跟著三星沒機(jī)會:韓國中小半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)向英偉達(dá)、臺積電

據(jù)媒體報道,韓國的中小型半導(dǎo)體企業(yè)開始跟隨英偉達(dá)、臺積電的腳步,進(jìn)行下一代產(chǎn)品量產(chǎn)的發(fā)展與生產(chǎn)。

ZDNet Korea 報道稱,韓國中小型制造業(yè)正在配合英偉達(dá)和臺積電下一代技術(shù)的引進(jìn),特別是在英偉達(dá)計(jì)劃于 2025 年正式發(fā)表的下一代 B300 AI 芯片。這款芯片將是英偉達(dá) Blackwell 架構(gòu)旗下效能最高的產(chǎn)品,需要新的材料與設(shè)備來配合,促使韓國中小半導(dǎo)體企業(yè)開始緊盯進(jìn)度。

英偉達(dá) B300 AI 芯片預(yù)計(jì)將配備 12 層堆疊的 HBM3E 內(nèi)存,并以板載形式生產(chǎn),整合高性能 GPU、HBM 和其他芯片。這一變化意味著,如果新的 AI 芯片改用基板生產(chǎn)模式,舊型的連接界面將會帶來效能問題,因此 GPU 和載板之間的穩(wěn)定連接被認(rèn)為是需要克服的瓶頸。

連接介面主要由韓國和中國臺灣的后端制程組件公司供應(yīng),這些公司從 2024 年第四季度起提供新的連接介面產(chǎn)品測試。

臺積電也正在升級 CoWoS 先進(jìn)封裝,CoWoS 將半導(dǎo)體芯片水平放置在基板的硅中介層上,臺積電用更小中介層 CoWoS-L 于最新 HBM 產(chǎn)品。CoWoS 電路測量采用 3D 光學(xué)檢測,布線寬度減至 1 微米時,性能限制使測量困難,臺積電制定將 AFM(原子顯微鏡)用于 CoWoS。


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