS的ROM芯片，顯示卡上的顯示RAM芯片和裝載顯示BIOS的ROM芯片，以及各種適配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存儲器。

存儲地址空間是指對存儲器編碼（編碼地址）的范圍。所謂編碼就是對每一個物理存儲單元（一個字節(jié)）分配一個號碼，通常叫作“編址”。分配一個號碼給一個存儲單元的目的是為了便于找到它，完成數據的讀寫，這就是所謂的“尋址”（所以，有人也把地址空間稱為尋址空間）。

地址空間的大小和物理存儲器的大小并不一定相等。舉個例子來說明這個問題：某層樓共有17個房間，其編號為801～817。這17個房間是物理的，而其地址空間采用了三位編碼，其范圍是800～899共100個地址，可見地址空間是大于實際房間數量的。

對于386以上檔次的微機，其地址總線為32位，因此地址空間可達2的23次方,即4GB。但實際上我們所配置的物理存儲器通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等，遠小于地址空間所允許的范圍。

好了，現在可以解釋為什么會產生諸如：常規(guī)內存、保留內存、上位內存、高端內存、擴充內存和擴展內存等不同內存類型。




內存概念

這里需要明確的是，我們討論的不同內存的概念是建立在尋址空間上的。

IBM推出的第一臺PC機采用的CPU是8088芯片，它只有20根地址線，也就是說，它的地址空間是1MB。

PC機的設計師將1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及應用程序使用，高端的384KB則保留給ROM、視頻適配卡等系統(tǒng)使用。從此，這個界限便被確定了下來并且沿用至今。低端的640KB就被稱為常規(guī)內存即PC機的基本RAM區(qū)。保留內存中的低128KB是顯示緩沖區(qū)，高64KB是系統(tǒng)BIOS（基本輸入／輸出系統(tǒng)）空間，其余192KB空間留用。從對應的物理存儲器來看，基本內存區(qū)只使用了512KB芯片，占用0000至80000這512KB地址。顯示內存區(qū)雖有128KB空間，但對單色顯示器（MDA卡）只需4KB就足夠了，因此只安裝4KB的物理存儲器芯片，占用了B0000至B10000這4KB的空間，如果使用彩色顯示器（CGA卡）需要安裝16KB的物理存儲器，占用B8000至BC000這16KB的空間，可見實際使用的地址范圍都小于允許使用的地址空間。

在當時（1980年末至1981年初）這么“大”容量的內存對PC機使用者來說似乎已經足夠了，但是隨著程序的不斷增大，圖象和聲音的不斷豐富，以及能訪問更大內存空間的新型CPU相繼出現，最初的PC機和MS－DOS設計的局限性變得越來越明顯。



●1.什么是擴充內存？



到1984年，即286被普遍接受不久，人們越來越認識到640KB的限制已成為大型程序的障礙，這時，Intel和Lotus，這兩家硬、軟件的杰出代表，聯(lián)手制定了一個由硬件和軟件相結合的方案，此方法使所有PC機存取640KB以上RAM成為可能。而Microsoft剛推出Windows不久，對內存空間的要求也很高，因此它也及時加入了該行列。



在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定義了LIM－EMS，即擴充內存規(guī)范，通常稱EMS為擴充內存。當時，EMS需要一個安裝在I／O槽口的內存擴充卡和一個稱為EMS的擴充內存管理程序方可使用。但是I／O插槽的地址線只有24位（ISA總線），這對于386以上檔次的32位機是不能適應的。所以，現在已很少使用內存擴充卡�，F在微機中的擴充內存通常是用軟件如DOS中的EMM386把擴展內存模擬或擴充內存來使用。所以，擴充內存和擴展內存的區(qū)別并不在于其物理存儲器的位置，而在于使用什么方法來讀寫它。下面將作進一步介紹。



前面已經說過擴充存儲器也可以由擴展存儲器模擬轉換而成。EMS的原理和XMS不同，它采用了頁幀方式。頁幀是在1MB空間中指定一塊64KB空間（通常在保留內存區(qū)內，但其物理存儲器來自擴展存儲器），分為4頁，每頁16KB。EMS存儲器也按16KB分頁，每次可交換4頁內容，以此方式可訪問全部EMS存儲器。符合EMS的驅動程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。



