印度科學(xué)家團(tuán)隊(duì)提議開發(fā)埃米級 2D 非硅芯片,尋求 50 億盧比政府資金支持

印度科學(xué)家計(jì)劃開發(fā)埃米級 2D 非硅芯片據(jù)印度報(bào)業(yè)托拉斯 PTI 昨日報(bào)道,來自印度科學(xué)學(xué)院 IISc 的 30 名科學(xué)家向政府提交了一份提案,計(jì)劃開發(fā)埃米級(10-10 米級、亞納米級)2D 非硅芯片。該科學(xué)家團(tuán)隊(duì)在 2022 年 4 月向印度首席科學(xué)顧問 (PSA) 提交了一份詳細(xì)項(xiàng)目報(bào)告 (DPR),并在去年 10 月對報(bào)告進(jìn)行了修改和二次提交,該報(bào)告已向印度電子和信息技術(shù)部 (MeitY) 共享。據(jù)悉,MeitY 對此項(xiàng)目持積極態(tài)度。IISc 團(tuán)隊(duì)在報(bào)告中提到了兩類可用于制造埃米級 2D 非硅芯片的物質(zhì):石墨烯和過渡金屬硫化物(簡稱 TMD,如這一領(lǐng)域的“明星材料”二硫化鉬 MoS2),并尋求五年內(nèi) 50 億盧比(現(xiàn)匯率約合 4.27 億元人民幣)的政府研發(fā)支持資金。印度在傳統(tǒng)硅基芯片制造領(lǐng)域相對落后,而硅基半導(dǎo)體的進(jìn)一步制程收縮正面臨一系列問題,加速非硅 2D 芯片的研發(fā)有助于該國提升后硅時(shí)代的半導(dǎo)體競爭力。

這一計(jì)劃的提出顯示了印度在半導(dǎo)體領(lǐng)域追求創(chuàng)新和突破的決心。埃米級 2D 非硅芯片的開發(fā)將為印度提供一個(gè)機(jī)會,在全球半導(dǎo)體市場中占據(jù)一席之地。

石墨烯和過渡金屬硫化物作為制造芯片的材料具有獨(dú)特的優(yōu)勢。石墨烯具有出色的電學(xué)性能和機(jī)械強(qiáng)度,而過渡金屬硫化物則在電子遷移率和能帶隙調(diào)控方面表現(xiàn)出色。這些特性使得它們成為制造高性能、低功耗芯片的理想選擇。

然而,要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),印度還需要克服許多挑戰(zhàn)。其中包括材料的大規(guī)模生產(chǎn)、芯片制造工藝的優(yōu)化以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的建設(shè)等。此外,獲得足夠的政府資金支持也是關(guān)鍵因素之一。

如果印度能夠成功開發(fā)出埃米級 2D 非硅芯片,將對該國的科技和經(jīng)濟(jì)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。這不僅將提升印度在半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位,還將為其他領(lǐng)域的創(chuàng)新提供強(qiáng)大的支持。

總的來說,印度科學(xué)家的這一計(jì)劃為該國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了新的希望。然而,要將這一計(jì)劃變?yōu)楝F(xiàn)實(shí),還需要各方共同努力,包括政府、科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)等。相信在大家的共同努力下,印度有望在半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重要的突破。


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