SiGe技術(shù)提高無(wú)線(xiàn)前端性能

摘要：這篇應(yīng)用筆記描述了硅鍺技術(shù)是如何提高RF應(yīng)用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響。SiGe技術(shù)顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe技術(shù)在線(xiàn)性度方面的影響還在研究中。

在蜂窩手機(jī)和其他數(shù)字的、便攜式、無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備中，有三個(gè)參數(shù)越來(lái)越重要。低功率消耗和輕型電池給設(shè)備帶來(lái)自由移動(dòng)的權(quán)力，更高的前端接受靈敏度增加了接收距離，更高的前端線(xiàn)性度對(duì)可容許的動(dòng)態(tài)范圍具有直接的影響。隨著π/4DQPSK和8QAM這類(lèi)非恒定能量調(diào)制方案的使用，上面三個(gè)參數(shù)的重要性越來(lái)越大。

SiGe (硅鍺)技術(shù)是最近的一項(xiàng)技術(shù)革新，能同時(shí)改善接收機(jī)的功耗、靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍。GST-3是新的基于硅鍺技術(shù)的高速I(mǎi)C處理工藝，其特點(diǎn)是具有35GHz的特征頻率(fT)。

噪聲性能

在下行鏈路中對(duì)噪聲系數(shù)的主要影響來(lái)自于LNA第一級(jí)晶體管輸入級(jí)產(chǎn)生的噪聲。噪聲系數(shù)(NF)是一個(gè)體現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)性能的參數(shù)，用來(lái)將實(shí)際網(wǎng)絡(luò)中的噪聲與通過(guò)理想的無(wú)噪聲網(wǎng)絡(luò)后信號(hào)中的噪聲進(jìn)行比較。具有功率增益G = POUT/PIN的放大器或其他網(wǎng)絡(luò)的噪聲因數(shù)(F)可以表示為：

NF是從網(wǎng)絡(luò)輸入端到輸出端信號(hào)噪聲比(SNR)惡化程度的度量，一般以dB為單位: NF = 10log10F，因此:

F = 輸入SNR/輸出SNR

= (PIN/NIN)/(POUT/NOUT)

= NOUT/(NIN. G)

我們只關(guān)心熱噪聲(也叫做約翰遜噪聲或白噪聲)和散粒噪聲(也叫做肖特基噪聲)。一個(gè)具體的雙極型晶體管高頻等效模型(Giacoleto模型，參見(jiàn)圖1)會(huì)幫助我們理解這個(gè)噪聲是如何產(chǎn)生的。這個(gè)模型還告訴我們硅鍺技術(shù)是如何降低LNA前端噪聲系數(shù)的。

圖1. 詳細(xì)的npn晶體管模型(Giacoleto模型)簡(jiǎn)化了對(duì)頻率影響的分析。

硅鍺材料的熱噪聲和散粒噪聲

在一個(gè)溫度大于零(0°K)的導(dǎo)體內(nèi)，電荷載體的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生了隨機(jī)的噪聲電壓和電流。隨著導(dǎo)體溫度的升高這些電荷載體隨機(jī)運(yùn)動(dòng)的速度會(huì)加快，也就提高了噪聲電壓。晶體管基區(qū)寄生電阻(Rbb?)產(chǎn)生的熱噪聲為Vn(f) = 4kTRbb?，其中Vn(f)是電壓噪聲譜密度，單位是V?/Hz，k是玻爾茲曼常數(shù)(1.38 × 10-23 Joules/Kelvin)，T是以開(kāi)爾文為單位的絕對(duì)溫度(°C + 273°)。

散粒噪聲是電荷載體的粒子特性的結(jié)果。半導(dǎo)體內(nèi)流動(dòng)的DC電流通常被認(rèn)為在每一時(shí)刻都是恒定的，但是任何電流都是由一個(gè)個(gè)的電子和空穴的運(yùn)動(dòng)所形成的。只有這些電荷載體所產(chǎn)生的電流的時(shí)間平均值才可以看做是恒定的電流。電荷載體數(shù)量的任何波動(dòng)都會(huì)在那個(gè)時(shí)刻產(chǎn)生隨機(jī)的電流，這就是散粒噪聲。

基極電流中散粒噪聲的噪聲譜密度為Inb(f) = 2qIb = 2qIc/β , 其中Inb是電流的噪聲譜密度，單位I?/Hz，Ib是基極的直流偏置電流，q是一個(gè)電子的電量(1.6 × 10-19庫(kù)侖)，β是晶體管的DC電流放大系數(shù)。于是，晶體管輸入級(jí)產(chǎn)生的總噪聲譜密度是熱噪聲和散粒噪聲之和：