●2.什么是擴展內存？



我們知道，286有24位地址線，它可尋址16MB的地址空間，而386有32位地址線，它可尋址高達4GB的地址空間，為了區(qū)別起見，我們把1MB以上的地址空間稱為擴展內存XMS（eXtend memory）。



在386以上檔次的微機中，有兩種存儲器工作方式，一種稱為實地址方式或實方式，另一種稱為保護方式。在實方式下，物理地址仍使用20位，所以最大尋址空間為1MB，以便與8086兼容。保護方式采用32位物理地址，尋址范圍可達4GB。DOS系統(tǒng)在實方式下工作，它管理的內存空間仍為1MB，因此它不能直接使用擴展存儲器。為此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下擴展內存的使用標準，即擴展內存規(guī)范XMS。我們常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理擴展內存的驅動程序。



擴展內存管理規(guī)范的出現遲于擴充內存管理規(guī)范。



●3.什么是高端內存區(qū)？



在實方式下，內存單元的地址可記為：



段地址：段內偏移



通常用十六進制寫為XXXX：XXXX。實際的物理地址由段地址左移4位再和段內偏移相加而成。若地址各位均為1時，即為FFFF：FFFF。其實際物理地址為：FFF0＋FFFF=10FFEF，約為1088KB（少16字節(jié)），這已超過1MB范圍進入擴展內存了。這個進入擴展內存的區(qū)域約為64KB，是1MB以上空間的第一個64KB。我們把它稱為高端內存區(qū)HMA（High Memory Area）。HMA的物理存儲器是由擴展存儲器取得的。因此要使用HMA，必須要有物理的擴展存儲器存在。此外HMA的建立和使用還需要XMS驅動程序HIMEM.SYS的支持，因此只有裝入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。



●4.什么是上位內存？



為了解釋上位內存的概念，我們還得回過頭看看保留內存區(qū)。保留內存區(qū)是指640KB～1024KB（共384KB）區(qū)域。這部分區(qū)域在PC誕生之初就明確是保留給系統(tǒng)使用的，用戶程序無法插足。但這部分空間并沒有充分使用，因此大家都想對剩余的部分打主意，分一塊地址空間（注意：是地址空間，而不是物理存儲器）來使用。于是就得到了又一塊內存區(qū)域UMB。



UMB（Upper Memory Blocks）稱為上位內存或上位內存塊。它是由擠占保留內存中剩余未用的空間而產生的，它的物理存儲器仍然取自物理的擴展存儲器，它的管理驅動程序是EMS驅動程序。



●5.什么是SHADOW（影子）內存？



對于細心的讀者，可能還會發(fā)現一個問題：即是對于裝有1MB或1MB以上物理存儲器的機器，其640KB～1024KB這部分物理存儲器如何使用的問題。由于這部分地址空間已分配為系統(tǒng)使用，所以不能再重復使用。為了利用這部分物理存儲器，在某些386系統(tǒng)中，提供了一個重定位功能，即把這部分物理存儲器的地址重定位為1024KB～1408KB。這樣，這部分物理存儲器就變成了擴展存儲器，當然可以使用了。但這種重定位功能在當今高檔機器中不再使用，而把這部分物理存儲器保留作為Shadow存儲器。Shadow存儲器可以占據的地址空間與對應的ROM是相同的。Shadow由RAM組成，其速度大大高于ROM。當把ROM中的內容（各種BIOS程序）裝入相同地址的Shadow RAM中，就可以從RAM中訪問BIOS，而不必再訪問ROM。這樣將大大提高系統(tǒng)性能。因此在設置CMOS參數時，應將相應的Shadow區(qū)設為允許使用（Enabled）。



●6、什么是奇/偶校驗？



奇/偶校驗（ECC）是數據傳送時采用的一種校正數據錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。



如果是采用奇校驗，在傳送每一個字節(jié)的時候另外附加一位作為校驗位，當實際數據中“1”的個數為偶數的時候，這個校驗位就是“1”，否則這個校驗位就是“0”，這樣就可以保證傳送數據滿足奇校驗的要求。在接收方收到數據時，將按照奇校驗的要求檢測數據中“1”的個數，如果是奇數，表示傳送正確，否則表示傳送錯誤。



