三星HBM3E內(nèi)存性能未達(dá)要求：年內(nèi)供貨NVIDIA懸了

發(fā)布: 2024-12-12 16:10 | 作者: MSCBSC | 來源: 移動通信網(wǎng) | 字體:  小  中  大 

根據(jù)韓國媒體的報道，由于三星電子的 8 層和 12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存樣品性能未能達(dá)到英偉達(dá)的要求，今年內(nèi)正式啟動供應(yīng)的可能性變得非常渺茫，實際供貨預(yù)計將推遲至 2025 年。該報道指出，三星電子自 2023 年 10 月起便開始向英偉達(dá)提供 HBM3E 內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品，但在一年多的時間里，認(rèn)證流程并未取得明顯進(jìn)展。消息人士透露，SK 海力士在 HBM3E 技術(shù)上的領(lǐng)先地位，實際上已經(jīng)為這一內(nèi)存設(shè)定了性能參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)，而三星電子的 HBM3E 在發(fā)熱和功耗等關(guān)鍵性能參數(shù)上未能滿足英偉達(dá)的嚴(yán)格要求。SK 海力士在 HBM3E 上使用了批量回流模制底部填充 MR-RUF 鍵合技術(shù)，而三星電子與美光則采用的是 TC-NCF 熱壓非導(dǎo)電薄膜技術(shù)。盡管三星電子在全球 HBM 和 NAND 市場中曾占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位，但目前看來，其在 HBM3E 領(lǐng)域的競爭中已落后于競爭對手。不過三星電子仍計劃在 2025 年第一季度開始向英偉達(dá)等大客戶供應(yīng) HBM3E，并期望通過下一代 HBM4 工藝獲得競爭優(yōu)勢。

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