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10月8日消息，據(jù)德媒computerbase消息，三星在SamsungFoundryForum2022活動中介紹了其內(nèi)存路線圖。
如上圖所示，在即將到來的2023年，三星將進入1bnm工藝階段，內(nèi)存芯片容量將達到24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbps。顯存方面，新一代 GDDR7顯存將在明年問世，因此AMD和英偉達顯卡的新一代顯卡的中期改款就有可能會用上GDDR7顯存。
此外，三星還進行了一些長遠的設(shè)想，如2026年推出DDR6內(nèi)存，2027年即實現(xiàn)原生10Gbps的速度。
三星也公布了其閃存的路線圖，預(yù)計將在2024年推出V9NAND芯片。
IT之家曾報道，三星在此前的 TechDay2022活動中指出，其第九代V-NAND正在開發(fā)中，計劃于2024年量產(chǎn)。到2030年，三星設(shè)想NAND堆疊超過1，000層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術(shù)。三星還宣布，全球最高容量的1TbTLCV-NAND將于今年年底向客戶提供。
