為給麒麟芯片爭(zhēng)取更多備貨避免無法制造 華為加大中芯國(guó)際14nm訂單

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8月12日消息,據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈透露,華為正在加大中芯國(guó)際14nm訂單,這也是希望能夠保證在9月15日前,自家旗下手機(jī)能有更多的芯片可用,而后者目前為海思代工的是麒麟710A處理器。

中芯國(guó)際SMIC是國(guó)內(nèi)最大、最先進(jìn)的半導(dǎo)體晶圓廠,去年底正式量產(chǎn)了14nm工藝。之前就曾有消息稱,華為正在將自家芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工作,逐步從臺(tái)積電轉(zhuǎn)移到中芯國(guó)際,比如海思半導(dǎo)體在2019年底就安排部分工程師,聯(lián)合中芯國(guó)際設(shè)計(jì)和生產(chǎn)芯片,資源方面也逐漸向中芯國(guó)際傾斜,而不再完全依賴臺(tái)積電。

目前,中芯國(guó)際的14nm工藝已經(jīng)相當(dāng)純熟,而且在努力加大產(chǎn)能,后續(xù)還會(huì)有改進(jìn)型的12nm、N、N+1,和臺(tái)積電尚有一定差距,但是滿足華為中端芯片的性能、產(chǎn)能需求已經(jīng)不是問題。

之前就曾有行業(yè)人士直言,中芯國(guó)際生產(chǎn)14nm的麒麟710A意義非凡,從封裝到晶圓代工,華為顯然是在把最核心的CPU生產(chǎn)、制造供應(yīng)鏈一步步轉(zhuǎn)移到國(guó)內(nèi)公司中,盡管現(xiàn)在性能或者產(chǎn)能上會(huì)遇到問題,但長(zhǎng)期來看確保供應(yīng)鏈安全是極其必要的。

上周,余承東曾公開表示,由于美國(guó)的制裁,華為領(lǐng)先全球的麒麟系列芯片在9月15日之后無法制造,將成為絕唱(今年秋天上市的Mate 40,將搭載的麒麟9000可能是華為高端芯片的絕版)。

余承東稱,今年受到美國(guó)第二輪制裁的影響,華為的芯片沒辦法生產(chǎn)了,最近都在缺貨階段,華為的手機(jī)沒有芯片了,沒有了供應(yīng),造成今年發(fā)貨量可能低于去年。

對(duì)于外界的打擊,華為方面現(xiàn)在公開表示,將跟中國(guó)企業(yè)一起在芯片、操作系統(tǒng)等核心上突圍。

華為承認(rèn)中國(guó)終端產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)與美國(guó)差距很大,但他們希望中國(guó)企業(yè)能夠從根技術(shù)做起,打造新生態(tài),大家一起團(tuán)結(jié),在核心技術(shù)上進(jìn)行突圍。

按照之前的制裁細(xì)節(jié),只要半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝上,哪怕使用了任何一點(diǎn)美國(guó)技術(shù),都不能給華為來生產(chǎn)。對(duì)此,華為也表現(xiàn)的很無奈,他們也很遺憾,第一是在芯片領(lǐng)域探索,過去華為開拓了十幾年,從嚴(yán)重落后到比較落后,到有點(diǎn)落后,到終于趕上來,到領(lǐng)先,到現(xiàn)在又被封殺。

另外一點(diǎn)是,投資了非常巨大的研發(fā)投入,也經(jīng)歷了非常艱難的過程,但很遺憾的是華為在半導(dǎo)體制造方面,華為在重資產(chǎn)投入型的領(lǐng)域,這種資金密集型的產(chǎn)業(yè),華為沒有參與,他們只做到了芯片的設(shè)計(jì),但沒搞芯片的制造,這是華為非常大的一個(gè)損失。

在半導(dǎo)體方面,華為的態(tài)度是,將全方位扎根,突破物理學(xué)材料學(xué)的基礎(chǔ)研究和精密制造。在終端器件方面,比如顯示模組、攝像頭模組、5G器件等方面,華為正大力加大材料與核心技術(shù)的投入,實(shí)現(xiàn)新材料+新工藝緊密聯(lián)動(dòng),突破制約創(chuàng)新的瓶頸。

由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈非常的長(zhǎng),不是一兩家家企業(yè)能夠做全的,不過華為也表示,在終端的多個(gè)器件上,華為都在投入,其也帶動(dòng)了一批中國(guó)企業(yè)公司的成長(zhǎng),包括射頻等等向高端制造業(yè)進(jìn)行跨越。

具體來說,華為建議產(chǎn)業(yè)關(guān)注EDA以及IP領(lǐng)域,關(guān)鍵算法和設(shè)計(jì)能力。還有包括12寸晶圓、光掩膜、EUV光源、沉浸式系統(tǒng)、透鏡等在內(nèi)的生產(chǎn)設(shè)備和材料領(lǐng)域。而在設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié),關(guān)注IC設(shè)計(jì)能力以及IC制造和IC封測(cè)能力。其中IDM涵蓋了射頻、功率、模擬、存儲(chǔ)、傳感器等器件設(shè)計(jì)與制造工藝整合。


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