同理偶校驗的過程和奇校驗的過程一樣，只是檢測數據中“1”的個數為偶數。

●1.什么是CL延遲？

CL反應時間是衡定內存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令后的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內存標準中，這個數值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對于內存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優(yōu)秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是一個不可不察的因素。

還有另的詮釋：內存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進入數據進行存取操作就緒狀態(tài)前等待內存響應的時間。

打個形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜，然后就等待服務員給你上菜。同樣的道理，內存延遲時間設置的越短，電腦從內存中讀取數據的速度也就越快，進而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內存標準組織認為以現在的動態(tài)內存技術還無法實現0或者1的延遲。

通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數字來表示一個內存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數字最為重要，它表示的是CAS Latency,也就是內存存取數據所需的延遲時間。第二個數字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數字分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數字一般而言是它們中間最大的一個。



總結



經過上面分析，內存儲器的劃分可歸納如下：



●基本內存 占據0～640KB地址空間。

●保留內存 占據640KB～1024KB地址空間。分配給顯示緩沖存儲器、各適配卡上的ROM和系統(tǒng)ROM BIOS，剩余空間可作上位內存UMB。UMB的物理存儲器取自物理擴展存儲器。此范圍的物理RAM可作為Shadow RAM使用。

●上位內存（UMB） 利用保留內存中未分配使用的地址空間建立，其物理存儲器由物理擴展存儲器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驅動程序設定。

●高端內存（HMA） 擴展內存中的第一個64KB區(qū)域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。

●XMS內存 符合XMS規(guī)范管理的擴展內存區(qū)。其驅動程序為HIMEM.SYS。

●EMS內存 符合EMS規(guī)范管理的擴充內存區(qū)。其驅動程序為EMM386.EXE等。

內存：隨機存儲器（RAM），主要存儲正在運行的程序和要處理的數據。



內存發(fā)展

在計算機誕生初期并不存在內存條的概念，最早的內存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管理組成的一個雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特（BIT)的存儲器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象,一間的機房只能裝下不超過百k字節(jié)左右的容量。后來才出線現了焊接在主板上集成內存芯片，以內存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務來說卻已經綽綽有余了。



內存條的誕生



內存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發(fā)展造成了現實的阻礙。有鑒于此，內存條便應運而生了。將內存芯片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內存插槽。這樣就把內存難以安裝更換的問題徹底解決了。



在80286主板發(fā)布之前，內存并沒有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，對于當時PC所運行的工作程序來說，這種內存的性能以及容量足以滿足當時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現，程序和硬件對內存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“內存條”概念。



在80286主板剛推出的時候，內存條采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，單邊接觸內存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8 片數據位和1 片校驗位組成1 個bank，正因如此，我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內存是內存領域的開山鼻祖。



隨后，在1988 ～1990 年當中，PC 技術迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代，此時CPU 已經向16bit 發(fā)展，所以30pin SIMM 內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM 內存出現了，72pin SIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB ～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pin SIMM 內存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內存淘汰出局了。



EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外擴充數據模式存儲器）內存，這是1991 年到1995 年之間盛行的內存條，EDO-RAM同FP DRAM極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。



在1991 年到1995 年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內存技術發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情況，事實上EDO 內存也屬于72pin SIMM 內存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時單條EDO 內存的容量已經達到4 ～16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。



SDRAM時代



自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主板芯片組推出后，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。



第一代SDRAM 內存為PC66 規(guī)范，但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內存很快就被PC100內存取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數據總線寬度，因此它只需要一條內存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO 內存。



不可否認的是，SDRAM 內存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規(guī)范的內存。



盡管SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃，所以SDRAM PC133內存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM內存（稱為RDRAM內存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的復雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。



在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM內存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏，Rambus DRAM內存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，因此內存帶寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits帶寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。



盡管如此，Rambus RDRAM 內存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 內存因出現Intel820 芯片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 內存面前。



