banner.jpg)
為滿足5G基地臺高頻需求，拉高整合層級的砷化鎵制程將是勢在必行。 由于功率表現(xiàn)上的優(yōu)勢，砷化鎵顯然在4G功率放大器(PA)市場，透過與CMOS制程的角力，奪得一片天。 但朝向未來的5G，在功率表現(xiàn)上更具優(yōu)勢的氮化鎵制程，卻開始緊追在后。 因此，促使砷化鎵逐步達成one-chip解決方案的SoC，藉此高效率地滿足5G基地臺的高頻需求，將會是砷化鎵與氮化鎵產(chǎn)生差異的關(guān)鍵。
穩(wěn)懋半導(dǎo)體技術(shù)處長王文凱指出，現(xiàn)階段來看，「價格」仍是砷化鎵制程難以完全取代CMOS制程的原因，具有價格優(yōu)勢的CMOS制程，能掌握諸多對功率較不講究的應(yīng)用市場。 這恐怕是砷化鎵制程永遠也無法超越CMOS制程之處，因此該公司相當重視在5G高頻基礎(chǔ)建設(shè)(Infrastructure)的發(fā)展，主要的原因在于，若沒有回程線路(Backhaul)的網(wǎng)絡(luò)，即便手機有再多的mmWave功能，也是沒有用的。
由于砷化鎵制程在價格上的致命傷，若要在智能型手機等消費性產(chǎn)品上與CMOS制程拼出高下，顯然不是智能之舉。 因此從5G基礎(chǔ)建設(shè)著手，也就成為業(yè)界在推展砷化鎵制程上的一大方向，即便這樣的發(fā)展，往往在一般消費性市場較不顯著，但現(xiàn)已是推動功率半導(dǎo)體大步向前的一大動能。
王文凱進一步表示，小型基地臺(Small Cell)是我們希望未來砷化鎵制程所能著墨之處，主要的原因在于其在價格上的容忍度，相較于手機應(yīng)用是比較高的，且其并不是便攜設(shè)備，必須在建筑物上插電(Plug-in)，對功率表現(xiàn)度的要求也比較高。
就整體市場來看，砷化鎵若要在高整合度的CMOS制程，與高功率表現(xiàn)度的氮化鎵(GaN)制程之間，發(fā)揮所長，其勢必得透過制程與封裝，持續(xù)將整合度的層級拉高。
王文凱進一步指出，相較于氮化鎵制程，砷化鎵較有機會做到one-chip解決方案，因氮化鎵若要達到此類型的解決方案，所須耗費的時間非常長，這也就讓砷化鎵很有潛力成為僅次硅，達成SoC的唯一制程。 因此，在功率上優(yōu)于CMOS制程、在整合度上優(yōu)于氮化鎵的砷化鎵，也就能在5G的中功率裝置上，發(fā)揮出相當?shù)膬r值。
王文凱也透露，多數(shù)人對砷化鎵制程的印象，停留在手機的假晶高速電子移動晶體管(pHEMT)，不過事實上，GaAs pHEMT如今在電信營運商所部署的基站Backhaul已扮演相當重要的角色，且頻率達到90GHz以上，這包含了數(shù)據(jù)中心里的光纖(Fiber)、基地臺上運用微波方式來傳遞訊號的天線等，都是GaAs pHEMT的應(yīng)用范疇。a
通信，拉近世界的距離！
滿足5G基站高頻需求 砷化鎵SoC勢在必行發(fā)布: 2017-06-06 09:51 | 作者: | 來源: 物聯(lián)網(wǎng)在線 | 字體: 小 中 大 
相關(guān)專題：
5G
掃碼關(guān)注5G通信官方公眾號,免費領(lǐng)取以下5G精品資料
|
本周熱點本月熱點
最熱通信招聘業(yè)界最新資訊
最新招聘信息最新技術(shù)文章最新論壇貼子 |
||||
