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2016年08月16日14:02 來(lái)源：移動(dòng)通信網(wǎng)T|T
【移動(dòng)通信網(wǎng)】2016年8月12日，美國(guó)加州圣克拉拉——一年一度的內(nèi)存峰會(huì)（FlashMemorySummit）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月9日至11日，在美國(guó)加州圣克拉拉舉行。全球閃存領(lǐng)軍企業(yè)齊聚一堂，紛紛推出巿場(chǎng)最新閃存技術(shù)及產(chǎn)品。在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（SiliconMotionTechnologyCorporation,納斯達(dá)克交易代碼:SIMO）在本次峰會(huì)中展出首款PCIeSSD控制芯片解決方案SM2260，作為PCIe3.0NVMe1.2的控制芯片，SM2260為8通道設(shè)計(jì)，最高可支持2TB容量。
圖一：慧榮科技展出SM2260解決方案
在本次展會(huì)中，我們還可以看到此款SM2260搭配3DNAND的效能表現(xiàn)：讀取速度可達(dá)2370MB，輸寫(xiě)速度為1039MB，讀寫(xiě)表現(xiàn)可圈可點(diǎn)。另外，SM2260控制器采用了RAID保護(hù)功能的專(zhuān)有NANDXtend"技術(shù)，有效提升解錯(cuò)能力，并確保數(shù)據(jù)的完整性。該款產(chǎn)品經(jīng)過(guò)多項(xiàng)兼容性及穩(wěn)定測(cè)試后才得以上巿，可謂眾望所歸。根據(jù)慧榮科技工作人員表示，SM2260已經(jīng)被知名SSD廠商所采用，很快就會(huì)在巿場(chǎng)上看見(jiàn)。
圖二：SM2260控制芯片各方面性能表現(xiàn)
除了SM2260PCIeSSD主控芯片外，慧榮科技還介紹了新推出的搭載3DTLCNAND的SM2258控制器，性能表現(xiàn)同樣出色，完勝巿場(chǎng)上大多數(shù)SATASSD。
圖三：SM2258控制芯片各方面性能表現(xiàn)
另外，在本次閃存峰會(huì)上，寶存科技也展出企業(yè)級(jí)SSD解決方案。
圖四：寶存科技展臺(tái)
寶存科技攜ShannonDirect-IO"PCIeFlash及U.2(8639)PCIeFlash產(chǎn)品再度亮相閃存峰會(huì)。該系列產(chǎn)品不僅性能上不斷完善，而且閃存顆粒工藝也由19/20nm更換為15nm，從成本上滿(mǎn)足了企業(yè)對(duì)高性?xún)r(jià)比的追求。
圖五：寶存科技推出的ShannonDirect-IO"PCIeFlash系列
圖六：寶存科技推出的ShannonDirect-IO"U.2(8639)PCIeFlash系列
寶存科技預(yù)計(jì)將于今年下半年發(fā)布遵循NVMe標(biāo)準(zhǔn)的PCIeFlash產(chǎn)品，在本次展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)可以找到該款產(chǎn)品的相關(guān)資料。寶存科技的NVMe是遵循PCIe標(biāo)準(zhǔn)的高速存儲(chǔ)設(shè)備。相比Direct-IO"PCIeFlash基于標(biāo)準(zhǔn)PCIe的高度可定制化架構(gòu)，寶存科技的NMVe會(huì)擁有更好的通用性，并且在中小容量段更有應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)。通過(guò)Direct-IO"和NMVe兩條PCIe產(chǎn)品線的構(gòu)建，滿(mǎn)足不同用戶(hù)對(duì)不同場(chǎng)景的性能需求。
圖七：寶存科技NVMe產(chǎn)品性能數(shù)據(jù)
在今年全球閃存峰會(huì)中，除了一睹慧栄科技在閃存技術(shù)的優(yōu)勢(shì)外，也可以了解慧栄過(guò)去十年的成果。慧榮科技致今已經(jīng)銷(xiāo)售超過(guò)５０倍顆閃存相關(guān)主控芯片，成為全球銷(xiāo)售第一的王者品牌。
圖八：慧榮科技過(guò)去十年發(fā)展歷程