DDR時代



DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本， DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統(tǒng)SDRAM的兩倍。由于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控制信號則與傳統(tǒng)SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。



DDR 內存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內存帶寬上的不足。第一代DDR200 規(guī)范并沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鐘×2倍數據傳輸＝266MHz帶寬）是由PC133 SDRAM內存所衍生出的，它將DDR 內存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在采用DDR266規(guī)格的內存，其后來的DDR333內存也屬于一種過度，而DDR400內存成為目前的主流平臺選配，雙通道DDR400內存已經成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨后的DDR533 規(guī)范則成為超頻用戶的選擇對象。



DDR2時代



隨著CPU 性能不斷提高，我們對內存性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標準，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平臺開始對DDR2內存的支持，所以DDR2內存將開始演義內存領域的今天。



DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運行于1.8V 電壓上，從而進一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升內存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將采用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。



內存技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài)內存在五年內不會普及。QBM與RDRAM內存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。

PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重

要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是目前大多數較新的芯片組支持的一種內存標準，VCM內存主要根據由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM”技術制造而成，它集成了“通道緩存”，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著對傳統(tǒng)SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM內存稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經過CPU處理的數據，都可先交于VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以后的數據，所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20％以上。目前可以支持VCM SDRAM的芯片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。

3．RDRAM

Intel在推出：PC-100后，由于技術的發(fā)展，PC-100內存的800MB／s帶寬已經不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高并不大(1064MB／s)，同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯(lián)合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)，如圖4-3所示。

Rambus DRAM是：Rambus公司最早提出的一種內存規(guī)格，采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機)理論，從而可以減少數據的復雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2＝800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz／8)1.6GB／s，相當于PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保留比特，可能以后會作為：ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內嵌式內存模塊)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高內存的工作頻率。不過在高頻率下，其發(fā)出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內存甚至需要自帶散熱風扇。




內存區(qū)別

DDR2與DDR的區(qū)別

與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當于DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。



與雙倍速運行的數據緩沖相結合，DDR2內存實現了在每個時鐘周期處理多達4bit的數據，比傳統(tǒng)DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。

然而，盡管DDR2內存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。



DDR2的定義：



DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預�。�。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。



此外，由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎�；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術的極限，已經很難通過常規(guī)辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發(fā)展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。



DDR2與DDR的區(qū)別：



在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。



1、延遲問題：

從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。



這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，后者的內存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。



2、封裝和發(fā)熱量：

DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。



DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。



DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。



DDR2采用的新技術：

除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。



OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。



ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。



Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。





總的來說，DDR2采用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。




內存頻率
內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內存頻率室333MHz和400MHz的DDR內存，以及533MHz和667MHz的DDR2內存。



大家知道，計算機系統(tǒng)的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內存本身并不具備晶體振蕩器，因此內存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發(fā)生器提供的，也就是說內存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。



DDR內存和DDR2內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。



內存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內存異步工作模式。首先，最早的內存異步工作模式出現在早期的主板芯片組中，可以使內存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內存性能或者使老內存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了)，只不過搭配不同的內存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調低內存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內存同步的工作模式下，此時內存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內存設置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內存可以達到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標準頻率)，由此可見，正確設置內存異步模式有助于超頻成功。



目前的主板芯片組幾乎都支持內存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。




內存檢測


擁有一個完全可靠的 CPU 的確很重要，但擁有一個非常穩(wěn)固的 RAM 芯片也很重要。有些人認為 SIMMS 和 DIMMS永遠不會壞，從不需要測試。不幸的是，這種想法是錯誤的 -- 壞的內存非常普遍，我們都需要注意內存問題。另有一些人認為如果可能有壞的 RAM，引導時 BIOS 內存檢查會檢測出所有的 RAM 錯誤。這種想法也是錯誤的；BIOS 內存檢查檢測不到許多壞的 RAM，所以不要讓 BIOS 檢查給您一種安全的錯覺。



壞內存癥狀

這里有一些警告跡象指出您的機器包含壞的RAM,當同時裝載大量的程序時，不時有某個程序無明顯原因地死掉。不時地，打開一個文件時，顯示文件被毀壞。如果稍后打開，文件看起來又好了。

