百科解釋
多項目晶圓(Multi Project Wafer,簡稱MPW)就是將多個具有相同工藝的集成電路設計放在同一晶圓片上流片,流片后,每個設計品種可以得到數(shù)十片芯片樣品,這一數(shù)量對于設計開發(fā)階段的實驗、測試已經(jīng)足夠。而實驗費用就由所有參加MPW的項目按照芯片面積分攤。實際成本僅為原來的5%-10%,極大地降低了培養(yǎng)集成電路研發(fā)階段的費用門檻,也為集成電路設計師的大膽創(chuàng)新提供了一個寬松的設計環(huán)境,有效地推動了集成電路的發(fā)展。 開展MPW服務的創(chuàng)意最早出自美國,叫做MOSIS(MOS Implementation Service)。美國國防部軍用先進研究項目管理局(DARPA)于1980年在其所屬的研究院內(nèi)建立了第一個非贏利的MPW加工服務機構(gòu)MOSIS,主要是為軍用集成電路服務。1985年,DARPA與NSF(National Science Foundation)把這一服務向美國大學集成電路設計課程的教學實驗開放。1986年,這一服務進一步向企業(yè)界開放。到了1995年,美國以外的教學機構(gòu)和企業(yè)也可以參加MOSIS組織的流片服務。據(jù)不完全統(tǒng)計,MOSIS自建立以來已經(jīng)為超過45000個的集成電路設計項目提供了MPW流片服務。 目前,不少國家和地區(qū)都已建立了類似的服務機構(gòu),如歐洲的EUROPRACTICE、法國的CMP、韓國的IDEC、日本的VDEC、加拿大的CMC、臺灣的CIC等,這些機構(gòu)專門研究和處理專用集成電路設計付諸工藝流片過程中所遇到的問題。它們的工作包括面向工藝廠家和ASIC設計兩個方面:對工藝廠家的工作主要是:規(guī)范各個集成電路廠家的工藝,制定內(nèi)容統(tǒng)一、技術(shù)先進,且為各工藝廠家接受的設計規(guī)則,并將其提供給準備進行工藝流片的ASIC設計師;對ASIC設計師的主要工作是:制定各類標準加工框架結(jié)構(gòu),對各個項目的設計芯片進行整合,統(tǒng)一加工,達到降低研制費用,加快研制過程的目的,同時也充分發(fā)揮了工藝線的能力,提高了設計水平,推動了新品研制。 世界上在集成電路研究開發(fā)方面領(lǐng)先的國家與地區(qū),先后于80-90年代建立并實施了大規(guī)模的MPW計劃,由此培育了眾多的中小集成電路設計企業(yè),培養(yǎng)了大批集成電路設計力量,完成了大量集成電路設計項目的開發(fā)工作。 近幾年來,借鑒國外的先進經(jīng)驗,國內(nèi)民用集成電路的MPW服務已經(jīng)開展起來,如復旦大學、上海集成電路設計研究中心(ICC)、南京東南大學、清華大學、北京大學都已經(jīng)開展了MPW服務,收到了較好的效果,促進了我國IC設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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