γ n = 4kTRbb? + RSOURCE 2qIc/β

Maxim的新硅鍺工藝，GST-3，是在GST-2 (一種雙極型工藝，特征頻率達(dá)27GHz)的基礎(chǔ)上，通過(guò)在晶體管基區(qū)攙雜鍺發(fā)展而來(lái)的。其結(jié)果是Rbb?值得到了大幅度降低并且晶體管的β 值顯著提升。與這兩個(gè)變化伴隨而來(lái)的是硅鍺晶體管更好的噪聲系數(shù)(與具有相同集電極電流的硅晶體管相比)。通常晶體管的噪聲系數(shù)表示為：

對(duì)硅雙極型晶體管和硅鍺晶體管來(lái)說(shuō)，上式都在RSOURCE = Vn(f)/Inb(f)時(shí)噪聲系數(shù)最小。所以，具有與此值相近的源阻抗的LNA可以最大程度地體現(xiàn)硅鍺工藝的優(yōu)點(diǎn)。

在無(wú)線(xiàn)設(shè)計(jì)中另一個(gè)重要的問(wèn)題是隨頻率的變化噪聲系數(shù)會(huì)變差。一般晶體管的功率增益大致符合圖2中上邊的曲線(xiàn)�？紤]一下圖2的晶體管等效電路，會(huì)覺(jué)得這條曲線(xiàn)并不新奇。實(shí)際上，那個(gè)等效模型就是一個(gè)每倍頻程增益下降6dB的RC低通濾波器。理論上共射極電路的電流增益(β)為1時(shí)(0dB)的頻率稱(chēng)作特征頻率(fT)。LNA的增益(G)直接依賴(lài)于β ，所以噪聲系數(shù)[F = NOUT/(NING)]變差就是從增益逐漸變小開(kāi)始的。

圖2. 硅鍺(SiGe)雙極型晶體管表現(xiàn)出高增益和低噪聲的特性。

為了看清楚GST-3硅鍺工藝是如何改善高頻段的噪聲系數(shù)的，考慮給晶體管的p型硅基區(qū)攙雜鍺，這會(huì)使穿過(guò)基區(qū)的能帶隙降低80mV至100mV，在發(fā)射區(qū)和集電結(jié)之間建立起強(qiáng)電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)使電子從基區(qū)迅速移動(dòng)到集電區(qū)，縮短了載流子越過(guò)狹窄的基區(qū)所需的通過(guò)時(shí)間(tb)。在其他條件不變的情況下，減小tb會(huì)使fT提高大約30%。

對(duì)于同樣面積的晶體管，硅鍺器件在達(dá)到給定的fT標(biāo)準(zhǔn)時(shí)只需要GST-2器件所需電流的1/3到1/2。更高的fT降低了高頻噪聲，因?yàn)?beta;在更高的頻率才會(huì)開(kāi)始逐漸減小。

超低噪聲的硅鍺(SiGe)放大器(MAX2641)

基于硅鍺技術(shù)的MAX2641具有硅雙極型LNA不可比擬的優(yōu)點(diǎn)，硅雙極型LNA的NF在接近2GHz頻率時(shí)開(kāi)始變差(例如，1GHz時(shí)1.5dB，2GHz時(shí)，2.5dB)。硅鍺器件的高反向隔離度使輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的調(diào)諧對(duì)輸出匹配網(wǎng)絡(luò)沒(méi)有影響，反之亦然。

硅鍺器件MAX2641最適合工作在1400MHz到2500MHz的頻率范圍內(nèi)，此時(shí)典型的性能是1900MHz時(shí)14.4dB增益，-4dBm輸入IP3 (IIP3), 30dB的反向隔離, 1.3dB噪聲系數(shù)(見(jiàn)圖3)。MAX2641以6引腳SOT23封裝，使用單電源+2.7V至+5.5V供電，吸入電流3.5mA，內(nèi)部偏置。通常唯一需要的外部元件是一個(gè)兩元件輸入匹配電路，輸入輸出隔離電容及一個(gè)VCC旁路電容。

圖3. 請(qǐng)注意這個(gè)硅鍺集成低噪聲放大器非常低的噪聲系數(shù)。

硅鍺器件的線(xiàn)性度

除了噪聲和帶寬，通信系統(tǒng)還受到信號(hào)失真的限制。系統(tǒng)的有效性依賴(lài)其動(dòng)態(tài)范圍(系統(tǒng)可以高質(zhì)量處理的信號(hào)范圍)。動(dòng)態(tài)范圍受噪聲系數(shù)的影響，其下限定義為靈敏度，上限定義為可接受的信號(hào)失真的最大幅度。實(shí)現(xiàn)最佳的動(dòng)態(tài)范圍需要在功耗、輸出信號(hào)失真和相對(duì)于噪聲的輸入信號(hào)值之間權(quán)衡利弊。