臺(tái)積電2納米制程技術(shù)細(xì)節(jié)出爐：性能躍升15%、功耗降低30%，晶圓價(jià)格上漲

發(fā)布: 2024-12-17 13:10 | 作者: MSCBSC | 來源: 移動(dòng)通信網(wǎng) | 字體:  小  中  大 

全球晶圓代工巨頭臺(tái)積電在舊金山舉行的 IEEE 國際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上公布了其備受矚目的 2 納米（N2）制程技術(shù)的更多細(xì)節(jié)，展示了該技術(shù)在性能、功耗和晶體管密度方面的顯著進(jìn)步。臺(tái)積電在會(huì)上重點(diǎn)介紹了其 2 納米“納米片（nanosheets）”技術(shù)。據(jù)介紹，相較于前代制程，N2 制程在性能上提升了 15%，功耗降低了高達(dá) 30%，能效顯著提升。此外，得益于環(huán)繞式柵極（GAA）納米片晶體管和 N2 NanoFlex 技術(shù)的應(yīng)用，晶體管密度也提高了 1.15 倍。N2 NanoFlex 技術(shù)允許制造商在最小的面積內(nèi)集成不同的邏輯單元，進(jìn)一步優(yōu)化了制程的性能。通過從傳統(tǒng)的 FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)過渡到專用的 N2“納米片”技術(shù)，臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)了對(duì)電流更有效的控制，使得制造商能夠根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景微調(diào)參數(shù)。納米片技術(shù)采用堆疊的窄硅帶結(jié)構(gòu)，每條硅帶都被柵極包圍，相比 FinFET 技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)更精確的電流控制。與 3 納米及其衍生制程相比，臺(tái)積電的 N2 制程在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著的提升。鑒于其明顯的代際改進(jìn)，預(yù)計(jì)包括蘋果和英偉達(dá)在內(nèi)的行業(yè)巨頭將大規(guī)模采用該制程。然而，伴隨性能提升的，是晶圓價(jià)格的上漲。據(jù)悉，N2 制程晶圓的價(jià)格將比 3 納米制程高出 10%以上。據(jù)估計(jì)，一片 N2 晶圓的價(jià)格可能在 2.5 萬至 3 萬美元之間，具體價(jià)格將取決于臺(tái)積電的最終定價(jià)。相比之下，3 納米晶圓的價(jià)格約為 2 萬美元。考慮到初期良率和試生產(chǎn)等因素，N2 制程的初期產(chǎn)量將受到限制，意味著其普及速度在初期可能會(huì)相對(duì)緩慢。


微信掃描分享本文到朋友圈
掃碼關(guān)注5G通信官方公眾號(hào),免費(fèi)領(lǐng)取以下5G精品資料
  • 1、回復(fù)“YD5GAI”免費(fèi)領(lǐng)取《中國移動(dòng)：5G網(wǎng)絡(luò)AI應(yīng)用典型場(chǎng)景技術(shù)解決方案白皮書》
  • 2、回復(fù)“5G6G”免費(fèi)領(lǐng)取《5G_6G毫米波測(cè)試技術(shù)白皮書-2022_03-21》
  • 3、回復(fù)“YD6G”免費(fèi)領(lǐng)取《中國移動(dòng)：6G至簡無線接入網(wǎng)白皮書》
  • 4、回復(fù)“LTBPS”免費(fèi)領(lǐng)取《《中國聯(lián)通5G終端白皮書》》
  • 5、回復(fù)“ZGDX”免費(fèi)領(lǐng)取《中國電信5GNTN技術(shù)白皮書》
  • 6、回復(fù)“TXSB”免費(fèi)領(lǐng)取《通信設(shè)備安裝工程施工工藝圖解》
  • 7、回復(fù)“YDSL”免費(fèi)領(lǐng)取《中國移動(dòng)算力并網(wǎng)白皮書》
  • 8、回復(fù)“5GX3”免費(fèi)領(lǐng)取《R1623501-g605G的系統(tǒng)架構(gòu)1》
    		•

    本周熱點(diǎn)本月熱點(diǎn)

     

      最熱通信招聘

    業(yè)界最新資訊

      最新招聘信息