TD-LTE芯片戰(zhàn)升溫：國外廠商占優(yōu)

　　高通、博通、 英特爾 搶食蛋糕

　　IT時報記者 尤歆飛

　　國內(nèi)的4G市場正在加速啟動，年底前牌照就可能會發(fā)放。在4G大幕即將拉開的前夕，手機芯片廠商摩拳擦掌，躍躍欲試，這塊巨大的市場蛋糕讓人垂涎欲滴。尤其是國外芯片廠商，想憑借自己的技術(shù)優(yōu)勢搶食更多份額。在國內(nèi)廠商對五模10頻尚感頭痛之際，高通又推出了七模全覆蓋的芯片產(chǎn)品，這對國內(nèi)芯片廠商來說可不是好消息。

　　業(yè)界擔(dān)憂高通一家獨大

　　高通在QRD(高通參考設(shè)計)峰會上推出的RF360前端解決方案，首次實現(xiàn)單個終端支持所有LTE制式和頻段的設(shè)計，支持七種網(wǎng)絡(luò)制式(FDD、TD-LTE、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE)。高通技術(shù)公司產(chǎn)品管理高級副總裁羅杰夫表示，根據(jù)高通目前的設(shè)計方案，可以在手機中做到三卡三待、甚至四卡四待，合作伙伴可以在產(chǎn)品中隨意設(shè)計卡槽的分配。

　　這意味著在未來的4G、3G并存的市場中，各種模式的切換將變得更容易。唯一令人擔(dān)心的是這些產(chǎn)品的價格。在QRD峰會現(xiàn)場，一名手機廠商負(fù)責(zé)人不無擔(dān)憂地對《IT時報》記者說，大部分專利掌握在高通手中，導(dǎo)致支持多種模式的芯片價格不菲。

　　博通也是動作頻頻，博通產(chǎn)品市場資深總監(jiān)邁克爾·西維洛對《IT時報》記者說，博通已經(jīng)推出了型號為BCM21892的LTE芯片，體積比業(yè)界其他解決方案小35%，支持TD-LTE、FDD-LTE、HSPA+、TD-SCDMA、EDGE/GSM五模。

　　國外芯片廠商動作頻頻，國內(nèi)廠商則較為平靜，按照這一發(fā)展趨勢，國外芯片廠商將占據(jù)國內(nèi)TD-LTE終端芯片市場的主導(dǎo)地位，這也是業(yè)內(nèi)人士頗為擔(dān)憂的事情。

　　英特爾攜22納米逆襲

　　盡管在移動芯片市場只有2%的份額，但是在技術(shù)方面，英特爾一點也不怵高通。英特爾方面稱，基于22納米的芯片組已經(jīng)在平板和超級本上使用，今年下半年，22納米手機芯片組也將問世。相對于高通目前的28納米工藝，可體現(xiàn)出制程方面的優(yōu)勢。

　　同時，芯片性能重新成為各廠商比拼的焦點。高通驍龍最新的800處理器支持4k超高清視頻的播放和拍攝，采用DTS-HD和杜比數(shù)字增強版音頻，支持最高5500萬像素攝像頭和最高2560×2048屏幕分辨率，以及1080p高清Miracast無線顯示。

　　博通的芯片除了結(jié)合5G WiFi、全球認(rèn)證NFC技術(shù)以及高級室內(nèi)定位技術(shù)等功能之外，其VideoCore多媒體支持“dual HD”功能，為智能手機和具有Miracast功能的大屏幕(比如電視)提供同步高清輸出等等。

　　降低芯片能耗成主攻目標(biāo)

　　能耗已成為智能手機用戶最大的“心病”，他們希望性能和功耗之間能取得平衡。4G、多模以及不斷提升的芯片性能，對能耗是一個巨大考驗。

　　對此，來自博通的邁克爾·西維洛介紹說，博通芯片組采用一種全新的“波峰能耗控制技術(shù)”，將根據(jù)手機信號的大小，自動調(diào)節(jié)能耗。高通則主推快速充電技術(shù)，羅杰夫表示，在驍龍200以及未來的處理器平臺上，其功耗會比競爭對手低30%，而充電時使用最新的快充技術(shù)還能讓充電時間縮短一倍。

　　英特爾也在功耗和性能的平衡上下功夫。英特爾一名負(fù)責(zé)人介紹，在相同功耗的情況下，英特爾移動芯片的計算率要高于其他競爭對手。同時，英特爾的“睿頻技術(shù)”已經(jīng)運用到手機上，CPU會根據(jù)當(dāng)前的任務(wù)量快速提升主頻；任務(wù)完成后，迅速回到低頻狀態(tài)，節(jié)約能耗。

　　英特爾公司產(chǎn)品架構(gòu)事業(yè)部副總裁、移動通信事業(yè)部中國區(qū)總經(jīng)理陳榮坤對《IT時報》記者說，現(xiàn)在有一個普遍的誤區(qū)，認(rèn)為X86指令集存在一些固有的能效問題。其實，指令集對于功耗的影響是可以忽略不計的，微處理器架構(gòu)才是決定“每瓦性能比”指標(biāo)的關(guān)鍵。ARM和X86的具體實現(xiàn)僅僅是為不同性能水平進(jìn)行優(yōu)化的設(shè)計點而已�！拔磥淼内厔菔菓�(yīng)用程序?qū)τ谑謾C性能的需求會越來越高，ARM同樣會有自己的問題。如果提高性能的話，ARM也會在功耗上遭遇很大的困難。因此，英特爾和ARM正在做兩個方向的事情，對于英特爾的挑戰(zhàn)是，如何在確保高性能的情況下降低功耗；ARM的問題則是如何在同樣功耗狀況下提升產(chǎn)品的性能�！标悩s坤表示。