可參閱 電腦內存故障 詞條



Memtest86



Memtest86是極品內存檢測軟件,是一款免費的內存測試軟件，測試準確度比較高，內存的隱性問題也能檢查出來!是一款基于Linux核心的測試程序，所以它的安裝和使用和其它內存測試軟件有些不同。將Memtest86程序下載解壓縮后，我們可以看到4個文件，其中Install.exe用來安裝Memtest86程序到軟盤。雙擊運行這個程序，在彈出窗口中的“Enter Target diskette drive：”后輸入你的軟盤驅動器的盤符，如a，然后回車。插入一張格式化過的軟盤，單擊回車開始安裝，這樣Memtest86就安裝到軟盤了。前面我們說過Memtest86是基于Linux核心的，所以在Windows資源管理器里我們看不到軟盤上的內容（不要誤認為軟盤里沒有內容）。如果沒有軟驅，Memtest86的主頁有該軟件的ISO文件，可以直接刻錄到光盤，用光驅啟動后進行測試。



DocMemory



“內存神醫(yī)”是一種先進的電腦內存檢測軟件。它的友善的用戶界面使用方便，操作靈活。它可以檢測出所有電腦內存故障。“內存神醫(yī)”使用嚴謹的測試算法和程序檢測電腦基本內存和擴展內存。用戶無需拆除內存條即可進行檢測。從網上下載的初裝軟件可以生成一個自行起動的“內存神醫(yī)”測試軟盤。只要將這個軟盤插入欲測電腦的軟驅內并起動電腦即可開始內存檢測�！皟却嫔襻t(yī)”提供十種精密的內存檢測程序，其中包括MATS，MARCH+，MARCHC-，以及CHECKERBOARD等。選用老化測試可以檢測出95%以上內存軟故障。用戶可以使用鼠標器方便的選擇檢測程序和設定測試參數。



內存選購
內存的優(yōu)劣是決定計算機性能的另一個重要部件，它在所有電腦配件中的地位十分特殊，因為CPU進行數據處理時總是先到內存找，找不到再到硬盤找。品質優(yōu)異的內存，穩(wěn)定性好，與主板兼容性好，可長時間保持不死機，運行大型軟件或3D游戲也相當流暢（在保證一定的容量的情況下），因此，一條好的較大容量的內存是配置一臺好電腦所必須的

內存接口類型

接口類型是根據內存條金手指上導電觸片的數量來劃分的，金手指上的導電觸片也習慣稱為針腳數（Pin）。因為不同的內存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數各不相同。

那些牌子的內存比較好啊？

多年以來，大多數用戶在裝機時會首先選擇市場上的兼容內存條。因為從裝機者的角度考慮，兼容內存條的價格較之品牌內存條低了不少，這也是在很大程度上決定了消費者的購買取向。不過隨著過去一年內存價格的起伏跌宕，使得兼容內存條的價格優(yōu)勢已經不再那么明顯。越來越多的裝機者開始關注品牌內存，為了能讓消費者更好地了解市場上品牌內存的特點，筆者今天就給大家做一些這方面的介紹�？匆豢雌放苾却娴膬�(yōu)勢到底在哪里？

內存單通道和雙通道是什么意思？

在這里筆者提醒大家：并不是選購了支持P4超線程的CPU就可以實現“超線程”技術，或者購入了兩條內存就可以實現雙通道！其實，無論是“超線程”還是“雙通道”都需要硬件(CPU、主板、芯片組等)和軟件(如操作系統(tǒng)、相應軟件)相互配合支持才能真正實現。



現在是買兩條512MB還是1GB好��？

一般認為，兩條512MB內存的工作性能絕對要比單條1GB內存更為出色，前提是主板支持雙通道內存。兩條512MB內存構成雙通道效果會比一條1GB的內存效果好，因為一條內存無法構成雙通道。 當然也有不同看法，主要原因是為了以后方便升級到2GB。



