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美國證券商 Baird 分析員 Tristan Gerra 昨日（2 月 12 日）透露，供應(yīng)鏈消息稱英特爾正探討拆分半導(dǎo)體制造部門，并與臺(tái)積電成立合資企業(yè)。
消息稱美國政府牽頭力推這筆交易達(dá)成，臺(tái)積電將派遣半導(dǎo)體工程師入駐英特爾晶圓廠，幫助其在美國制造先進(jìn)的 3 納米和 2 納米芯片，確保后續(xù)制造項(xiàng)目能夠成功。
援引博文介紹，Gerra 還透露英特爾計(jì)劃拆分半導(dǎo)體制造部門，和臺(tái)積電組建新的合資公司，交由臺(tái)積電管理和運(yùn)營晶圓廠，并可以獲得美國《芯片法案》的聯(lián)邦補(bǔ)貼。
分析師們正在仔細(xì)權(quán)衡這項(xiàng)合作的利弊，考量其潛在收益與巨大挑戰(zhàn)。過去 12 個(gè)月，英特爾累計(jì)虧損 188 億美元，預(yù)計(jì)到 2026 年才能實(shí)現(xiàn) GAAP 盈利。
Gerra 表示，雖然目前尚未得到證實(shí)，且該交易落地可能需要很長時(shí)間，但這項(xiàng)舉措是合理的。英特爾將因此獲得巨額現(xiàn)金流，并將專注于未來的設(shè)計(jì)和平臺(tái)解決方案，而一個(gè)可行的晶圓廠最終可能會(huì)吸引主要的無晶圓廠公司，讓其制造模式實(shí)現(xiàn)地域多元化。
