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來源：威鋒網(wǎng)
華為“閃存門”事件從4月份開始至今并未平息，主要還是因為消費者對華為的官方說法并不滿意，因為華為一直強調(diào)自己不背鍋，畢竟是供應(yīng)鏈UFS閃存缺貨造成的影響。關(guān)鍵是華為還認為eMMc與UFS不同閃存不會影響系統(tǒng)體驗一致性。不得不說，這是華為公關(guān)失敗的典型案例。不過，現(xiàn)在同樣類似的事件似乎出現(xiàn)在了三星的新旗艦Galaxy S8上。
三星新旗艦Galaxy S8和S8+已經(jīng)在全球多地正式上市了，三星官方稱該機子目前已經(jīng)打破了Galaxy S7系列同一時間段內(nèi)的銷量記錄。雖然國行要等到5月18才召開發(fā)布會，并且5月25日才正式上市，但是對該機子期待的機友不少，于是就有用戶深扒Galaxy S8的閃存，包括親自動手，查看各種評測、拆解和介紹，相互交流測試等。
Galaxy S8和S8+混用UFS閃存是怎么回事？
事件爆發(fā)于知名的xda技術(shù)論壇，其中一位技術(shù)愛好者lch920619x最早對此進行了研究，他自己購買的Exynos 8895版Galaxy S8（SM-G950FD）所采用的是UFS 2.1閃存（型號KLUCG4J1ED–B0C1），不過他懷疑可能有其他機友可能情況有所不同，于是他發(fā)起了調(diào)查，呼吁大家對手上的S8和S8+進行測試。
結(jié)果一些機友他們通過測試后發(fā)現(xiàn)，S8竟然混用了UFS 2.0和UFS 2.1兩種閃存，只有S8+使用了UFS 2.1閃存。然而，三星官方介紹中，并沒有具體區(qū)分UFS閃存的介紹，所有宣傳介紹的都是UFS 2.1。更有意思的是，三星竟然還悄悄修改了UFS 2.1在參數(shù)信息中的介紹。
修改之前：
修改之后：
越來越多的機友繼續(xù)對手上的Galaxy S8和S8+進行測試，從下面這種調(diào)查大家不難發(fā)現(xiàn)，目前參與的近180個Galaxy S8樣本中。 高通 驍龍835版機型UFS 2.0和UFS 2.1混用的情況是一半對一半（20.34%對20.34%），而Exynos 8895版極少UFS 2.0，有57%超過半數(shù)的用戶仍得到了UFS 2.1閃存，只有2.26%的用戶，得到是UFS 2.0。換句話說，UFS 2.0的可能性為兩成，也就是10臺中有2臺的幾率。
如何測試是UFS 2.0還是UFS 2.1？
關(guān)于手頭上的旗艦級如何識別閃存的方法，經(jīng)歷了華為閃存門之后很多機友已經(jīng)很清楚了。首先是通過Androbench可以大概測試出來。UFS 2.0和UFS 2.1在性能上有所不同，前者讀取速度在500MB/s-600MB/s左右，后者則是750MB/s-800MB/s左右。
而判斷手機采用的是哪一類型的閃存，則可以通過Material Terminal終端模擬器，輸入cat/proc/scsi/scsi指令，可以獲得閃存供應(yīng)商的型號，在對應(yīng)下官方說明即可得知。
三星混用UFS閃存用戶反應(yīng)不一
三星是全球最大的NAND供應(yīng)商，按道理說應(yīng)該能滿足UFS 2.1閃存的供應(yīng)需求，而且三星還從東芝下了大批量的訂單，就是為保證供應(yīng)鏈。但目前的情況是，只有更大、更昂貴的Galaxy S8+旗艦確定使用了UDS 2.1，而Galaxy S8存在一定購買到UFS 2.0閃存版本的幾率。