內存測試

有一個完全可靠的 CPU 的確很重要，但擁有一個非常穩(wěn)固的 RAM 芯片也很重要。有些人認為 SIMMS 和 DIMMS 永遠不會壞，從不需要測試。不幸的是，這種想法是錯誤的 -- 壞的內存非常普遍，我們都需要注意內存問題。另有一些人認為如果可能有壞的 RAM，引導時 BIOS 內存檢查會檢測出所有的 RAM 錯誤。這種想法也是錯誤的；BIOS 內存檢查檢測不到許多壞的 RAM，所以不要讓 BIOS 檢查給您一種安全的錯覺。




內存品牌
為了讓大家更好的了解市場上有哪些發(fā)燒內存條可供選用，下面我們以廠商為列做個概括介紹。

現代（HY）

個人認為，原廠現代和三星內存是目前兼容性和穩(wěn)定性最好的內存條，其比許多廣告吹得生猛的內存條要來得實在得多，此外，現代"Hynix（更專業(yè)的稱呼是海力士半導體Hynix Semiconductor Inc.）"的D43等顆粒也是目前很多高頻內存所普遍采用的內存芯片。目前，市場上超值的現代高頻條有現代原廠DDR500內存，采用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內存芯片，其性價比很不錯。



金士頓（Kingston）

作為世界第一大內存生產廠商的Kingston，其金士頓內存產品在進入中國市場以來，就憑借優(yōu)秀的產品質量和一流的售后服務，贏得了眾多中國消費者的心。

不過Kingston雖然作為世界第一大內存生產廠商，然而Kingston品牌的內存產品，其使用的內存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產品，更多的則是現代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內存顆粒。

Kingston的高頻內存有采用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內存等，其分屬ValueRam系列（經濟型）和HyperX系列。

Kingston的ValueRam系列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯，Kingston 500MHz的HyperX超頻內存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，采用鋁制散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。



利屏

利屏是進來新近崛起的一個內存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設在美國西部風景如畫的世界高科技重鎮(zhèn)舊金山。公司致力于研發(fā)、生產和銷售利屏LPT極限高端內存條產品。公司擁有一支技術過硬的產品研發(fā)團隊和足跡遍及中、外的專業(yè)銷售隊伍。產品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以“超頻之神”的美譽。

“利屏”眼鏡蛇DDR400系列內存也是專門為追求性能的玩家所設計，它采用的也是D43的顆粒，但是時序更高，為了加強散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當強勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內存，它采用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運行在DDR466的時候內存時序為3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。

而利屏的高端極限內存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構，每條內存的表面均有銅質散熱片進行散熱及確保運行的穩(wěn)定性，其CAS值均為3，只能說剛好能用而已。



勤茂（TwinMOS）

勤茂（TwinMOS）CAS為2的DDR433內存，采用CSP技術封裝—這款，勤茂DDR433內存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指數不錯。此外，內存外面包裹著金黃色內存罩，能起到散熱和屏蔽的作用，內存顆粒與散熱片之間則填充了導熱的墊片。價格在350元左右，其可超性也不含糊，性價比不錯。



勝創(chuàng)（Kingmax）

成立于1989年的勝創(chuàng)科技有限公司是一家名列中國臺灣省前200強的生產企業(yè)（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內存模組的引領生產廠商。

通過嚴格的質量控制和完善的研發(fā)實力，勝創(chuàng)科技獲得了ISO-9001證書，同時和IT行業(yè)中最優(yōu)秀的企業(yè)建立了合作伙伴關系。公司以不斷創(chuàng)新的設計工藝和追求完美的信念生產出了高性能的尖端科技產品，不斷向移動計算領域提供價廉物美的最出色的內存模組。

在SDRAM時期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內存產品的高速時代，也奠定了Kingmax在內存領域領先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現在的500，Kingmax始終保持著領先的位置，繼續(xù)引領著內存發(fā)展的方向。說到KingMax內存，就不能不說到它獨特的 “TinyBGA”封裝技術專利——作為全球領先的DRAM生產廠商，勝創(chuàng)科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封裝技術的內存模組，這項屢獲殊榮的封裝技術能以同樣的體積大小封裝3倍于普通技術所達到的內存容量。同時，勝創(chuàng)科技還研制了為高端服務器和工作站應用設計的1GB StackBGA模組、為DDR應用設計的FBGA模組以及為Rambus RIMM應用設計的速度高達1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。

