存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域 中國迎來打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)

參考消息網(wǎng)9月11日?qǐng)?bào)道 港媒稱，紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3D NAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用的需求，這也是中國首款64層三維閃存芯片，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)，被視為中國打破美日韓壟斷關(guān)鍵一戰(zhàn)。

據(jù)香港《大公報(bào)》近日?qǐng)?bào)道，長江存儲(chǔ)官網(wǎng)消息，上海中國國際半導(dǎo)體博覽會(huì)舉行前夕，公司宣布已開始量產(chǎn)基于XtackingR架構(gòu)的64層“三階儲(chǔ)存單元”3D NAND閃存。作為中國首款64層3D NAND閃存，該產(chǎn)品將亮相博覽會(huì)紫光集團(tuán)展臺(tái)。

所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲(chǔ)存單元堆疊起來，形成多層結(jié)構(gòu)提供容量，使原本只有1層的儲(chǔ)存單元堆疊成64層或更多層。

縮短產(chǎn)品上市周期

報(bào)道指出，長江存儲(chǔ)64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高存儲(chǔ)密度。創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，相比傳統(tǒng)三維閃存架構(gòu)可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

長江存儲(chǔ)相關(guān)負(fù)責(zé)人向《大公報(bào)》表示，長江存儲(chǔ)64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)，將使中國與世界一線三維閃存企業(yè)的技術(shù)差距縮短到兩年以內(nèi)。

紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京表示，長江存儲(chǔ)進(jìn)入到這個(gè)領(lǐng)域之前，國內(nèi)一直沒有大規(guī)模存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)，未來，隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)的發(fā)展，人類對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求是越來越高，三維閃存存儲(chǔ)芯片是高端芯片一個(gè)重要領(lǐng)域，它的量產(chǎn)也標(biāo)志著中國離國際先進(jìn)水平又大大跨近一步，把中國產(chǎn)品水平跟海外的先進(jìn)水平縮短到了一代。

明年底月產(chǎn)六萬片晶圓

報(bào)道稱，存儲(chǔ)芯片競爭激烈，三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭在產(chǎn)能上持續(xù)投入。2018年，64層、72層的3D NAND閃存就已經(jīng)是主力產(chǎn)品，2019年開始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品，到2020年，大廠們即將進(jìn)入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。

業(yè)界有關(guān)人士分析，長江儲(chǔ)存發(fā)展迅速，但目前表態(tài)保守，其雖然未公布量產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計(jì)2020年底其可望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的水平。

據(jù)報(bào)道，長江存儲(chǔ)64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國存儲(chǔ)芯片自產(chǎn)率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存量產(chǎn)消息別具意義。

業(yè)界預(yù)測，長江存儲(chǔ)最快明年跳過96層直接進(jìn)入128層三維閃存，實(shí)現(xiàn)彎道超車。據(jù)悉，長江存儲(chǔ)已推出Xtacking2.0規(guī)劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等，相關(guān)產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。

長江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓（長江存儲(chǔ)官網(wǎng)）