雖然對于日常使用而來說，UFS 2.1和UFS 2.0之間的性能差異大量機友都區(qū)別不出來，唯有eMMc差異感受最大，畢竟eMMc很容易達到性能瓶頸，尤其在大量轉(zhuǎn)移文件的時候，而UFS 2.0則不然，你使用App，聽歌，看視頻或瀏覽文件的加載都不受影響。但是，從理論上來講UFS 2.0和UFS 2.1閃存之間的差異是客觀存在的，這個差異足以讓OEM廠商吹捧自家手機的優(yōu)越性。
作為消費者，看到三星混用UFS閃存完全有理由被激怒。對此開始有機友表示，三星同樣不靠譜，竟然步入華為后塵，混用UFS 2.0和UFS 2.1閃存。而且三星使用了與華為相同的套路，默默修改官網(wǎng)介紹。要知道，那么昂貴的一款年度旗艦級，也玩混用閃存，況且三星還是自給自足的情況下，實在讓人不爽。
當(dāng)然了，也有網(wǎng)友表示，三星不像華為那么無恥，華為使用的是性能差異巨大的eMMc閃存，而且三星在修改之前和之后的官方頁面參數(shù)中，時刻標(biāo)明著閃存“May differ by country and carrier”，也就是“可能因國家和運營商而異”。更重要的是，三星在處理器、基帶、SD和SIM擴展卡上一直都提供差異說明，說明三星早就留了一手后路。
總的來說，三星Galaxy S8真的存在UFS 2.0和UFS 2.1閃存混用的情況，只是三星相比華為稍微良心了那么一點點，至少UFS 2.0和UFS 2.1差別并沒有那么大，而華為eMMc與UFS混用簡直就是機械硬盤與固態(tài)硬盤之間的天差地別。但有華為的前車之鑒，三星仍頂風(fēng)作案，對此三星公關(guān)如何解決問題相當(dāng)令人期待。
國行月中發(fā)布，若有這種情況你還買？
現(xiàn)在Galaxy S8和S8+國行版還未在國內(nèi)上市，仍無法確定國行版是否存在UFS 2.0和2.1混用的情況，但海外版已毋庸置疑�？紤]到國內(nèi)消費者對華為P10閃存門事件耿耿于懷，而且久久不能釋懷，接下來三星混用UFS閃存的事件是否讓消費者心生不滿而爆發(fā)還有待觀察，希望三星中國官方能夠給個確切說法。
在有官方說法之前，可能更令消費者擔(dān)心的是，三星Galaxy S系列旗艦國行版歷來采用的都是高通處理器，那么國行版Galaxy S8幾乎是高通驍龍835版本。如果根據(jù)xda的調(diào)查，這是否意味著未來國行上市之后，Galaxy S8國行版有一半的幾率得到的是UFS 2.0閃存呢？
對此，三星電子高級培訓(xùn)師“Jason璽”的回應(yīng)是，中國大陸行貨版Galaxy S8和S8+都是UFS 2.1閃存，而且還嘲諷華為，聲稱“技術(shù)實力做不到eMMc優(yōu)化到與UFS同樣的體驗”。
雖然認證為三星硬件工程師的“戈藍V”未做回應(yīng)，但他點贊了一條 微博 ，而那條微博是一位已評測過國行S8工程機相關(guān)人士，特別為三星官方做差異化說明進行了解釋：
前段時間，三星官方開始向媒體發(fā)出邀請函，進一步確認三星將會于5月18日在北京司馬臺長城腳下的古北水鎮(zhèn)舉辦Galaxy S8新品發(fā)布會。更具體來說，當(dāng)天20點至20點45分將會是國行版Galaxy S8和S8+媒體發(fā)布會，屆時三星將會公布一系列國行版的相關(guān)上市信息。
另外，三星官網(wǎng)確認5月10日開始提供99元線上和門店預(yù)約服務(wù)，5月18日開始全款預(yù)售。
對于需要求證國行版是否真的混用UFS 2.0和UFS 2.1閃存的機友，現(xiàn)在可以計劃去門店試用，或者考慮購機深入測試了。總之，買手機也要抽獎，在國行Galaxy S8上市之前，你怎么看呢？
