消息稱三星電子啟動(dòng)下代 1c nm DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購，明年 2 月引進(jìn)

發(fā)布: 2024-12-11 11:56 | 作者: MSCBSC | 來源: 移動(dòng)通信網(wǎng) | 字體:  小  中  大 

三星電子啟動(dòng) 1c nm 制程 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購據(jù)韓媒 ZDNet 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 9 日援引行業(yè)報(bào)告表示，三星電子已于近日啟動(dòng)下代 1c nm 制程 DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)所需設(shè)備的采購，從 Lam Research 泛林集團(tuán)等主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商購買的設(shè)備將于明年 2 月左右引進(jìn)至量產(chǎn)線。三星電子目前尚未官宣 1c nm（第 6 代 10nm 級制程）DRAM。報(bào)道指出三星電子的 1c nm 目前處于試產(chǎn)狀態(tài)，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首條 1c nm 量產(chǎn)線將設(shè)置于韓國京畿道平澤 P4 工廠。業(yè)內(nèi)人士表示，三星電子 1c nm 量產(chǎn)投資的初期規(guī)模不會(huì)很大，這是因?yàn)樯行钑r(shí)日來實(shí)現(xiàn)這一新制程 DRAM 良率的穩(wěn)定，待工藝成熟后三星才會(huì)進(jìn)行額外的投資。此前有消息稱三星電子已確認(rèn)將在下代 HBM4 中應(yīng)用 1c nm DRAM，可以說 1c nm 的表現(xiàn)很大程度上決定了三星能否在競爭激烈的 HBM 內(nèi)存市場趕上甚至超越目前的領(lǐng)先者 SK 海力士。


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