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4K、VR、AR、AI、5G……眾多新興技術(shù)的交織給智能手機(jī)帶來更多功能和更暢快體驗(yàn)的同時(shí)也帶來了新的問題，那就是對(duì)手機(jī)的存儲(chǔ)需求大大提高。
“目前，手機(jī)廠商對(duì)于大存儲(chǔ)NAND的需求正在快速增長，年增長率達(dá)到了42%。原因是，雙攝像頭需要更多的存儲(chǔ)承載手機(jī)的拍照像素。同時(shí)，4K視頻需要更多的存儲(chǔ)滿足需求。其他一些作業(yè)系統(tǒng)支持更多的功能，也需要更多的存儲(chǔ)，”Counterpoint資深分析師閆占孟近日在接受飛象網(wǎng)采訪時(shí)表示。
他指出，從整體趨勢來看，存儲(chǔ)向兩個(gè)方向發(fā)展：一個(gè)是從2D向3D NAND發(fā)展，3D NAND可以承載更多的容量存儲(chǔ)，3D NAND市場將于2028年占全球市場比例將近一半。“此外，關(guān)于存儲(chǔ)速度和讀取速度，明年中低手機(jī)市場會(huì)采用UFS功能，TLC也會(huì)拓展到一些終端市場。當(dāng)然，目前來看，整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品庫存供應(yīng)有限，Counterpoint判斷，明年下半年存儲(chǔ)供應(yīng)會(huì)比較緊張�！�
在這種緊張的情況下，有哪些方案可以解決呢？Counterpoint研究了兩個(gè)方向，第一是3D NAND可以保證更多的存儲(chǔ)，可以解決存儲(chǔ)供應(yīng)的問題，尤其TLC的3DNAND可以解決存儲(chǔ)容量的問題。第二，更多的廠商會(huì)應(yīng)用UFS快速讀取的芯片。在閆占孟看來，這兩個(gè)解決方案可以解決存儲(chǔ)供應(yīng)緊張的問題。有數(shù)據(jù)顯示，截止到今年，NAND的存儲(chǔ)能力達(dá)到了51GB，預(yù)測到2018年第四季度會(huì)增長到60GB，增長速度可見迅猛。
同樣洞見此趨勢的還有西部數(shù)據(jù)，在西部數(shù)據(jù)公司嵌入式和集成解決方案副總裁Christopher Bergey看來，數(shù)據(jù)量、數(shù)據(jù)的產(chǎn)生速度、多樣化和其帶來的價(jià)值都持續(xù)呈指數(shù)級(jí)增長和演變，包括大數(shù)據(jù)、快速數(shù)據(jù)和個(gè)人數(shù)據(jù)各個(gè)方面。全球眾多消費(fèi)者都將在智能手機(jī)上體驗(yàn)到這些數(shù)據(jù)的整合�！岸鞑繑�(shù)據(jù)創(chuàng)新的新型iNAND解決方案推動(dòng)數(shù)據(jù)在高度密集的移動(dòng)應(yīng)用和體驗(yàn)中繁榮。我們將西部數(shù)據(jù)業(yè)界領(lǐng)先的X3 3D NAND技術(shù)、與新款增強(qiáng)的獨(dú)特應(yīng)用感知型SmartSLC技術(shù)相結(jié)合，為客戶提供了我們智能的高性能iNAND設(shè)備。這些iNAND系列的全新解決方案使得我們能夠繼續(xù)從容應(yīng)對(duì)全球變化多端的移動(dòng)市場中日益提高的移動(dòng)數(shù)據(jù)需求。”
近日，西部數(shù)據(jù)宣布推出全新的iNAND®嵌入式閃存盤 (EFD) ，使智能手機(jī)用戶能夠充分發(fā)揮當(dāng)前數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)型應(yīng)用的潛力，提升使用體驗(yàn)。借助西部數(shù)據(jù)的64層3D NAND技術(shù)和先進(jìn)的UFS與e.MMC接口技術(shù)，新型的智能iNAND8521和iNAND7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數(shù)據(jù)性能和高容量存儲(chǔ)。
據(jù)Christopher Bergey介紹，當(dāng)該產(chǎn)品用于智能手機(jī)和輕薄型計(jì)算設(shè)備中時(shí)，他們可以為以數(shù)據(jù)為中心的大量應(yīng)用加速，包括增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、高分辨率視頻捕捉和豐富的社交媒體體驗(yàn)，當(dāng)然還有新興的終端人工智能 (AI) 和物聯(lián)網(wǎng) (IoT)體驗(yàn)。
具體來講，iNAND 8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計(jì)，采用UFS 2.1接口和西部數(shù)據(jù)新型第五代SmartSLC 技術(shù)。相比于公司面向旗艦智能手機(jī)的上一代iNAND移動(dòng)解決方案iNAND 7232嵌入式閃存盤，這次的iNAND 8521提供了兩倍的順序?qū)懭胨俣?和高達(dá)10倍的隨機(jī)寫入速度2。通過快速并智能響應(yīng)用戶的應(yīng)用性能需求，它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實(shí)游戲，并且快速下載高清電影。此外，當(dāng)服務(wù)提供商向5G網(wǎng)絡(luò)演進(jìn)時(shí)，iNAND 8521嵌入式閃存盤卓越的數(shù)據(jù)傳輸速度還將允許移動(dòng)用戶利用更快的Wi-Fi和網(wǎng)絡(luò)增強(qiáng)功能。
而iNAND 7550嵌入式閃存盤幫助移動(dòng)設(shè)備制造商打造存儲(chǔ)空間充足且具有高性價(jià)比的智能手機(jī)和計(jì)算設(shè)備，以滿足消費(fèi)者不斷增長的存儲(chǔ)需求，同時(shí)提供快速且具吸引力的應(yīng)用體驗(yàn)。iNAND 7550嵌入式閃存盤基于e.MMC 5.1規(guī)范，是目前西部數(shù)據(jù)基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案，可提供高達(dá)260 MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0K IOPS和15K IOPS的隨機(jī)讀/寫性能3，更有助于同時(shí)加快自身和應(yīng)用啟動(dòng)的速度。
值得一提的是，iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式閃存盤以西部數(shù)據(jù)公司旗下的SanDisk品牌銷售。十余年來，該系列得到了全球主流智能手機(jī)和平板電腦制造商的信任。西部數(shù)據(jù)公司目前向OEM提供容量為256GB4的iNAND 8521和iNAND 7550閃存盤的樣品。
