作 者:張翀
通信世界網(wǎng)(CWW)11月2日消息 在今天舉行的2011第五屆移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)國(guó)際研討會(huì)上,工信部電信研究院沈嘉博士介紹了目前我國(guó)TD-LTE試驗(yàn)進(jìn)展與后續(xù)安排,在談及終端芯片測(cè)試時(shí),他表示,目前海思與創(chuàng)毅視訊兩家芯片廠商完成了與10家TD-LTE設(shè)備商室內(nèi)與室外UuIOT測(cè)試,而高通也完成了與六大設(shè)備商互操作測(cè)試。
TD-LTE終端芯片“緊追不舍”
TD-LTE作為T(mén)D-SCDMA后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)從誕生之日起即受到業(yè)界廣泛關(guān)注,工信部電信研究院從2009年起即開(kāi)始做規(guī)模試驗(yàn)以及概念驗(yàn)證工作,其目的主要是驗(yàn)證TD-LTE基本原理和算法。然而任何一項(xiàng)通信標(biāo)準(zhǔn)從誕生到發(fā)展,網(wǎng)絡(luò)設(shè)備勢(shì)必先行,而終端一致性測(cè)試則是驗(yàn)證移動(dòng)通信技術(shù)真正成熟的標(biāo)志。
沈嘉介紹到,由于通信技術(shù)成熟之前,終端環(huán)節(jié)很難批量部署,不過(guò)TD-LTE從一開(kāi)始就非常重視終端芯片環(huán)節(jié)開(kāi)發(fā),包括從標(biāo)準(zhǔn)化到測(cè)試代碼開(kāi)發(fā)以及儀表開(kāi)發(fā)均有終端廠商參與,盡量拉近終端與系統(tǒng)側(cè)的差距。
目前,TD-LTE終端雖然與FDD LTE相比尚存在一定差距,但目前已有TD-LTE多模終端樣機(jī)展示,在近日舉行的2011年世界通信展,中國(guó)移動(dòng)展示了全球首款TD-LTE+TD-SCDMA/GSM多模雙待單卡智能手機(jī),同時(shí)亮相了首款TD-LTE無(wú)線(xiàn)貓,標(biāo)志著TD-LTE智能終端產(chǎn)業(yè)正邁向成熟。
兩種TD-LTE多模方案并行
由于未來(lái)TD-LTE網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)不可能孤立發(fā)展,而是和2G/3G聯(lián)合發(fā)展,因此對(duì)于終端芯片而言,多模方案的發(fā)展是必然趨勢(shì)。沈嘉表示,目前工信部要求TD-LTE多模終端必須支持TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模,同時(shí)鼓勵(lì)支持LTE FDD制式,不過(guò)可以選擇單芯片或雙芯片模式,不過(guò)兩種方案均有利弊。
由于終端需要多模制式,但多模單芯片相對(duì)比較復(fù)雜,因此目前大多終端廠商研發(fā)雙芯片多模方案。沈嘉介紹稱(chēng),雙芯片多模方案是終端內(nèi)采用一塊TD-LTE芯片,同時(shí)有一塊TD-SCDMA/GSM雙模商用芯片組成雙芯片多模終端,這種方式可較快進(jìn)行研發(fā),目前已有四家終端廠商計(jì)劃在今年四季度提供多模數(shù)據(jù)卡或雙待手機(jī)。
不過(guò)沈嘉也指出,由于雙芯片雙待模式功耗要求很大,因此從多模終端發(fā)展來(lái)看,單芯片多模方案最終是演進(jìn)方向。目前芯片工藝發(fā)展將采用40nm,至少支持TD-LTE/TD-S/GSM三模,據(jù)了解,目前已有7家芯片長(zhǎng)蘇昂宣布將在明年提供樣片,計(jì)劃在2012年底或2013年商用。沈嘉表示,工信部希望在今年年底實(shí)現(xiàn)雙芯片規(guī)模測(cè)試,到明年進(jìn)行單芯片測(cè)試。