Kingmax勝創(chuàng)推出的低價版的DDR433內存產品，該產品采用傳統(tǒng)的TSOP封裝內存芯片，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRam PC3500系列的售價和PC3200處于同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內存產品，其性能和其它廠家的同類產品大同小異。



海盜旗（Corsair）

Corsair（海盜旗）是一家較有特點的內存品牌，其內存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內存顆粒上，一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）內存，其在DDR400下，可以穩(wěn)定運行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和尋址時間縮短為原來的一半，這款內存并不比一些DDR500產品差，而且Corsair為這種內存提供終身保修。

而Corsair DDR500內存采用Hynix芯片，這款XMS4000能穩(wěn)定運行在DDR500，并且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，性能還算不錯。



宇瞻（Apacer）

在內存市場，Apacer一直以來都有著較好的聲譽，其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時，在DDR內存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團，實力非常雄厚。初期專注于內存模組行銷，并已經成為全球前四大內存模組供應商之一。據權威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產品銷量與目在前國內排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內目前沒有坐到龍頭位置，是因為宇瞻對于品牌宣傳一直比較低調，精力更多投入到產品研發(fā)生產而不是品牌推廣當中。

最近，宇瞻相應推出的"宇瞻金牌內存"系列。宇瞻金牌內存產品線特別為追求高穩(wěn)定性、高兼容性的內存用戶而設計。宇瞻金牌內存堅持使用100％原廠測試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基于現有最新的DDR內存技術標準設計而成，經過ISO 9002認證之工廠完整流程生產制造。采用20微米金手指高品質6層PCB板，每條內存都覆蓋有美觀精質的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高端的Advantest測試系統(tǒng)檢測后，采用高速SMT機臺打造，經過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試，并經過全球知名系統(tǒng)及主板大廠完全兼容性測試，品質與兼容性都得到最大限度的保證。

宇瞻的DDR500內存（PC4000內存）采用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質相當不錯，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表面被鍍成了金色。內存顆粒方面，這款內存采用了三星的內存顆粒，具體型號為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規(guī)格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標準工作電壓2.6V+-0.1V，標準運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，性能將就。



金邦（Geil）

金邦科技股份有限公司是世界上專業(yè)的內存模塊制造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字注冊的內存品牌，并以中文命名的產品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進入國內市場，在極短的時間內達到行業(yè)銷量遙遙領先。第一支"量身訂做，終身保固"記憶體模組的內存品牌，首推"量身訂做"系列產品，使計算機進入最優(yōu)化狀態(tài)。在聯(lián)合電子設備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標準的情況下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美國上市。

金邦高性能、高品質和高可靠性的內存產品，引起業(yè)界和傳媒的廣泛關注。在過去幾年中，金邦內存多次榮獲國內權威雜志評為讀者首選品牌和編輯選擇獎，穩(wěn)奪國內存儲器市場占有率三強。

金邦的Geil Platinum系列的DDR500內存（PC4000），采用TSOPII封裝，使用了純銅內存散熱片，可較妥善的解決內存的散熱問題。采用六層低電磁干擾PCB板設計；單條容量256MB，在內存芯片上做了整體打磨并上打上了Geil的印記，"號稱"使用了4ns的內存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的內存顆粒。額定工作頻率可達500MHz，在內存參數方面這是默認為CL3，可達CL2.5。除此而外，其還有金條PC4200（DDR533）等款產品。



威剛（ADATA）

威剛的高頻內存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款價格適宜的DDR500產品，CAS值為3，其沒有使用散熱片，在芯片上的標簽顯示了Adata ID號。



OCZ

OCZ的高頻內存在市場上也越來越常見，如OCZ 3700 Gold，使用三星TCB3芯片，采用改良的散熱片，標上有OCZ ID號及標準速度，其可以達到DDR500的水準，在DDR400/500下其CAS值均為2.5，還算不錯。

• 通信詞典解釋