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目前，全球手機都以低數(shù)據(jù)速率的GSM/EDGE規(guī)格為主流，不過隨著智能手機和上網本等的普及，支持更高速率規(guī)格的無線LSI的開發(fā)也越來越活躍。在“ISSCC 2010”的Session 3“Cellular Techniques”上，繼去年之后再次發(fā)布了旨在進一步實現(xiàn)高集成化、高功能化、高數(shù)據(jù)速率化以及低成本化的最尖端RF收發(fā)器/SoC。
首先進行發(fā)布的是瑞士的大學風險企業(yè)Advanced Circuit Pursuit（ACP）。該公司發(fā)布了可通過雙載波下行鏈路（Downlink Dual Carrier，DLDC）實現(xiàn)1.2Mbps數(shù)據(jù)速率的Evolved-EDGE接收器，演講序號是“3.1”；還發(fā)布了通過內置DC-DC轉換器和直接連接電池，可以削減封裝部件個數(shù)的WCDMA/HSPA收發(fā)器，演講序號是“3.3”。在對噪聲有嚴格要求的無線LSI中內置DC-DC轉換器的嘗試值得關注。另外，該芯片還內置了可以減輕二次失真的功能，無需對每個芯片進行校準，并去掉了SAW濾波器。
另一方面，美國德州儀器（Texas Instruments）發(fā)布了通過數(shù)字處理進行幅度調制的極性（Polar）EDGE發(fā)送器，演講序號是“3.2”�？梢詳�(shù)字補償由于元件特性的不穩(wěn)定等產生的RF失配，并去掉了SAW濾波器。在全球，數(shù)據(jù)收發(fā)的主流規(guī)格是EDGE而非WCDMA，因此特別著眼于EDGE規(guī)格推進了數(shù)字化。
后半場的五項發(fā)布都是專門用于提高便攜無線LSI性能的技術。荷蘭恩智浦半導體（NXP Semiconductors）作為實現(xiàn)WCDMA規(guī)格“無SAW”發(fā)送器的技術，發(fā)布了基于32倍過采樣混合（Over Sample Mixing）的數(shù)字前端，演講序號是“3.4”。通過45nm工藝試制的芯片，獲得了2％的良好EVM（失真特性）。
瑞士ST-Ericsson實現(xiàn)了采用Δ-Σ型ADC直接降頻（Down Conversion）RF信號的900MHz頻帶接收器，演講序號是“3.5”。將ADC后的信號反饋為輸入信號，并減少了干擾波、提高了線性。面向軟件無線電技術邁出了一大步。
東芝發(fā)布了內置有可高速控制高線性片上PA的前饋技術的Cartesian線圈發(fā)送器（Loop Transmitter），演講序號為“3.6”。序號為“3.6”的演講表明，在通過0.13μm試制的發(fā)送器與外部PA的評測中，還可支持WiMAX 規(guī)格的寬帶特性。
韓國三星發(fā)布了通過基于LC共振的窄帶帶通濾波器，提高手機用GPS接收器干擾波消除效果的技術，演講序號為“3.7”。通過65nmCMOS工藝進行了試制，證實了良好的阻斷（Blocking）特性。
最后的發(fā)表來自美國哥倫比亞大學，內容是在數(shù)字助理（Digital Assist）環(huán)境（Background）下的RF特性校準技術，演講序號是“3.8”。通過基于0.13μmCMOS工藝的1.8GHz頻帶工作前端，將作為便攜用芯片重要指標的二次失真特性大幅提高了60dB。
要求低成本、高數(shù)據(jù)速率和低功耗的高集成度手機用無線CMOSLSI的技術發(fā)展，每年都有讓人瞠目而視的內容，筆者今后將繼續(xù)關注。
