存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析 DRAM價(jià)格仍將維持上漲態(tài)勢(shì)

【中國(guó)安防展覽網(wǎng) 市場(chǎng)分析】存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。在計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過程中， 輸入的原始數(shù)據(jù)、 計(jì)算機(jī)程序、 中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲(chǔ)器里，可以說存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。

存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)、物聯(lián)網(wǎng)、國(guó)家安全等重要領(lǐng)域，是一種重要的、基礎(chǔ)性的產(chǎn)品。

存儲(chǔ)器市場(chǎng)看， DXI 指數(shù)本月走勢(shì)維持平穩(wěn)，略有小幅度下降， 行業(yè)供需情況逐步平穩(wěn)， 短期內(nèi)處于下游需求相對(duì)淡季，因此行業(yè)景氣度基本保持平穩(wěn)的大趨勢(shì)。

終端、云端應(yīng)用增長(zhǎng)爆炸，存儲(chǔ)器銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)58%，達(dá)1220億美元

據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，2017年市場(chǎng)規(guī)模1840萬(wàn)臺(tái)。HDD由于容量大、成本低目前仍是云端市場(chǎng)主流，約占80%。中長(zhǎng)期來看，隨著 3DNAND 技術(shù)逐漸成熟，SSD取代HDD 速度或?qū)⒓涌�，屆時(shí)對(duì)NAND Flash需求或爆發(fā)，恐再次出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。到2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)同比增長(zhǎng)58%,銷售額達(dá)1220億美元。

NANDFlash、DRAM為存儲(chǔ)器市場(chǎng)主力軍，NORFlash市場(chǎng)小但機(jī)會(huì)大

按照市場(chǎng)規(guī)模看，DRAM 約占存儲(chǔ)器市場(chǎng)53%，NANDFlash 約占存儲(chǔ)器市場(chǎng)42%，二者合計(jì)份額達(dá)95%，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)主要構(gòu)成產(chǎn)品。2017 年 NAND Flash 銷售額預(yù)計(jì)年增 44%，DRAM 銷售額預(yù)計(jì)年增74%，拉動(dòng)作用極其明顯。

NOR Flash 主要機(jī)會(huì)在于市占率約25%的賽普拉斯、市占率近 20%的美光陸續(xù)退出市場(chǎng)，而物聯(lián)網(wǎng)、工控應(yīng)用等市場(chǎng)需求依舊旺盛，對(duì)于現(xiàn)有玩家而言填補(bǔ)市場(chǎng)機(jī)會(huì)巨大。從長(zhǎng)期角度來看，NANDFlash仍為未來市場(chǎng)主要方向。2020 年 NANDFlash 市場(chǎng)規(guī)模上看650億美元。

全球存儲(chǔ)器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(按銷售額)

數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理

近年來存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的占比穩(wěn)步提升

目前已經(jīng)達(dá)到24%左右，而在集成電路中的比重更是超過了30%，在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)極為重要的地位。目前全球存儲(chǔ)器的市場(chǎng)已經(jīng)達(dá)到773億美元， 從存儲(chǔ)器的構(gòu)成來看，2016 年DRAM 的市場(chǎng)規(guī)模超過400 億美元，成為存儲(chǔ)器領(lǐng)域第一大產(chǎn)品類型，而NAND Flash 受益于智能手機(jī)和SSD 的興起，市場(chǎng)規(guī)模也達(dá)到300 億美元左右，兩者在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的占比已經(jīng)超過90%。

全球半導(dǎo)體和存儲(chǔ)器(半導(dǎo)體)的市場(chǎng)規(guī)模

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

NAND 存儲(chǔ)器技術(shù)處于變革關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)，未來價(jià)格關(guān)注3D產(chǎn)能情況

NAND 存儲(chǔ)器制程轉(zhuǎn)換遭遇瓶頸，采用3D堆疊技術(shù)為主要解決方案。3D產(chǎn)能目前三星投產(chǎn)率、良率最高，其 64 層 3D-NAND 三季度已進(jìn)入量產(chǎn)階段，3D產(chǎn)出占投產(chǎn)量達(dá) 50%，其他廠商亦在Q3有所放量，到2017Q3 全球新增產(chǎn)能超20 萬(wàn)片/月，新增產(chǎn)能對(duì)NAND Flash供應(yīng)緊缺的壓力有所緩解。

同時(shí)，3D NAND Flash 存儲(chǔ)密度高，單位容量成本低：據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，3D NAND 技術(shù)下每GB成本約0.1美金，較2D 結(jié)構(gòu)至少低30%。在48層3D TLC架構(gòu)下，1TB SSD 成本已低于2D TLC 架構(gòu)，3D NAND 較2D NAND 更為經(jīng)濟(jì)。

另一方面，NANDFlash 下游需求增長(zhǎng)空間仍大：智能手機(jī)及SSD滲透率提升仍構(gòu)成NAND Flash的巨大需求。供給產(chǎn)能的緩解與需求空間的提升對(duì)NAND Flash價(jià)格構(gòu)成相反影響，未來價(jià)格變化依舊有待觀察。

2017 年 NAND Flash 主要廠商產(chǎn)量(單位：萬(wàn)片)

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DRAM價(jià)格繼續(xù)走強(qiáng)，維持上漲態(tài)勢(shì)

DRAM價(jià)格于2017Q2 有所回調(diào)，2017Q3后則繼續(xù)維持，2016年以來漲勢(shì)，2017年初至10月，DDR3 4G 1600MHz 價(jià)格上漲25%左右。拉動(dòng)DRAM價(jià)格上漲原因主要有：

(1)需求端來看，終端云端需求不減：終端智能手機(jī)內(nèi)存容量升級(jí)，云端服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁需求均拉動(dòng) DRAM 需求的增長(zhǎng)。

(2)供給端來看，DRAM 廠產(chǎn)能增加有限：三大DRAM 廠(三星、海力士、美光)產(chǎn)能增加空間已相當(dāng)有限，接近滿載，從產(chǎn)能規(guī)劃來看，2018 年新增投片量?jī)H約5-7%，源于現(xiàn)有工廠產(chǎn)能的重新規(guī)劃，資本支出傾向于保守，僅 SK 海力士決議在無(wú)錫興建新廠，最快產(chǎn)能開出時(shí)間落在2019 年。需求供給兩側(cè)來看，預(yù)計(jì)2018 年DRAM價(jià)格仍將維持上漲態(tài)勢(shì)。

DRAM價(jià)格(單位：美元)

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據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，目前中國(guó)市場(chǎng)所消耗的DRAM量超過全球20%，而NAND的數(shù)據(jù)更是驚人，2017 年占全球30%以上，而到了2020 年該占比將超過40%。而與此形成鮮明對(duì)比的是：在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，中國(guó)幾乎完全依賴于進(jìn)口，存儲(chǔ)器已經(jīng)成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一， 存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化也成為了我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略中的重要一步。

來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理